按封裝形式：

IGBT 單管：將單個(gè) IGBT 芯片與 FRD（快速恢復(fù)二極管）芯片以分立式晶體管的形式封裝在銅框架上，封裝規(guī)模小,，電流較小,，適用于消費(fèi)和工業(yè)家電等對(duì)功率要求不高的場(chǎng)景。

IGBT 模塊：將多個(gè) IGBT 芯片與 FRD 芯片通過(guò)特定電路橋接而成的模塊化產(chǎn)品,，具有更高的集成度和散熱穩(wěn)定性,，常用于對(duì)功率要求較高的場(chǎng)合，如工業(yè)變頻器,、新能源汽車等,。

按內(nèi)部結(jié)構(gòu)：

穿通 IGBT（PT - IGBT）：發(fā)射極接觸處具有 N + 區(qū)，包括 N + 緩沖層,，也叫非對(duì)稱 IGBT,，具有不對(duì)稱的電壓阻斷能力，其特點(diǎn)是導(dǎo)通壓降較低,，但關(guān)斷速度相對(duì)較慢,，適用于對(duì)導(dǎo)通損耗要求較高的應(yīng)用，如低頻,、大功率的變流器,。

非穿通 IGBT（NPT - IGBT）：沒(méi)有額外的 N + 區(qū)域，結(jié)構(gòu)對(duì)稱性提供了對(duì)稱的擊穿電壓特性,，關(guān)斷速度快,，開(kāi)關(guān)損耗小，但導(dǎo)通壓降相對(duì)較高，常用于高頻,、開(kāi)關(guān)速度要求高的場(chǎng)合,，如開(kāi)關(guān)電源、高頻逆變器等,。 IGBT模塊在家用電器中作為開(kāi)關(guān)元件,，控制電源通斷。深圳4-pack四單元igbt模塊

IGBT模塊主要由IGBT芯片,、覆銅陶瓷基板（DBC基板）,、鍵合線、散熱基板,、二極管芯片,、外殼、焊料層等部分構(gòu)成：IGBT芯片：是IGBT模塊的重要部件,，位于模塊內(nèi)部的中心位置,，起到變頻、逆變,、變壓、功率放大,、功率控制等關(guān)鍵作用,，決定了IGBT模塊的基本性能和功能。其通常由不同摻雜的P型或N型半導(dǎo)體組合而成的四層半導(dǎo)體器件構(gòu)成,，柵極和發(fā)射極在芯片上方（正面）,，集電極在下方（背面），芯片厚度較薄,，一般為200μm左右,。為保證IGBT芯片之間的均流效果，在每個(gè)芯片的柵極內(nèi)部還會(huì)集成一個(gè)電阻,。廣東4-pack四單元igbt模塊IGBT模塊在充電樁領(lǐng)域的應(yīng)用推動(dòng)了市場(chǎng)規(guī)模的增長(zhǎng),。

結(jié)合MOSFET和BJT優(yōu)點(diǎn)：IGBT是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管）組成,，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR（雙極功率晶體管）的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn),。GTR飽和壓降低，載流密度大,，但驅(qū)動(dòng)電流較大,；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快,，但導(dǎo)通壓降大,，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低,。

電壓型控制：輸入阻抗大,，驅(qū)動(dòng)功率小，控制電路簡(jiǎn)單,，開(kāi)關(guān)損耗小,，通斷速度快，工作頻率高,，元件容量大,。

電能傳輸與分配：在高壓直流輸電（HVDC）系統(tǒng)中，IGBT 模塊組成的換流器可實(shí)現(xiàn)將交流電轉(zhuǎn)換為直流電進(jìn)行遠(yuǎn)距離傳輸,，然后在受電端再將直流電轉(zhuǎn)換為交流電接入當(dāng)?shù)仉娋W(wǎng),。這樣可以減少電能在傳輸過(guò)程中的損耗，提高輸電效率和可靠性,。此外,，在智能電網(wǎng)的分布式發(fā)電、儲(chǔ)能系統(tǒng)以及微電網(wǎng)中,，IGBT 模塊也起著關(guān)鍵的電能分配和管理作用,，確保電能能夠在不同的電源和負(fù)載之間靈活、高效地傳輸,。

功率放大：在一些需要高功率輸出的設(shè)備中,，如音頻放大器、射頻放大器等,，IGBT 模塊可以將輸入的小功率信號(hào)放大為具有足夠功率的輸出信號(hào),，以驅(qū)動(dòng)負(fù)載工作。例如在專業(yè)音響系統(tǒng)中,，IGBT 模塊組成的功率放大器能夠?qū)⒁纛l信號(hào)放大到足夠的功率,，推動(dòng)揚(yáng)聲器發(fā)出響亮、清晰的聲音,。 罐封技術(shù)保證IGBT模塊在惡劣環(huán)境下的運(yùn)行可靠性,。

高效電能轉(zhuǎn)換：IGBT 模塊能夠?qū)崿F(xiàn)直流到交流（逆變）、交流到直流（整流）以及交直流電壓變換等功能,，且在轉(zhuǎn)換過(guò)程中具有較高的效率,。例如在新能源汽車的充電樁中，它可將電網(wǎng)的交流電轉(zhuǎn)換為適合給汽車電池充電的直流電,，同時(shí)在車載逆變器中,，又能將電池的直流電轉(zhuǎn)換為交流電，為車內(nèi)的空調(diào),、音響等交流設(shè)備供電,。

精確電力控制：IGBT 模塊可以通過(guò)控制其柵極電壓來(lái)精確地控制其導(dǎo)通和關(guān)斷,，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)電路中電流、電壓的精確控制,。在電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中,，通過(guò)調(diào)節(jié) IGBT 模塊的導(dǎo)通時(shí)間和頻率，可以精確控制電機(jī)的轉(zhuǎn)速和扭矩,，使電機(jī)能夠根據(jù)實(shí)際需求高效運(yùn)行,，廣泛應(yīng)用于工業(yè)自動(dòng)化中的電機(jī)調(diào)速、機(jī)器人控制等領(lǐng)域,。 IGBT模塊封裝過(guò)程中焊接技術(shù)影響運(yùn)行時(shí)的傳熱性,。深圳4-pack四單元igbt模塊

IGBT模塊外殼實(shí)現(xiàn)絕緣性能，要求耐高溫,、不易變形,。深圳4-pack四單元igbt模塊

散熱基板：一般由銅制成，因?yàn)殂~具有良好的導(dǎo)熱性,，不過(guò)也有其他材料制成的基板,，例如鋁碳化硅（AlSiC）等。銅基板的厚度通常在3 - 8mm,。它是IGBT模塊的散熱功能結(jié)構(gòu)與通道,，主要負(fù)責(zé)將IGBT芯片工作過(guò)程中產(chǎn)生的熱量快速傳遞出去，以保證模塊的正常工作溫度,，同時(shí)還發(fā)揮機(jī)械支撐與結(jié)構(gòu)保護(hù)的作用,。二極管芯片：通常與IGBT芯片配合使用，其電流方向與IGBT的電流方向相反,。二極管芯片可以在IGBT關(guān)斷時(shí)提供續(xù)流通道，防止電流突變產(chǎn)生過(guò)高的電壓尖峰,，保護(hù)IGBT芯片免受損壞,。深圳4-pack四單元igbt模塊