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用測電阻法判別場效應(yīng)管的好壞：測電阻法是用萬用表測量場效應(yīng)管的源極與漏極、柵極與源極,、柵極與漏極、柵極Ｇ1與柵極Ｇ2之間的電阻值同場效應(yīng)管手冊標(biāo)明的電阻值是否相符去判別管的好壞,。具體方法：首先將萬用表置于Ｒ×１０或Ｒ×100檔,，測量源極Ｓ與漏極Ｄ之間的電阻，通...

二極管基本的工作狀態(tài)是導(dǎo)通和截止兩種,，利用這一特性可以構(gòu)成限幅電路,。所謂限幅電路就是限制電路中某一點(diǎn)的信號幅度大小，讓信號幅度大到一定程度時,，不讓信號的幅度再增大,，當(dāng)信號的幅度沒有達(dá)到限制的幅度時，限幅電路不工作,，具有這種功能的電路稱為限幅電路,，利用二極管來完...

平面型二極管：在半導(dǎo)體單晶片（主要地是N型硅單晶片）上，擴(kuò)散P型雜質(zhì),，利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用,，在N型硅單晶片上光選擇性地?cái)U(kuò)散一部分而形成的PN結(jié)。因此,，不需要為調(diào)整PN結(jié)面積的藥品腐蝕作用,。由于半導(dǎo)體表面被制作得平整，故而得名,。并且，PN結(jié)合的表面,，因被...

場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應(yīng)管,。主要有兩種類型：結(jié)型場效應(yīng)管（junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管（metal-oxide semiconductor FET，簡稱MOS...

晶體三極管（以下簡稱三極管）按材料分有兩種：鍺管和硅管,。而每一種又有NPN和PNP兩種結(jié)構(gòu)形式,，但使用多的是硅NPN和鍺PNP兩種三極管，（其中,，N是負(fù)極的意思（英文中Negative）,，N型半導(dǎo)體在高純度硅中加入磷取代一些硅原子，在電壓刺激下產(chǎn)生自由電子導(dǎo)電...

場效應(yīng)管無標(biāo)示管的判別:首先用測量電阻的方法找出兩個有電阻值的管腳,，也就是源極S和漏極D,，余下兩個腳為點(diǎn)柵極G1和柵極G2,。把先用兩表筆測的源極S與漏極D之間的電阻值記下來，對調(diào)表筆再測量一次,，把其測得電阻值記下來,，兩次測得阻值較大的一次，黑表筆所接的電極為漏...

場效應(yīng)管的應(yīng)用常用的場效應(yīng)晶體管是金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 ,。CMOS (互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)工藝技術(shù)是現(xiàn)代數(shù)字化集成電路的基礎(chǔ),。這種工藝技術(shù)采用一種增強(qiáng)模式設(shè)計(jì)，即p溝道MOSFET和n溝道MOSFET串聯(lián)連接,，使得當(dāng)一個導(dǎo)通時,，另一個閉合。在場效應(yīng)晶...

二極管的發(fā)現(xiàn)和發(fā)展:1874年,，德國物理學(xué)家卡爾·布勞恩在卡爾斯魯厄理工學(xué)院發(fā)現(xiàn)了晶體的整流能力,。因此1906年開發(fā)出的代二極管——“貓須二極管”是由方鉛礦等礦物晶體制成的。20世紀(jì)初,，由于無線電接收器探測器的需要,，熱離子二極管（真空管）和固態(tài)二極管（半導(dǎo)體二...

二極管的發(fā)現(xiàn)和發(fā)展:1874年，德國物理學(xué)家卡爾·布勞恩在卡爾斯魯厄理工學(xué)院發(fā)現(xiàn)了晶體的整流能力,。因此1906年開發(fā)出的代二極管——“貓須二極管”是由方鉛礦等礦物晶體制成的,。20世紀(jì)初，由于無線電接收器探測器的需要,，熱離子二極管（真空管）和固態(tài)二極管（半導(dǎo)體二...

二極管共有兩種工作狀態(tài):截止和導(dǎo)通,。二極管導(dǎo)通與截止有一定的工作條件。二極管導(dǎo)通的條件有兩個：正向偏置電壓,；正向偏置電壓大到一定程度,，對于硅二極管而言為0.6V。只要正向電壓達(dá)到一定的值,，二極管便導(dǎo)通,，導(dǎo)通后二極管相當(dāng)于一個導(dǎo)體，二極管的兩根引腳之間的電阻很小...

NPN型三極管,，穿透電流的測量電路,。根據(jù)這個原理，用萬用電表的黑,、紅表筆顛倒測量兩極間的正,、反向電阻Rce和Rec，雖然兩次測量中萬用表指針偏轉(zhuǎn)角度都很小,，但仔細(xì)觀察,，總會有一次偏轉(zhuǎn)角度稍大，此時電流的流向一定是：黑表筆→c極→b極→e極→紅表筆，電流流向正好...

三極管的發(fā)明晶體三極管出現(xiàn)之前是真空電子三極管在電子電路中以放大,、開關(guān)功能控制電流,。真空電子管存在笨重、耗能,、反應(yīng)慢等缺點(diǎn),。二戰(zhàn)時，上急切需要一種穩(wěn)定可靠,、快速靈敏的電信號放大元件,，研究成果在二戰(zhàn)結(jié)束后獲得。早期,，由于鍺晶體較易獲得,，主要研制應(yīng)用的是鍺晶體三極...

三極管有截止、放大,、飽和三種工作狀態(tài),。放大狀態(tài)主要應(yīng)用于模擬電路中，且用法和計(jì)算方法也比較復(fù)雜,，而數(shù)字電路主要使用的是三極管的開關(guān)特性,，只用到了截止與飽和兩種狀態(tài)。三極管的用法特點(diǎn),，關(guān)鍵點(diǎn)在于B極（基極）和E級（發(fā)射極）之間的電壓情況,，對于NPN 而言，B 極...

正向放大區(qū)（或簡稱放大區(qū)）：當(dāng)發(fā)射結(jié)正向偏置,，集電結(jié)反向偏置時,，晶體管工作在放大區(qū)。大多數(shù)雙極性晶體管的設(shè)計(jì)目標(biāo),，是為了在正向放大區(qū)得到大的共射極電流增益,。晶體管工作在這一區(qū)域時，集電極-發(fā)射極電流與基極電流近似成線性關(guān)系,。由于電流增益的緣故,，當(dāng)基極電流發(fā)生微...

三極管BE結(jié)的非線性（相當(dāng)于一個二極管），基極電流必須在輸入電壓 大到一定程度后才能產(chǎn)生（對于硅管,，常取0.7V）,。當(dāng)基極與發(fā)射極之間的電壓小于0.7V時，基極電流就可以認(rèn)為是0,。但實(shí)際中要放大的信號往往遠(yuǎn)比 0.7V要小，如果不加偏置的話,，這么小的信號就不足...

MOS場效應(yīng)管即金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場效應(yīng)管,，英文縮寫為MOSFET （Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor），屬于絕緣柵型。其主要特點(diǎn)是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層,，因此具有很高的輸...

三極管鍺管的穿透電流比較大,，一般由幾十微安到幾百微安，硅管的穿透電流就比較小,，一般只有零點(diǎn)幾微安到幾微安,。 I ceo 雖然不大，卻與溫度有著密切的關(guān)系,，它們遵循著所謂的“加倍規(guī)則”,，這就是溫度每升高 10℃ ， I ceo 約增大一倍,。例如,，某鍺管在常溫 2...

場效應(yīng)管工作原理用一句話說，就是“漏極-源極間流經(jīng)溝道的ID,， 用柵極與溝道間的pn結(jié)形成的反偏的柵極電壓進(jìn)行控制”,。更正確地說，ID流經(jīng)通路的寬度,，即溝道截面積,，它是由pn結(jié)反偏的變化，產(chǎn)生耗盡層擴(kuò)展變化控制的緣故,。在VGS=0的非飽和區(qū)域,，表示的過渡層的擴(kuò)...

三極管放大電路的原理：信號放大輸入信號Ui經(jīng)C1耦合到VT的基極，使VT的基極電流Ib隨Ui變化而變化,，致使VT的發(fā)射極電流Ie隨之變化,，并且變化量為（1+β）Ib。Ie在R2兩端產(chǎn)生隨之變化的壓降U2,。U2經(jīng)C2耦合后得到交流輸出信號Uo,。由于Uo與Ui的相...

場效應(yīng)管轉(zhuǎn)移特性曲線：柵極電壓對漏極電流的控制稱為轉(zhuǎn)移特性，反映兩者關(guān)系的曲線稱為轉(zhuǎn)移特性曲線,。N溝結(jié)型場效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性曲線如圖,。當(dāng)柵極電壓取出不同的電壓時，漏極電流隨之變化,。當(dāng)柵極電壓=0時,，ID值為場效應(yīng)管飽和漏極電流IDSS；當(dāng)漏極電流=0時,，柵極電壓...

場效應(yīng)晶體管的一個優(yōu)點(diǎn)是它的柵極到主電流電阻高（≥100 MΩ）,，從而使控制和流動彼此。因?yàn)榛鶚O電流噪聲將隨著整形時間而增加,，場效應(yīng)晶體管通常比雙極結(jié)型晶體管 (BJT)產(chǎn)生更少的噪聲,，因此可應(yīng)用于噪聲敏感電子器件，例如調(diào)諧器和用于甚高頻和衛(wèi)星接收機(jī)的低噪聲放...

用測電阻法判別場效應(yīng)管的好壞：測電阻法是用萬用表測量場效應(yīng)管的源極與漏極、柵極與源極,、柵極與漏極,、柵極Ｇ1與柵極Ｇ2之間的電阻值同場效應(yīng)管手冊標(biāo)明的電阻值是否相符去判別管的好壞。具體方法：首先將萬用表置于Ｒ×１０或Ｒ×100檔,，測量源極Ｓ與漏極Ｄ之間的電阻,，通...

場效應(yīng)管的主要參數(shù)：① 開啟電壓VGS（th） （或VT）開啟電壓是MOS增強(qiáng)型管的參數(shù)，柵源電壓小于開啟電壓的好不要值,，場效應(yīng)管不能導(dǎo)通,。② 夾斷電壓VGS（off） （或VP）夾斷電壓是耗盡型FET的參數(shù)，當(dāng)VGS=VGS（off） 時,，漏極電流為零,。③ ...

三極管基極有電流流動時；由于B極和E極之間有正向電壓,，所以電子從發(fā)射極向基極移動,，又因?yàn)镃極和E極間施加了反向電壓，因此,，從發(fā)射極向基極移動的電子,，在高電壓的作用下，通過基極進(jìn)入集電極,。于是,，在基極所加的正電壓的作用下，發(fā)射極的大量電子被輸送到集電極,，產(chǎn)生很大...

開關(guān)二極管開關(guān)特性說開關(guān)二極管同普通的二極管一樣,，也是一個PN結(jié)的結(jié)構(gòu)，不同之處是要求這種二極管的開關(guān)特性要好,。當(dāng)給開關(guān)二極管加上正向電壓時,，二極管處于導(dǎo)通狀態(tài)，相當(dāng)于開關(guān)的通態(tài),；當(dāng)給開關(guān)二極管加上反向電壓時,，二極管處于截止?fàn)顟B(tài)，相當(dāng)于開關(guān)的斷態(tài),。二極管的導(dǎo)通...

場效應(yīng)管使用時應(yīng)注意:（1）器件出廠時通常裝在黑色的導(dǎo)電泡沫塑料袋中,，切勿自行隨便拿個塑料袋裝。也可用細(xì)銅線把各個引腳連接在一起,，或用錫紙包裝,。（2）取出的器件不能在塑料板上滑動，應(yīng)用金屬盤來盛放待用器件,。（3）焊接用的電烙鐵必須良好接地,。（4）在焊接前應(yīng)把電...

小功率晶體二極管判別正,、負(fù)電極（1）觀察外殼上的符號標(biāo)記。通常在二極管的外殼上標(biāo)有二極管的符號,，帶有三角形箭頭的一端為正極，另一端是負(fù)極,。（2）觀察外殼上的色點(diǎn),。在點(diǎn)接觸二極管的外殼上，通常標(biāo)有極性色點(diǎn)(白色或紅色),。一般標(biāo)有色點(diǎn)的一端即為正極,。還有的二極管上...

場效應(yīng)管電阻法測好壞:測電阻法是用萬用表測量場效應(yīng)管的源極與漏極、柵極與源極,、柵極與漏極,、柵極G1與柵極G2之間的電阻值同場效應(yīng)管手冊標(biāo)明的電阻值是否相符去判別管的好壞。具體方法：首先將萬用表置于R×10或R×100檔,，測量源極S與漏極D之間的電阻,，通常在幾十...

場效應(yīng)管屬于電壓控制元件，這一點(diǎn)類似于電子管的三極管,，但它的構(gòu)造與工作原理和電子管是截然不同的,，與雙極型晶體管相比，場效應(yīng)晶體管具有如下特點(diǎn)：（1）場效應(yīng)管是電壓控制器件,，它通過UGS來控制ID,；（2）場效應(yīng)管的輸入端電流極小，因此它的輸入電阻很大,。（3）它是...

二極管在20世紀(jì)20年代由熱離子二極管所取代,。20世紀(jì)50年代，高純度的半導(dǎo)體材料出現(xiàn),。因?yàn)樾鲁霈F(xiàn)的鍺二極管價格便宜,，晶體收音機(jī)重新開始被大規(guī)模使用。貝爾實(shí)驗(yàn)室還開發(fā)了鍺二極管微波接收器,。20世紀(jì)40年代中后期,，美國電話電報(bào)公司在美國四處新建的微波塔上開始應(yīng)用...