極管限幅電路及故障處理:二極管基本的工作狀態(tài)是導通和截止兩種,利用這一特性可以構成限幅電路。所謂限幅電路就是限制電路中某一點的信號幅度大小,,讓信號幅度大到一定程度時,,不讓信號的幅度再增大,,當信號的幅度沒有達到限制的幅度時,限幅電路不工作,具有這種功能的電路稱為...
場效應管電極:所有的FET都有柵極(gate)、漏極(drain),、源極(source)三個端,分別大致對應BJT的基極(base),、集電極(collector)和發(fā)射極(emitter),。除JFET以外,所有的FET也有第四端,,被稱為體(body),、基(ba...
二極管的伏安特性二極管具有單向?qū)щ娦裕O管的伏安特性曲線 ,。在二極管加有正向電壓,,當電壓值較小時,電流極??;當電壓超過0.6V時,電流開始按指數(shù)規(guī)律增大,,通常稱此為二極管的開啟電壓,;當電壓達到約0.7V時,二極管處于完全導通狀態(tài),,通常稱此電壓為二極管的導通電...
場效應管MOSFET工作原理:場效應管的工作原理用一句話說,就是“漏極-源極間流經(jīng)溝道的ID,,利用柵極與溝道間的PN結形成的反偏的柵極點壓控制ID,。”更正確地說,,ID流經(jīng)通路的寬度(溝道橫截面面積),,它是由pn結反偏的變化,產(chǎn)生耗盡層擴展變化控制的緣故,。在VG...
場效應管MOSFET工作原理:場效應管的工作原理用一句話說,,就是“漏極-源極間流經(jīng)溝道的ID,利用柵極與溝道間的PN結形成的反偏的柵極點壓控制ID,?!备_地說,,ID流經(jīng)通路的寬度(溝道橫截面面積),它是由pn結反偏的變化,,產(chǎn)生耗盡層擴展變化控制的緣故,。在VG...
二極管具有陽極和陰極兩個端子,電流只能往單一方向流動,。也就是說,,電流可以從陽極流向陰極,而不能從陰極流向陽極,。對二極管所具備的這種單向特性的應用,,通常稱之為“整流”功能。在真空管內(nèi),,借由電極之間加上的電壓能夠讓熱電子從陰極到達陽極,,因而有整流的作用。將交流電轉...
紅外接收二極管的檢測方法,。1. 識別管腳極性(1)從外觀上識別,。常見的紅外接收二極管外觀顏色呈黑色。識別引腳時,,面對受光窗口,,從左至右,分別為正極和負極,。另外在紅外接收二極管的管體頂端有一個小斜切平面,,通常帶有此斜切平面一端的引腳為負極,另一端為正極,。 (2)...
雙極管共發(fā)射極接法的電壓-電流關系輸入特性曲線簡單地看,,輸入特性曲線類似于發(fā)射結的伏安特性曲線,現(xiàn)討論iB和vBE之間的函數(shù)關系,。因為有集電結電壓的影響,,它與一個單獨的PN結的伏安特性曲線不同。 為了排除vCE的影響,,在討論輸入特性曲線時,,應使vCE=cons...
場效應管的測試判定估測場效應管的放大能力: 將萬用表撥到R×100檔,紅表筆接源極S,,黑表筆接漏極D,相當于給場效應管加上1.5V的電源電壓,。這時表針指示出的是D-S極間電阻值,。然后用手指捏柵極G,將人體的感應電壓作為輸入信號加到柵極上,。由于管子的放大作用,,U...
三極管飽和區(qū)的特點是,,三級管的電流與IB和VCE有關,但是與VCE相關程度更大,,因為可以看到當VCE固定時,,不同的IB變化引起的IC變化不大;但是反過來,,IB固定,,VCE變化一點點就會引起IC劇烈變化,換句話說三極管已經(jīng)飽和了,,已經(jīng)不受控于IB而受控于VCE了...
場效應管的類型:DEPFET 是在完全耗盡的襯底中形成的場效應晶體管,,同時充當傳感器、放大器和存儲器節(jié)點,。它可以用作圖像(光子)傳感器,。FREDFET (快速反向或快速恢復外延二極管場效應晶體管)是一種用于提供非常快速的重啟(關閉)體二極管的特殊的場效應晶體管...
二極管的結構組成:二極管就是由一個PN結加上相應的電極引線及管殼封裝而成的,。 采用不同的摻雜工藝,通過擴散作用,,將P型半導體與N型半導體制作在同一塊半導體(通常是硅或鍺)基片上,,在它們的交界面就形成空間電荷區(qū)稱為PN結。由P區(qū)引出的電極稱為陽極,,N區(qū)引出的電極...
貼片場效應管:1:場效應管是電壓控制器件,,管子的導電情況取決于柵極電壓的高低。晶體管是電流控制器件,,管子的導電情況取決于基極電流的大小,。 2:場效應管漏源靜態(tài)伏安特性以柵極電壓UGS為參變量,晶體管輸出特性曲線以基極電流Ib 為參變量,。3:場效應管電流IDS與...
三極管有90×&TImes;系列,,包括低頻小功率硅管9013(NPN)、9012(PNP),,低噪聲管9014(NPN),,高頻小功率管9018(NPN)等,。它們的型號一般都標在塑殼上,,而樣子都一樣,都是TO-92標準封裝,。在老式的電子產(chǎn)品中還能見到3DG6(低頻...
二極管的發(fā)現(xiàn)和發(fā)展:1874年,,德國物理學家卡爾·布勞恩在卡爾斯魯厄理工學院發(fā)現(xiàn)了晶體的整流能力,。因此1906年開發(fā)出的代二極管——“貓須二極管”是由方鉛礦等礦物晶體制成的。20世紀初,,由于無線電接收器探測器的需要,,熱離子二極管(真空管)和固態(tài)二極管(半導體二...
場效應管以N溝道為例,它是在P型硅襯底上制成兩個高摻雜濃度的源擴散區(qū)N+和漏擴散區(qū)N+,,再分別引出源極S和漏極D,。源極與襯底在內(nèi)部連通,二者總保持等電位,。當漏接電源正極,,源極接電源負極并使VGS=0時,溝道電流(即漏極電流)ID=0,。隨著VGS逐漸升高,,受柵極...
場效應管以N溝道為例,它是在P型硅襯底上制成兩個高摻雜濃度的源擴散區(qū)N+和漏擴散區(qū)N+,,再分別引出源極S和漏極D,。源極與襯底在內(nèi)部連通,二者總保持等電位,。當漏接電源正極,,源極接電源負極并使VGS=0時,溝道電流(即漏極電流)ID=0,。隨著VGS逐漸升高,,受柵極...
二極管在工業(yè)產(chǎn)品應用:經(jīng)過多年來科學家們不懈努力,半導體二極管發(fā)光的應用已逐步得到推廣,,發(fā)光二極管普遍應用于各種電子產(chǎn)品的指示燈,、光纖通信用光源、各種儀表的指示器以及照明,。發(fā)光二極管的很多特性是普通發(fā)光器件所無法比擬的,,主要具有特點有:安全、高效率,、環(huán)保,、壽命...
場效應管傳統(tǒng)的MOS場效應管的柵極、源極和漏極較大致處于同一水平面的芯片上,,其工作電流基本上是沿水平方向流動,。VMOS管則不同,其兩大結構特點:點,,金屬柵極采用V型槽結構,;具有垂直導電性。由于漏極是從芯片的背面引出,,所以ID不是沿芯片水平流動,,而是自重摻雜N+...
二極管一個熱離子二極管就是一個真空管(也稱“電子管”),,由一個包含著兩個電極的密封真空玻璃殼組成:由燈絲加熱的陰極,和一個陽極,。早期產(chǎn)品的外觀和現(xiàn)在的白熾燈泡相當類似,。在操作中,一個單獨的電流通過由鎳鉻合金制成的高電阻燈絲(加熱器),,將陰極加熱到紅熱狀態(tài)(80...
三極管有90×&TImes;系列,,包括低頻小功率硅管9013(NPN)、9012(PNP),,低噪聲管9014(NPN),,高頻小功率管9018(NPN)等。它們的型號一般都標在塑殼上,,而樣子都一樣,,都是TO-92標準封裝。在老式的電子產(chǎn)品中還能見到3DG6(低頻...
二極管的主要原理就是利用PN結的單向?qū)щ娦?,在PN結上加上引線和封裝就成了一個二極管,。晶體二極管為一個由P型半導體和N型半導體形成的PN結,在其界面處兩側形成空間電荷層,,并建有自建電場,。當不存在外加電壓時,由于PN結兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引起...
場效應晶體管可以由各種半導體制成,,其中硅是目前常見的,。大多數(shù)場效應晶體管是使用傳統(tǒng)的批量半導體加工技術并由單晶半導體晶片作為有源區(qū)或溝道制造而成。特殊的基體材料包括非晶硅,、多晶硅,、其他非晶半導體以及薄膜晶體管、有機半導體基有機晶體管(OFET),。有機晶體管的柵...
判別三管極時應首先確認基極,。對于NPN管,用黑表筆接假定的基極,,用紅表筆分別接觸另外兩個極,,若測得電阻都小,約為幾百歐~幾千歐,;而將黑,、紅兩表筆對調(diào),測得電阻均較大,,在幾百千歐以上,,此時黑表筆接的就是基極。PNP管,情況正相反,,測量時兩個PN結都正偏的情況下,...
場效應管大功率電路:(1)為了安全使用場效應管,在線路的設計中不能超過管的耗散功率,較大漏源電壓,、較大柵源電壓和較大電流等參數(shù)的極限值.(2)各類型場效應管在使用時,都要嚴格按要求的偏置接人電路中,要遵守場效應管偏置的極性.如結型場效應管柵源漏之間是PN結,N...
二極管VD1溫度補償電路分析利用二極管的管壓降溫度特性可以正確解釋VD1在電路中的作用,。假設溫度升高,根據(jù)三極管特性可知,,VT1的基極電流會增大一些,。當溫度升高時,二極管VD1的管壓降會下降一些,,VD1管壓降的下降導致VT1基極電壓下降一些,,結果使VT1基極電...
三極管的發(fā)明晶體三極管出現(xiàn)之前是真空電子三極管在電子電路中以放大、開關功能控制電流,。真空電子管存在笨重,、耗能、反應慢等缺點,。二戰(zhàn)時,,上急切需要一種穩(wěn)定可靠、快速靈敏的電信號放大元件,,研究成果在二戰(zhàn)結束后獲得,。早期,由于鍺晶體較易獲得,,主要研制應用的是鍺晶體三極...
場效應晶體管可以由各種半導體制成,,其中硅是目前常見的。大多數(shù)場效應晶體管是使用傳統(tǒng)的批量半導體加工技術并由單晶半導體晶片作為有源區(qū)或溝道制造而成,。特殊的基體材料包括非晶硅,、多晶硅、其他非晶半導體以及薄膜晶體管,、有機半導體基有機晶體管(OFET),。有機晶體管的柵...
三極管電路組成:共射組態(tài)基本放大電路是輸入信號加在基極和發(fā)射極之間,耦合電容器C1和Ce視為對交流信號短路,。輸出信號從集電極對地取出,,經(jīng)耦合電容器C2隔除直流量,將交流信號加到負載電阻RL之上,。放大電路的共射組態(tài)實際上是指放大電路中的三極管是共射組態(tài),。在輸入信...
二極管的光電二極管又稱光敏二極管。它的管殼上備有一個玻璃窗口,,以便于接受光照,。其特點是,當光線照射于它的PN結時,可以成對地產(chǎn)生自由電子和空穴,,使半導體中少數(shù)載流子的濃度提高,,在一定的反向偏置電壓作用下,使反向電流增加,。因此它的反向電流隨光照強度的增加而線性增...