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位于所述晶圓承載機構(gòu)下方設(shè)置有第二光源機構(gòu)?，F(xiàn)有的半導體檢測設(shè)備大都基于暗場照明和熒光激發(fā)照明(pl)兩種方法,，其中暗場照明能夠?qū)崿F(xiàn)對大尺寸表面缺陷的觀察,，pl模式則能實現(xiàn)對亞表面缺陷的觀察,。后期，個別廠商推出的基于共焦照明成像系統(tǒng)的缺陷檢測方案,，實現(xiàn)了對更小尺寸缺陷的檢測,。倏逝場移頻照明能夠?qū)崿F(xiàn)對被檢測樣品表面缺陷更高空間頻譜信息的獲取,，從而實現(xiàn)對更小尺寸缺陷的識別,，但是目前基于移頻照明的缺陷檢測方法和設(shè)備仍未被報道。技術(shù)實現(xiàn)要素：本發(fā)明的目的在于提出一種新型半導體晶圓表面缺陷的快速超高分辨檢測系統(tǒng),。該系統(tǒng)在集成了暗場照明成像模式,、pl成像模式以及共聚焦掃描成像模式的同時,，引入了移頻...

圖32a至圖32c揭示了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的如圖27所示的振幅檢測電路27092的示例。該振幅檢測電路27092示例性包括參考電壓生成電路和比較電路,。如圖32b所示,，參考電壓生成電路使用d/a轉(zhuǎn)換器32118將主控制器26094的數(shù)字輸入信號轉(zhuǎn)換為模擬直流參考電壓vref+和vref-，如圖32c所示,。比較電路使用窗口比較器32114及與門32116來比較電壓衰減電路26090輸出的振幅vin和參考電壓vref+和vref-,。如果衰減后的振幅vin超過參考電壓vref+和/或vref-，那么振幅檢測電路27092發(fā)送報警信號到主機25080,，主機25080接收到報警信號則關(guān)閉聲波發(fā)...

其中該中心凹陷區(qū)域是方形,。在一實施例中，為了讓基板區(qū)域的電阻值降低,，其中在該邊框結(jié)構(gòu)區(qū)域的該***表面至該第二表面的距離,，大于或等于在該凹陷區(qū)域的該***表面至該第二表面的距離的兩倍。在一實施例中,，為了讓基板區(qū)域的電阻值降低,，其中在該邊框結(jié)構(gòu)區(qū)域的該***表面至該第二表面的距離，大于或等于在該***環(huán)狀凹陷區(qū)域或該中心凹陷區(qū)域的該***表面至該第二表面的距離的兩倍,。在一實施例中,，為了讓基板區(qū)域的電阻值降低，其中在該邊框結(jié)構(gòu)區(qū)域的該***表面至該第二表面的距離,，大于或等于在該***內(nèi)框結(jié)構(gòu)區(qū)域的該***表面至該第二表面的距離,。在一實施例中,，為了節(jié)省金屬層的厚度以便節(jié)省成本,，其中該第四表面...

圖32a至圖32c揭示了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的如圖27所示的振幅檢測電路27092的示例,。該振幅檢測電路27092示例性包括參考電壓生成電路和比較電路。如圖32b所示,，參考電壓生成電路使用d/a轉(zhuǎn)換器32118將主控制器26094的數(shù)字輸入信號轉(zhuǎn)換為模擬直流參考電壓vref+和vref-,，如圖32c所示,。比較電路使用窗口比較器32114及與門32116來比較電壓衰減電路26090輸出的振幅vin和參考電壓vref+和vref-。如果衰減后的振幅vin超過參考電壓vref+和/或vref-,，那么振幅檢測電路27092發(fā)送報警信號到主機25080,，主機25080接收到報警信號則關(guān)閉聲波發(fā)...

所述有機胺為二乙烯三胺、五甲基二乙烯三胺,、多乙烯多胺,、乙胺、二乙胺,、三乙胺,、三丙胺，N,，N-二甲基乙醇胺,、N，N-甲基乙基乙醇胺,、N-甲基二乙醇胺和三乙醇胺一種或多種,。所述有機羧酸選自丙二酸、草酸,、乙二胺四乙酸鹽和檸檬酸中的一種或者多種,。所述胍類為四甲基胍、碳酸胍,、醋酸胍、3-胍基丙酸,、聚六亞甲基胍和對胍基苯甲酸,。所述清洗液的pH值為2～5。實施例3一種用于半導體晶圓等離子蝕刻殘留物的清洗液,，其是由如下重量份數(shù)的原料組成：有機溶劑48份,、氟化物12份、氯化物11份,、甲基丙烯酸甲酯6份,、有機胺7份、氨基酸14份,、胍類15份,、苯并三氮唑5份、有機羧酸19份,、硫脲23份和水64份,。所述有機溶...

術(shù)語“安裝”、“相連”,、“連接”,、“固定”等術(shù)語應(yīng)做廣義理解,，例如，可以是固定連接,，也可以是可拆卸連接,，或一體地連接；可以是機械連接,，也可以是電連接,；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連,，可以是兩個元件內(nèi)部的連通,。對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以根據(jù)具體情況理解上述術(shù)語在本發(fā)明中的具體含義,。如圖1所示為一種半導體晶圓表面缺陷的快速檢測系統(tǒng)圖,，包括入射光源101，耦合物鏡102,，***透鏡103,，***104，第二透鏡105,，***濾光片106,，***偏振片107，柱面鏡108,，第三透鏡109,，***相機110，第四透鏡111,，第二偏振片112,，第二濾光片113，偏振分光棱鏡11...

并均勻地到達位于腔室c內(nèi)的半導體晶圓200,。在實際應(yīng)用中,，半導體晶圓干燥設(shè)備100包含多個微波產(chǎn)生器130。一般而言,，微波產(chǎn)生器130平均地環(huán)繞腔室c分布，如此一來,，微波w可均勻地進入腔室c內(nèi),，并均勻地到達位于腔室c內(nèi)的半導體晶圓200，從而促進半導體晶圓200的干燥過程,。舉例而言,，如圖1所示，至少兩個微波產(chǎn)生器130平均地分布于殼體120外側(cè),，使其平均地環(huán)繞腔室c分布,。另外,，應(yīng)當理解的是，本發(fā)明的殼體120基本上可設(shè)置于產(chǎn)業(yè)中現(xiàn)有的單晶圓濕處理設(shè)備(圖未示)上,。一般而言,，單晶圓濕處理設(shè)備具有旋轉(zhuǎn)基座，其用以承載單一片半導體晶圓,，以于單晶圓濕處理設(shè)備內(nèi)對半導體晶圓進行各種處理,。經(jīng)單晶圓...

上述步驟7210至7240可以重復操作以此來縮小內(nèi)爆時間τi的范圍。在知道內(nèi)爆時間τi后,，τ1可以在安全系數(shù)下設(shè)置為小于τi的值,。以下段落用于敘述本實驗的一實例。假設(shè)圖案結(jié)構(gòu)為55nm的多晶硅柵線,，超聲波的頻率為1mhz,，使用prosys制造的超聲波或兆聲波裝置，采用間隙振蕩模式(在pct/cn2008/073471中披露)操作以在晶圓內(nèi)和晶圓間獲得更均勻能量分布,。以下表2總結(jié)了其他試驗參數(shù)以及**終的圖案損傷數(shù)據(jù)：表2在一個試驗中,，當τ1＝2ms(或周期數(shù)為2000)時，前面提到的聲波清洗工藝在55nm的特征尺寸下,，對圖案結(jié)構(gòu)造成的損傷高達1216個點,。當τ1＝(或周期數(shù)為100)時...

本發(fā)明涉及半導體技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種可防熱變形的半導體晶圓切割裝置,。背景技術(shù)：目前,，隨著科技水平的提高，半導體元件被使用的越來越***,，半導體在制作過程中,，其中一項工序為把硅錠通過切割的方式制作成硅晶圓，一般的硅晶圓切割裝置,，是通過電機螺桿傳動送料的，這種送料方式會使硅錠的移動不夠準確,，導致每個晶圓的厚度不均勻,，并且螺桿長時間連續(xù)工作容易發(fā)***熱扭曲變形，**終導致切割位置偏移,，另外,，切割片在連續(xù)切割時，容易發(fā)熱,，導致晶圓受熱變形,，但由于晶圓很薄，無法用直接噴冷卻水的方式冷卻,，會導致晶圓在切割過程中被沖擊變形,。技術(shù)實現(xiàn)要素：本發(fā)明的目的在于提供一種可防熱變形的半導體晶圓切割裝置,，用于...

事實上，材料產(chǎn)業(yè)相關(guān)基礎(chǔ)**技術(shù)早已被國際大廠壟斷,，而基礎(chǔ)**又是材料產(chǎn)業(yè)必備要素,，同時國外廠商又不愿將**出售給中國，因此在基礎(chǔ)**瓶頸的突破上進度緩慢,。人才挑戰(zhàn)突破技術(shù)的關(guān)鍵在于人才,。近期關(guān)于中國集成電路產(chǎn)業(yè)人才短缺和人才挖角有諸多討論，根據(jù)統(tǒng)計,，截止2020年中國集成電路產(chǎn)業(yè)中高階人才缺口將突破10萬人,，中國半導體材料產(chǎn)業(yè)多年來發(fā)展緩慢，與其人才儲備嚴重不足息息相關(guān),。目前**已為半導體材料產(chǎn)業(yè)***政策和資金障礙,，下一步將著重解決人才引進和人才培養(yǎng)方面的問題。認證挑戰(zhàn)與半導體材料認證緊密相連的就是產(chǎn)品良率,，良率好壞決定代工廠直接競爭力,，因此各中下游代工制造廠商對上游材料的認證非常...

所述有機胺為二乙烯三胺、五甲基二乙烯三胺,、多乙烯多胺,、乙胺、二乙胺,、三乙胺,、三丙胺，N,，N-二甲基乙醇胺,、N，N-甲基乙基乙醇胺,、N-甲基二乙醇胺和三乙醇胺一種或多種,。所述有機羧酸選自丙二酸、草酸,、乙二胺四乙酸鹽和檸檬酸中的一種或者多種,。所述胍類為四甲基胍、碳酸胍,、醋酸胍,、3-胍基丙酸、聚六亞甲基胍和對胍基苯甲酸,。所述清洗液的pH值為2～5,。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果是：本發(fā)明的清洗液能有效***金屬污染物的殘留問題,，同時對金屬和非金屬的腐蝕速率較小,，有效改善了一般氟類清洗液不能同時控制金屬和非金屬腐蝕速率的問題,，提高化學清洗質(zhì)量；對殘留物的清洗時間明顯縮短,，效率提高,；由于不存在...

該***內(nèi)框結(jié)構(gòu)區(qū)域完全包圍該第二環(huán)狀凹陷區(qū)域，該第二環(huán)狀凹陷區(qū)域完全包圍該第二內(nèi)框結(jié)構(gòu)區(qū)域,。進一步的,，為了保護該金屬層，并且降低物理應(yīng)力與熱應(yīng)力的影響,，該基板結(jié)構(gòu)更包含：一樹酯層,，具有相對應(yīng)的一第五表面與一第六表面，其中該第五表面的形狀相應(yīng)于該第四表面,。進一步的,，為了讓基板結(jié)構(gòu)所承載的半導體組件的設(shè)計簡化，其中該邊框結(jié)構(gòu)區(qū)域依序包含***邊結(jié)構(gòu)區(qū)域,、第二邊結(jié)構(gòu)區(qū)域,、第三邊結(jié)構(gòu)區(qū)域與第四邊結(jié)構(gòu)區(qū)域，該***邊結(jié)構(gòu)區(qū)域與該第三邊結(jié)構(gòu)區(qū)域的寬度相同,。進一步的,，為了讓基板結(jié)構(gòu)所承載的半導體組件的設(shè)計更加簡化，其中該***邊結(jié)構(gòu)區(qū)域,、該第二邊結(jié)構(gòu)區(qū)域,、該第三邊結(jié)構(gòu)區(qū)域與該第四邊結(jié)構(gòu)區(qū)域的寬度相...

結(jié)構(gòu)500所包含的該金屬層510的第四表面514并不是像該結(jié)構(gòu)400所包含的該金屬層310的第四表面314一樣是平面。第四表面514的剖面相應(yīng)于該金屬層的第三表面513的剖面,。該金屬層510的第四表面514與該晶圓層320的***表面321的**短距離,，要小于該金屬層310的第四表面314與該晶圓層320的***表面321的**短距離。由于該結(jié)構(gòu)500的金屬層510的大部分比該結(jié)構(gòu)400的金屬層310的大部分較薄,，因此可以節(jié)省金屬本身的成本,，也可以節(jié)省制作該金屬層510的步驟的成本。請參考圖5b所示,，其為根據(jù)本申請一實施例的半導體基板的結(jié)構(gòu)500的剖面示意圖,。圖5b所示的實施例是圖5a...

因為清洗液的溫度遠低于氣體和/或蒸汽溫度。在一些實施例中,，直流輸出的振幅，可以是正的也可以是負的,，可以大于(圖片中未顯示),，等于(如圖16a和16b所示)或小于(如圖16c所示)在τ1時間段內(nèi)用于在清洗液中制造氣穴振蕩的電源輸出功率p1。圖17揭示了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的晶圓清洗工藝,。該晶圓清洗工藝也與圖7a-7e所示的相類似,，除了圖7d所示的步驟7050,。該晶圓清洗工藝使電源輸出的相位反相，同時保持在時間段τ1內(nèi)施加的相同頻率f1,，因此,，氣泡氣穴振蕩能夠迅速停止。結(jié)果,，氣泡內(nèi)氣體和/或蒸汽的溫度開始降低,，因為清洗液的溫度遠低于氣體和/或蒸汽溫度。參考圖17所示,，在τ2時間段內(nèi)電源輸...

半導體晶圓和設(shè)備康耐視解決方案支持晶圓和半導體設(shè)備制造過程RelatedProductsIn-Sight視覺系統(tǒng)擁有高級機器視覺技術(shù)的簡單易用的工業(yè)級智能相機固定式讀碼器使用簡單且成本媲美激光掃描儀的視覺讀碼器,。康耐視機器視覺解決方案是從晶圓制造到集成電路(IC)封裝和安裝的半導體設(shè)備制造流程中必備模塊,?？的鸵暪ぞ吣芴幚?**的集成電路(IC)封裝類型，包括引線工件,、系統(tǒng)芯片(SoC)和微機電系統(tǒng)(MEMS)設(shè)備,，并可在裝配過程中提供可追溯性。視覺工具在非常具挑戰(zhàn)的環(huán)境下定位晶圓,、晶片和包裝特征,，并可檢測低對比度圖像和有噪音的圖像、可變基準圖案和其他零件差異,?？的鸵曋С志A和半導體設(shè)備...

所述拉桿45向上延伸部分伸出外界，且其頂面固設(shè)有手握球46,，所述限制塊39頂面與所述滑動腔43的頂壁之間固定安裝有彈簧44,，當所述橫條33帶動所述第二齒牙34向上移動時，所述第二齒牙34可抵接所述限制塊39,，并使所述限制塊39向上移動,，進而可使所述限制塊39離開所述限制腔42，則可使所述滑塊47能夠正常向左移動,，當所述滑塊47需要向右移動時,，手動向上拉動所述手握球46，使所述限制塊39向上移動,，并手動向右拉動所述手拉塊40,，則所述橫板41可帶動所述滑塊47向右移動。另外,，在一個實施例中,，所述升降塊15的內(nèi)壁里固嵌有第二電機16，所述第二電機16的右側(cè)面動力連接設(shè)有切割軸51，所述切割片...

本發(fā)明是關(guān)于一種半導體晶圓干燥設(shè)備,。背景技術(shù)：半導體產(chǎn)業(yè)涉及各種制造與測試過程,，而其中一些過程涉及化學處理。在化學處理過程中,，化學溶液接觸晶圓并與其發(fā)生反應(yīng),。在化學處理后，以去離子水(deionizedwater,，diw)對晶圓進行清洗處理,，應(yīng)接著先干燥晶圓以避免晶圓損壞，并維持接下來的過程中的執(zhí)行精細度,。技術(shù)實現(xiàn)要素：本發(fā)明的一方面是在于提出一種可簡化半導體晶圓干燥的過程并有效降低作業(yè)成本的半導體晶圓干燥設(shè)備,。依據(jù)本發(fā)明的一實施方式，一種半導體晶圓干燥設(shè)備包含基座,、殼體以及微波產(chǎn)生器,。基座被配置成承載半導體晶圓,。殼體與基座形成被配置成容納半導體晶圓的腔室,。殼體具有遠離基座的排氣口。微...

所述拉桿45向上延伸部分伸出外界,，且其頂面固設(shè)有手握球46,，所述限制塊39頂面與所述滑動腔43的頂壁之間固定安裝有彈簧44，當所述橫條33帶動所述第二齒牙34向上移動時,，所述第二齒牙34可抵接所述限制塊39,，并使所述限制塊39向上移動，進而可使所述限制塊39離開所述限制腔42,，則可使所述滑塊47能夠正常向左移動,，當所述滑塊47需要向右移動時，手動向上拉動所述手握球46,，使所述限制塊39向上移動,，并手動向右拉動所述手拉塊40，則所述橫板41可帶動所述滑塊47向右移動,。另外,，在一個實施例中，所述升降塊15的內(nèi)壁里固嵌有第二電機16,，所述第二電機16的右側(cè)面動力連接設(shè)有切割軸51,，所述切割片...

在步驟10010中，將超聲波或兆聲波裝置置于晶圓的上表面附近,。在步驟10020中,，將清洗液,，可以是化學液或摻了氣體的水噴射到晶圓表面以填滿晶圓和聲波裝置之間的間隙。在步驟10030中,，卡盤攜帶晶圓開始旋轉(zhuǎn)以進行清洗工藝。在步驟10040中,，頻率為f1以及功率水平為p1的電源被應(yīng)用于聲波裝置,。在步驟10050中，當頻率保持在f1時,，電源的功率水平在氣泡內(nèi)氣體和/或蒸汽的溫度達到內(nèi)爆溫度ti之前,，或在時間τ1達到由公式(11)計算的τi之前，降低到p2,。在步驟10060中,，氣泡內(nèi)氣體和/或蒸汽溫度降至接近室溫t0或持續(xù)時間達到τ2后，電源的功率水平恢復到p1,。在步驟10070中,，檢查晶圓的...

在氣泡內(nèi)的氣體和/或蒸汽溫度降至室溫t0或達到時間段τ2后(在時間段τ2內(nèi)，設(shè)置電源輸出為零),，電源輸出恢復至頻率f1及功率水平p1,。在步驟15270中，檢查晶圓的清潔度,，如果晶圓尚未清潔到所需程度,，則重復步驟15210-15260?；蛘?，可能不需要在每個周期內(nèi)檢查清潔度，取而代之的是,，使用的周期數(shù)可能是預先用樣品晶圓通過經(jīng)驗確定,。參考圖15d所示，氣泡內(nèi)氣體和/或蒸汽的溫度不需要冷卻至室溫t0,，但是**好使溫度冷卻至遠低于內(nèi)爆溫度ti,。此外，在步驟15250中,，只要氣泡膨脹力不破壞或損壞圖案結(jié)構(gòu)15034,，氣泡的尺寸可以略大于圖案結(jié)構(gòu)15034的間距w。參考圖15d所示,，步驟1524...

氣泡內(nèi)氣體或蒸汽的溫度不需要冷卻至室溫或清洗液的溫度,。它可以是高于室溫或清洗液溫度的一定溫度。較佳地,，該溫度是明顯低于內(nèi)爆溫度ti,。根據(jù)公式(8)和(9),，如果已知(δt-δt)，可以計算出內(nèi)爆時間τi,。但通常情況下,，(δt-δt)不太容易被計算出或直接得到。然而可以憑經(jīng)驗直接得到τi的值,。圖7e揭示了根據(jù)經(jīng)驗得出內(nèi)爆時間τi值的流程圖,。在步驟7210中，基于表1,，選擇五個不同的時間段τ1作為實驗設(shè)定(doe)的條件,。在步驟7220中，選擇至少是τ1十倍的時間段τ2,，在***次測試時**好是100倍的τ1,。在步驟7230中，使用確定的功率水平p0運行以上五種條件來分別清洗具有圖案結(jié)構(gòu)的...

該中心凹陷區(qū)域位于該***內(nèi)框結(jié)構(gòu)區(qū)域當中,，該***環(huán)狀凹陷區(qū)域位于該邊框結(jié)構(gòu)區(qū)域當中,。進一步的，為了更彌補較薄晶圓層的結(jié)構(gòu)強度,，其中該***芯片區(qū)域更包含該屏蔽層未覆蓋的一第二環(huán)狀凹陷區(qū)域與該屏蔽層覆蓋的一第二內(nèi)框結(jié)構(gòu)區(qū)域,，該***內(nèi)框結(jié)構(gòu)區(qū)域完全包圍該第二環(huán)狀凹陷區(qū)域，該第二環(huán)狀凹陷區(qū)域包圍該第二內(nèi)框結(jié)構(gòu)區(qū)域,，該第二內(nèi)框結(jié)構(gòu)區(qū)域包圍該中心凹陷區(qū)域,。進一步的，為了保護該金屬層,，并且降低物理應(yīng)力與熱應(yīng)力的影響,，該晶圓制造方法更包含：在該金屬層上涂布樹酯層。進一步的,，為了使用晶圓級芯片制造技術(shù)來加速具有上述基板結(jié)構(gòu)的芯片制作,，上述的各步驟是針對該晶圓層的該多個芯片區(qū)域同時施作。進一步的,，...

為了盡可能地利用晶圓的面積來制作不同芯片,，其中該半導體晶圓當中預定切割出一第二芯片區(qū)域，包含如該***芯片區(qū)域相同的該基板結(jié)構(gòu),，該***芯片區(qū)域與該第二芯片區(qū)域的形狀不同,。進一步的，為了使用晶圓級芯片制造技術(shù)來加速具有上述基板結(jié)構(gòu)的芯片制作,，其中該半導體晶圓當中預定切割出多個芯片區(qū)域,，該多個芯片區(qū)域當中的每一個都包含如該***芯片區(qū)域相同的該基板結(jié)構(gòu)，該多個芯片區(qū)域當中的每一個芯片區(qū)域和該***芯片區(qū)域的形狀都相同,。根據(jù)本申請的一方案,，提供一種晶圓制造方法,，其特征在于，包含：據(jù)所欲切割的多個芯片區(qū)域的大小與圖樣,，在一晶圓層的一第二表面上涂布屏蔽層,，在該多個芯片區(qū)域其中的一***芯片區(qū)域...

氣穴振蕩是一種混沌現(xiàn)象?？栈瘹馀莸漠a(chǎn)生及其破裂受到很多物理參數(shù)的影響,。這些猛烈的氣穴振蕩例如不穩(wěn)定的氣穴振蕩或微噴射將損傷這些圖案結(jié)構(gòu)(鰭結(jié)構(gòu)、槽和通孔),。在傳統(tǒng)的超聲波或兆聲波清洗過程中，只有當功率足夠高,，例如大于5-10瓦時,，才會產(chǎn)生***的顆粒去除效率(“pre”)。然而,，當功率大于約2瓦時,，晶圓開始有明顯的損傷。因此,，很難找到功率窗口使得晶圓在被有效清洗時避免重大的損傷,。因此，維持穩(wěn)定或可控的氣穴振蕩是控制聲波機械力低于損傷限度而仍然能夠有效地去除圖案結(jié)構(gòu)中的雜質(zhì)顆粒的關(guān)鍵,。因此,，提供一種系統(tǒng)和方法，用于控制在晶圓清洗過程中由超聲波或兆聲波設(shè)備產(chǎn)生的氣泡氣穴振蕩,，以便能夠有效地...

該***邊結(jié)構(gòu)區(qū)域與該第三邊結(jié)構(gòu)區(qū)域的寬度相同,。進一步的，為了讓基板結(jié)構(gòu)所承載的半導體組件的設(shè)計更加簡化,，其中該***邊結(jié)構(gòu)區(qū)域,、該第二邊結(jié)構(gòu)區(qū)域、該第三邊結(jié)構(gòu)區(qū)域與該第四邊結(jié)構(gòu)區(qū)域的寬度相同,。進一步的,，為了讓基板結(jié)構(gòu)適應(yīng)所承載的半導體組件的不同設(shè)計，其中該邊框結(jié)構(gòu)區(qū)域依序包含***邊結(jié)構(gòu)區(qū)域,、第二邊結(jié)構(gòu)區(qū)域,、第三邊結(jié)構(gòu)區(qū)域與第四邊結(jié)構(gòu)區(qū)域，該***邊結(jié)構(gòu)區(qū)域與該第三邊結(jié)構(gòu)區(qū)域的寬度不同,。進一步的,，為了讓基板結(jié)構(gòu)適應(yīng)所承載的半導體組件的具有更大的設(shè)計彈性，其中該***邊結(jié)構(gòu)區(qū)域,、該第二邊結(jié)構(gòu)區(qū)域,、該第三邊結(jié)構(gòu)區(qū)域與該第四邊結(jié)構(gòu)區(qū)域的寬度均不相同,。進一步的，為了配合大多數(shù)矩形芯片的形狀,，...

用于集成電路生產(chǎn)的材料依然以進口為主,，中國生產(chǎn)替代空間非常龐大。未來隨著多條中國新建晶圓制造產(chǎn)線陸續(xù)投產(chǎn),，預計2018年將為中國當?shù)匕雽w材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展帶來新契機,。未來中國半導體材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢將從兩方面同步進行：集中優(yōu)勢資源，針對各類別半導體材料,，以一部分大廠為首,，進行資源再整合；建立完善的半導體材料體系,，加快**材料的研發(fā),，實現(xiàn)中國國產(chǎn)替代。中國半導體材料產(chǎn)業(yè)雖然克服了政策和資金的障礙,，但仍面對來自技術(shù),、人才與客戶認證等方面的嚴峻挑戰(zhàn)。未來產(chǎn)業(yè)將著重解決以下問題：基礎(chǔ)**瓶頸突破進展緩慢,、半導體材料人才儲備和培養(yǎng)嚴重不足,、聯(lián)合**協(xié)調(diào)作用，以及率先突破當?shù)卣J證關(guān)卡,。目前中國半導體材料...

功率為p1時檢測到的通電時間和預設(shè)時間τ1進行比較,，如果檢測到的通電時間比預設(shè)時間τ1長，檢測電路發(fā)送報警信號到主機,，主機接收到報警信號則關(guān)閉超聲波或兆聲波電源,；檢測電路還比較檢測到的斷電時間和預設(shè)時間τ2，如果檢測到的斷電時間比預設(shè)時間τ2短,，檢測電路發(fā)送報警信號到主機,，主機接收到報警信號則關(guān)閉超聲波或兆聲波電源。在一個實施例中,，超聲波或兆聲波裝置與噴頭相結(jié)合并置于半導體基板附近,，超聲波或兆聲波裝置的能量通過噴頭噴出的液柱傳遞到半導體基板。本發(fā)明提供了另一種使用超聲波或兆聲波清洗半導體基板的裝置,，包括卡盤,、超聲波或兆聲波裝置、至少一個噴頭,、超聲波或兆聲波電源,、主機和檢測電路?？ūP支撐...

本申請還提供具有上述基板結(jié)構(gòu)的半導體晶圓,，以及制作上述基板結(jié)構(gòu)的晶圓制造方法,。根據(jù)本申請的方案，提供具有邊框結(jié)構(gòu)的基板結(jié)構(gòu),、半導體晶圓,、以及晶圓制作方法。根據(jù)本申請的一方案,，提供一種承載半導體組件的基板結(jié)構(gòu),，其特征在于，包含：一晶圓層,，具有相對應(yīng)的一***表面與一第二表面,，其中該第二表面具有向該***表面凹陷的一中心凹陷區(qū)域，該中心凹陷區(qū)域位于該第二表面當中,，使得該晶圓層的一邊框結(jié)構(gòu)區(qū)域環(huán)繞在該第二表面周圍,；以及一金屬層，具有相對應(yīng)的一第三表面與一第四表面,，該第三表面完全貼合于該第二表面。進一步的,，為了彌補較薄晶圓層的結(jié)構(gòu)強度,，其中該第二表面更包含具有向該***表面凹陷的一***環(huán)狀凹...

所述有機胺為二乙烯三胺、五甲基二乙烯三胺,、多乙烯多胺,、乙胺、二乙胺,、三乙胺,、三丙胺，N,，N-二甲基乙醇胺,、N，N-甲基乙基乙醇胺,、N-甲基二乙醇胺和三乙醇胺一種或多種,。所述有機羧酸選自丙二酸、草酸,、乙二胺四乙酸鹽和檸檬酸中的一種或者多種,。所述胍類為四甲基胍、碳酸胍,、醋酸胍,、3-胍基丙酸、聚六亞甲基胍和對胍基苯甲酸,。所述清洗液的pH值為2～5,。實施例3一種用于半導體晶圓等離子蝕刻殘留物的清洗液,，其是由如下重量份數(shù)的原料組成：有機溶劑48份、氟化物12份,、氯化物11份,、甲基丙烯酸甲酯6份、有機胺7份,、氨基酸14份,、胍類15份、苯并三氮唑5份,、有機羧酸19份,、硫脲23份和水64份。所述有機溶...

清洗液中的氣泡可以在每次***時段的清洗后充分冷卻,，以避免損傷晶圓,。根據(jù)以下實施例的詳細描述，本發(fā)明的其他方面,、特征及技術(shù)對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員將是顯而易見的,。附圖說明構(gòu)成本說明書一部分的附圖被包括以描述本發(fā)明的某些方面。對本發(fā)明以及本發(fā)明提供的系統(tǒng)的組成和操作的更清楚的概念,，通過參考示例將變得更加顯而易見,，因此，非限制性的,，在附圖中示出的實施例,，其中類似的附圖標記(如果它們出現(xiàn)在一個以上的視圖)指定相同的元件，通過參考這些附圖中的一個或多個附圖并結(jié)合本文給出的描述,，可以更好地理解本發(fā)明,，應(yīng)當注意，附圖中示出的特征不是必須按比例繪制,。圖1a至圖1b揭示了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的使用超聲波...