清洗液中的氣泡可以在每次***時段的清洗后充分冷卻,，以避免損傷晶圓,。根據(jù)以下實(shí)施例的詳細(xì)描述,，本發(fā)明的其他方面,、特征及技術(shù)對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員將是顯而易見的。附圖說明構(gòu)成本說明書一部分的附圖被包括以描述本發(fā)明的某些方面,。對本發(fā)明以及本發(fā)明提供的系統(tǒng)的組成和操作的更清楚的概念,，通過參考示例將變得更加顯而易見，因此,，非限制性的,，在附圖中示出的實(shí)施例，其中類似的附圖標(biāo)記(如果它們出現(xiàn)在一個以上的視圖)指定相同的元件,，通過參考這些附圖中的一個或多個附圖并結(jié)合本文給出的描述,，可以更好地理解本發(fā)明，應(yīng)當(dāng)注意,，附圖中示出的特征不是必須按比例繪制,。圖1a至圖1b揭示了根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的使用超聲波或兆聲波裝置的晶圓清洗裝置。圖2a至圖2g揭示了不同形狀的超聲波或兆聲波換能器,。圖3揭示了在晶圓清洗過程中氣泡內(nèi)爆,。圖4a至圖4b揭示了在晶圓清洗過程中不穩(wěn)定的氣穴振蕩損傷晶圓上的圖案結(jié)構(gòu)。圖5a至圖5c揭示了在聲波清洗晶圓過程中氣泡內(nèi)部熱能變化,。圖6a至圖6c揭示了在聲波清洗晶圓過程中**終發(fā)生微噴射,。圖7a至圖7e揭示了根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的聲波晶圓清洗工藝。圖8a至圖8d揭示了根據(jù)本發(fā)明的另一個實(shí)施例的聲波晶圓清洗工藝,。成都8寸半導(dǎo)體晶圓厚度多少,？四川全球半導(dǎo)體晶圓

    本申請還提供具有上述基板結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體晶圓，以及制作上述基板結(jié)構(gòu)的晶圓制造方法,。根據(jù)本申請的方案,，提供具有邊框結(jié)構(gòu)的基板結(jié)構(gòu)、半導(dǎo)體晶圓,、以及晶圓制作方法,。根據(jù)本申請的一方案，提供一種承載半導(dǎo)體組件的基板結(jié)構(gòu),，其特征在于,，包含：一晶圓層，具有相對應(yīng)的一***表面與一第二表面，其中該第二表面具有向該***表面凹陷的一中心凹陷區(qū)域,，該中心凹陷區(qū)域位于該第二表面當(dāng)中,，使得該晶圓層的一邊框結(jié)構(gòu)區(qū)域環(huán)繞在該第二表面周圍；以及一金屬層,，具有相對應(yīng)的一第三表面與一第四表面,，該第三表面完全貼合于該第二表面。進(jìn)一步的,，為了彌補(bǔ)較薄晶圓層的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度,，其中該第二表面更包含具有向該***表面凹陷的一***環(huán)狀凹陷區(qū)域，該***環(huán)狀凹陷區(qū)域與該中心凹陷區(qū)域位于該第二表面當(dāng)中,，使得該晶圓層在該***環(huán)狀凹陷區(qū)域與該中心凹陷區(qū)域之間形成環(huán)狀的一***內(nèi)框結(jié)構(gòu)區(qū)域,。進(jìn)一步的，為了更彌補(bǔ)較薄晶圓層的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度,，其中該第二表面更具有向該***表面凹陷的第二環(huán)狀凹陷區(qū)域,，該第二環(huán)狀凹陷區(qū)域位于該第二表面當(dāng)中，使得該晶圓層在該第二環(huán)狀凹陷區(qū)域與該中心凹陷區(qū)域之間形成環(huán)狀的一第二內(nèi)框結(jié)構(gòu)區(qū)域,，該***環(huán)狀凹陷區(qū)域完全包含環(huán)狀的該***內(nèi)框結(jié)構(gòu)區(qū)域,。天津半導(dǎo)體晶圓誠信合作國內(nèi)半導(dǎo)體晶圓 代工公司,硅晶圓片工藝技術(shù)!

    提供具有邊框結(jié)構(gòu)的基板結(jié)構(gòu)、半導(dǎo)體晶圓,、以及晶圓制作方法,。根據(jù)本申請的一實(shí)施例，提供一種承載半導(dǎo)體組件的基板結(jié)構(gòu),，其特征在于,，包含：一晶圓層，具有相對應(yīng)的一***表面與一第二表面,，其中該第二表面具有向該***表面凹陷的一中心凹陷區(qū)域,，該中心凹陷區(qū)域位于該第二表面當(dāng)中，使得該晶圓層的一邊框結(jié)構(gòu)區(qū)域環(huán)繞在該第二表面周圍,；以及一金屬層,，具有相對應(yīng)的一第三表面與一第四表面，該第三表面完全貼合于該第二表面,。在一實(shí)施例中,，為了彌補(bǔ)較薄晶圓層的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度，其中該第二表面更包含具有向該***表面凹陷的一***環(huán)狀凹陷區(qū)域,，該***環(huán)狀凹陷區(qū)域與該中心凹陷區(qū)域位于該第二表面當(dāng)中,，使得該晶圓層在該***環(huán)狀凹陷區(qū)域與該中心凹陷區(qū)域之間形成環(huán)狀的一***內(nèi)框結(jié)構(gòu)區(qū)域,。在一特定實(shí)施例中,，為了更彌補(bǔ)較薄晶圓層的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度，其中該第二表面更具有向該***表面凹陷的第二環(huán)狀凹陷區(qū)域，該第二環(huán)狀凹陷區(qū)域位于該第二表面當(dāng)中,，使得該晶圓層在該第二環(huán)狀凹陷區(qū)域與該中心凹陷區(qū)域之間形成環(huán)狀的一第二內(nèi)框結(jié)構(gòu)區(qū)域,，該***環(huán)狀凹陷區(qū)域完全包含環(huán)狀的該***內(nèi)框結(jié)構(gòu)區(qū)域，該***內(nèi)框結(jié)構(gòu)區(qū)域完全包圍該第二環(huán)狀凹陷區(qū)域,，該第二環(huán)狀凹陷區(qū)域完全包圍該第二內(nèi)框結(jié)構(gòu)區(qū)域,。

    揭示了根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的使用超聲波或兆聲波裝置的晶圓清洗裝置。圖1a揭示了晶圓清洗裝置的剖視圖,。該裝置包括用于保持晶圓1010的晶圓卡盤1014,，用于驅(qū)動晶圓卡盤1014的轉(zhuǎn)動驅(qū)動裝置1016，用于輸送清洗液1032至晶圓1010表面的噴頭1012,。清洗液1032可以是化學(xué)試劑或去離子水,。晶圓清洗裝置還包括位于晶圓1010上方的超聲波或兆聲波裝置1003，因此,，隨著晶圓1010的旋轉(zhuǎn)以及從噴頭1012內(nèi)噴出的恒定流量的清洗液1032,，在晶圓1010和聲波裝置1003之間保持具有厚度d的清洗液1032液膜。聲波裝置1003進(jìn)一步包括壓電式傳感器1004及與其配對的聲學(xué)共振器1008,。壓電式傳感器1004通電后振動,，聲學(xué)共振器1008會將高頻聲能量傳遞到清洗液1032中。由高頻聲能引起氣穴振蕩使得晶圓1010表面上的雜質(zhì)顆粒,，也就是污染物等松動,，以此去除晶圓1010表面上的污染物。再次參考圖1a所示,，晶圓清洗裝置還包括與聲波裝置1003相連接的臂1007以在豎直方向z上移動聲波裝置1003,，從而改變液膜厚度d。豎直驅(qū)動裝置1006驅(qū)動臂1007的豎直移動,。豎直驅(qū)動裝置1006和轉(zhuǎn)動驅(qū)動裝置1016都由控制器1088控制,。參考圖1b所示，揭示了圖1a所示的晶圓清洗裝置的頂視圖,。聲波裝置1003*覆蓋晶圓1010的一小部分區(qū)域,。西安怎么樣半導(dǎo)體晶圓?

    位于所述晶圓承載機(jī)構(gòu)下方設(shè)置有第二光源機(jī)構(gòu)。現(xiàn)有的半導(dǎo)體檢測設(shè)備大都基于暗場照明和熒光激發(fā)照明(pl)兩種方法,，其中暗場照明能夠?qū)崿F(xiàn)對大尺寸表面缺陷的觀察,，pl模式則能實(shí)現(xiàn)對亞表面缺陷的觀察。后期,，個別廠商推出的基于共焦照明成像系統(tǒng)的缺陷檢測方案,，實(shí)現(xiàn)了對更小尺寸缺陷的檢測。倏逝場移頻照明能夠?qū)崿F(xiàn)對被檢測樣品表面缺陷更高空間頻譜信息的獲取,，從而實(shí)現(xiàn)對更小尺寸缺陷的識別,，但是目前基于移頻照明的缺陷檢測方法和設(shè)備仍未被報道。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本發(fā)明的目的在于提出一種新型半導(dǎo)體晶圓表面缺陷的快速超高分辨檢測系統(tǒng)。該系統(tǒng)在集成了暗場照明成像模式,、pl成像模式以及共聚焦掃描成像模式的同時,，引入了移頻照明缺陷檢測方法，實(shí)現(xiàn)了對更小尺寸缺陷的快速高分辨成像,。移頻照明缺陷檢測方法的原理是通過在半導(dǎo)體晶圓表面引入移頻照明倏逝場,，利用波導(dǎo)表面倏逝場與缺陷微結(jié)構(gòu)的相互作用，實(shí)現(xiàn)對缺陷信息的遠(yuǎn)場接收成像,。利用該成像方法可實(shí)現(xiàn)對波導(dǎo)表面缺陷的大視場照明和快速顯微成像,。一種半導(dǎo)體晶圓表面缺陷的快速超高分辨檢測系統(tǒng)，包括：照明光源,，以及布置所述照明光源的光路上耦合物鏡,、偏振片、偏振分光棱鏡,、平面單晶,、二向色鏡和顯微物鏡。半導(dǎo)體晶圓信息匯總,。成都半導(dǎo)體晶圓模具

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    也不限定這些芯片采用同一種剖面設(shè)計,，更不限定使用同一種基板結(jié)構(gòu)。在執(zhí)行晶圓級芯片封裝時,，可以根據(jù)同一片晶圓上所欲切割的芯片的設(shè)計,，來對該片晶圓執(zhí)行特定的制程。請參考圖15所示,，其為根據(jù)本申請一實(shí)施例的晶圓制作方法1500的前列程示意圖,。圖15所示的晶圓制作方法1500可以是晶圓級芯片封裝方法的一部分。該晶圓級芯片封裝方法可以是先在一整片晶圓上進(jìn)行制作,、封裝與測試,，然后經(jīng)切割后，再將芯片放置到個別印刷電路板的過程,。本申請所欲保護(hù)的部分之一是在封裝測試之前,，針對于基板結(jié)構(gòu)的制作方法。當(dāng)然本申請也想要保護(hù)一整套的晶圓級芯片封裝方法,。圖15的晶圓制作方法1500所作出的芯片,，可以包含圖3~14所述的各種基板結(jié)構(gòu)與剖面。請再參考圖16a~16j,，其為根據(jù)本申請實(shí)施例的晶圓制作過程的各階段的剖面示意圖,。圖16a~16j的各圖是針對晶圓當(dāng)中的某一個芯片來繪制。在說明圖15的各步驟時,，可以參考圖16a~16j的各圖,。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解到雖然圖16a~16j是針對一個芯片的剖面進(jìn)行繪制,，但可以根據(jù)晶圓的設(shè)計，普遍地適用于整個晶圓,。另外，在圖16a~16j當(dāng)中,，主要是針對基板結(jié)構(gòu)1000來繪制,。但本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解到。四川全球半導(dǎo)體晶圓

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