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原因是導(dǎo)通電阻小，且容易,。所以開關(guān)電源和馬達(dá)驅(qū)動的應(yīng)用中,，一般都用NMOS。下面的介紹中,，也多以NMOS為主,。在使用MOS管設(shè)計開關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動電路的時候，大部分人都會考慮MOS的導(dǎo)通電阻,，大電壓等,，大電流等，也有很多人考慮這些因素,。這樣的電路也許...

肖特基二極管和快恢復(fù)二極管區(qū)別：前者的恢復(fù)時間比后者小一百倍左右,，前者的反向恢復(fù)時間大約為幾納秒~！前者的優(yōu)點還有低功耗,，大電流,，超高速~！電氣特性當(dāng)然都是二極管阿~,！快恢復(fù)二極管在制造工藝上采用摻金,單純的擴(kuò)散等工藝,可獲得較高的開關(guān)速度,同時也能得...

因此將引起各元件間電壓分配不均勻而導(dǎo)致發(fā)生損壞器件的事故,。影響串聯(lián)運行電壓分配不均勻的因素主要有以下幾個：1、靜態(tài)伏安特性對靜態(tài)均壓的影響,。不同元件的伏安特性差異較大,，串聯(lián)使用時會使電壓分配不均衡。同時,，半導(dǎo)體器件的伏安特性容易受溫度的影響,，不同的結(jié)溫...

而是為了保護(hù)IGBT脆弱的反向耐壓而特別設(shè)置的,，又稱為FWD（續(xù)流二極管）。二者內(nèi)部結(jié)構(gòu)不同MOSFET的三個極分別是源極(S),、漏極(D)和柵極(G),。IGBT的三個極分別是集電極(C)、發(fā)射極(E)和柵極(G),。IGBT是通過在MOSFET的漏極上...

所以依據(jù)這一點可以確定這一電路是為了穩(wěn)定電路中A點的直流工作電壓,。3）電路中有多只元器件時，一定要設(shè)法搞清楚實現(xiàn)電路功能的主要元器件,，然后圍繞它進(jìn)行展開分析,。分析中運用該元器件主要特性，進(jìn)行合理解釋,。二極管溫度補(bǔ)償電路及故障處理眾所周知,，PN結(jié)導(dǎo)通后有...

晶閘管等元件通過整流來實現(xiàn)。除此之外整流器件還有很多,，如：可關(guān)斷晶閘管GTO,，逆導(dǎo)晶閘管，雙向晶閘管,，整流模塊,，功率模塊IGBT，SIT,，MOSFET等等,，這里只探討晶閘管。晶閘管又名可控硅,，通常人們都叫可控硅,。是一種功率半導(dǎo)體器件，由于它效率高,，控制...

整流橋通常是由兩只或四只整流硅芯片作橋式連接,，兩只的為半橋，四只的則稱全橋,。外部采用絕緣朔料封裝而成,，大功率整流橋在絕緣層外添加鋅金屬殼包封，增強(qiáng)散熱性能,。一,、整流橋定義整流橋就是將整流管封在一個殼內(nèi)了，分全橋和半橋,。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個...

學(xué)習(xí)目標(biāo)：能正確識別,、選擇、安裝,、使用低壓熔斷器,掌握其功能,、基本結(jié)構(gòu),、工作原理及型號含義,熟記其圖形符號和文字符號一、熔斷器的結(jié)構(gòu)與主要技術(shù)參數(shù)1.熔斷器的結(jié)構(gòu)熔體是熔斷器的**,，常做成絲狀,、片狀或柵狀,，制作熔體的材料一般有鉛錫合金,、鋅、銅,、銀等,。熔...

對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下,，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖,。圖1為本發(fā)明實施例提供的一種igbt器件的結(jié)構(gòu)圖；圖2為本發(fā)明實施例提供的一種電流敏感器件的結(jié)構(gòu)圖,；圖3為本發(fā)明實施例提供的一種kelvin連接示意圖,；圖4為本發(fā)...

而是為了保護(hù)IGBT脆弱的反向耐壓而特別設(shè)置的，又稱為FWD（續(xù)流二極管）,。二者內(nèi)部結(jié)構(gòu)不同MOSFET的三個極分別是源極(S),、漏極(D)和柵極(G)。IGBT的三個極分別是集電極(C),、發(fā)射極(E)和柵極(G),。IGBT是通過在MOSFET的漏極上...

應(yīng)注意制造廠提供的直流電路數(shù)據(jù)或與制造廠協(xié)商，否則應(yīng)降低電壓使用,。(3)熔體額定電流的選擇一般熔斷器額定電流的選擇原則為：1)用于保護(hù)照明或電熱設(shè)備及一般控制電路的熔斷器,，所選熔體的額定電流應(yīng)等于或稍大于負(fù)載的額定電流。2)用于保護(hù)電動機(jī)的熔斷器,，應(yīng)按...

本實用新型涉及半導(dǎo)體器件領(lǐng)域,，特別是涉及一種合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)及電源模組。背景技術(shù)：目前照明領(lǐng)域led驅(qū)動照明正在大規(guī)模代替節(jié)能燈的應(yīng)用,，由于用量十分巨大,，對于成本的要求比較高。隨著系統(tǒng)成本的一再降低,，主流的拓?fù)浼軜?gòu)基本已經(jīng)定型,，很難再從外圈節(jié)省某個...

這部分在定義當(dāng)中沒有被提及的原因在于它實際上是個npnp的寄生晶閘管結(jié)構(gòu)，這種結(jié)構(gòu)對IGBT來說是個不希望存在的結(jié)構(gòu),，因為寄生晶閘管在一定的條件下會發(fā)生閂鎖,，讓IGBT失去柵控能力，這樣IGBT將無法自行關(guān)斷,，從而導(dǎo)致IGBT的損壞,。具體原理在這里暫時不...

所以一旦可控硅導(dǎo)通后,，即使控制極G的電流消失了，可控硅仍然能夠維持導(dǎo)通狀態(tài),，由于觸發(fā)信號只起觸發(fā)作用,，沒有關(guān)斷功能，所以這種可控硅是不可關(guān)斷的,。由于他只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種工作狀態(tài),，所以晶閘管具有開關(guān)特性，這也就是晶閘管的作用,。晶閘管在工作過程中,，它的陽極...

晶閘管智能模塊指的是一種特殊的模板，采用了采用全數(shù)字移相觸發(fā)集成電路,。中文名晶閘管智能模塊特點三相交流模塊輸出對稱性好等優(yōu)點功耗低,，效率高等適用溫度-25℃～+45℃目錄1模塊特點2模塊規(guī)格3注意事項4模塊參數(shù)晶閘管智能模塊模塊特點編輯（1）本產(chǎn)品均采...

整流橋模塊作為一種功率元器件，廣泛應(yīng)用于各種電源設(shè)備,。其內(nèi)部主要是由四個二極管組成的橋路來實現(xiàn)把輸入的交流電壓轉(zhuǎn)化為輸出的直流電壓,。在整流橋模塊的每個工作周期內(nèi)，同一時間只有兩個二極管進(jìn)行工作,，通過二極管的單向?qū)üδ?，把交流電轉(zhuǎn)換成單向的直流脈動電壓...

[8]2.檢測性能好壞。用萬用表電阻擋測量紅外接收二極管正,、反向電阻,，根據(jù)正、反向電阻值的大小,，即可初步判定紅外接收二極管的好壞,。[8]二極管激光二極管按照檢測普通二極管正、反向電阻的方法,，即可將激光二極管的管腳排列順序確定,。但檢測時要注意，由于激光二...

外加電場使電子漂移速度加快,，從而與共價鍵中的價電子相碰撞,，把價電子撞出共價鍵，產(chǎn)生新的電子-空穴對,。新產(chǎn)生的電子-空穴被電場加速后又撞出其它價電子,，載流子雪崩式地增加，致使電流急劇增加,，這種擊穿稱為雪崩擊穿,。無論哪種擊穿，若對其電流不加限制,，都可能造成...

肖特基二極管(SBD)是肖特基勢壘二極管(SchottkyBarrierDiode,，縮寫成SBD)的簡稱,，是以其發(fā)明人肖特基博士(Schottky)命名的半導(dǎo)體器件。肖特基二極管是低功耗,、大電流,、超高速半導(dǎo)體器件，它不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形...

MOSFET存在導(dǎo)通電阻高的缺點,，但I(xiàn)GBT克服了這一缺點,，在高壓時IGBT仍具有較低的導(dǎo)通電阻?？偟膩碚f,，MOSFET優(yōu)點是高頻特性好,，可以工作頻率可以達(dá)到幾百kHz,、上MHz，缺點是導(dǎo)通電阻大在高壓大電流場合功耗較大,；而IGBT在低頻及較大功率場合...

能承受較高的反向擊穿電壓和較大的峰值電流,，一般用在電視機(jī)電路中，常用的阻尼二極管有2CN1,、2CN2,、BSBS44等。7.顯示用于VCD,、DVD,、計算器等顯示器上。8.穩(wěn)壓這種管子是利用二極管的反向擊穿特性制成的,，在電路中其兩端的電壓保持基本不變,，起到...

在正弦交流電壓U2的正半周期間，如果VS的控制極沒有輸入觸發(fā)脈沖Ug,，VS仍然不能導(dǎo)通,，只有在U2處于正半周，在控制極外加觸發(fā)脈沖Ug時,，可控硅被觸發(fā)導(dǎo)通,。畫出它的波形圖〔圖4(c)及(d)〕，可以看到,，只有在觸發(fā)脈沖Ug到來時,，負(fù)載RL上才有電壓UL...

而用開啟電壓VT表征管子的特性。N溝道耗盡型MOS管的基本結(jié)構(gòu)（1）結(jié)構(gòu)：N溝道耗盡型MOS管與N溝道增強(qiáng)型MOS管基本相似,。（2）區(qū)別：耗盡型MOS管在vGS=0時,，漏——源極間已有導(dǎo)電溝道產(chǎn)生，而增強(qiáng)型MOS管要在vGS≥VT時才出現(xiàn)導(dǎo)電溝道,。（3...

具有門極輸入阻抗高,、驅(qū)動功率小,、電流關(guān)斷能力強(qiáng)、開關(guān)速度快,、開關(guān)損耗小等優(yōu)點,。隨著下游應(yīng)用發(fā)展越來越快，MOSFET的電流能力顯然已經(jīng)不能滿足市場需求,。為了在保留MOSFET優(yōu)點的前提下降低器件的導(dǎo)通電阻,，人們曾經(jīng)嘗試通過提高M(jìn)OSFET襯底的摻雜濃度...

當(dāng)散熱風(fēng)扇損壞中散熱片散熱不良時將導(dǎo)致IGBT模塊發(fā)熱，而發(fā)生故障,。因此對散熱風(fēng)扇應(yīng)定期進(jìn)行檢查,，一般在散熱片上靠近IGBT模塊的地方安裝有溫度感應(yīng)器，當(dāng)溫度過高時將報警或停止IGBT模塊工作,。三,、IGBT驅(qū)動電路IGBT驅(qū)動電路的作用主要是將單片機(jī)脈...

穩(wěn)壓二極管穩(wěn)壓二極管，英文名稱Zenerdiode,，又叫齊納二極管,。利用pn結(jié)反向擊穿狀態(tài)，其電流可在很大范圍內(nèi)變化而電壓基本不變的現(xiàn)象,，制成的起穩(wěn)壓作用的二極管,。此二極管是一種直到臨界反向擊穿電壓前都具有很高電阻的半導(dǎo)體器件。在這臨界擊穿點上,，反向電...

所述負(fù)載為led燈串,，所述led燈串的正極連接所述高壓供電管腳hv，負(fù)極連接所述漏極管腳drain,。如圖2所示,，所述一采樣電阻rcs1的一端連接所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)1的采樣管腳cs，另一端接地,。本實施例的電源模組為非隔離場合的小功率led驅(qū)動電源應(yīng)用,，適...

公共柵極單元與第1發(fā)射極單元和第二發(fā)射極單元之間通過刻蝕方式進(jìn)行隔開；第二表面上設(shè)有工作區(qū)域和電流檢測區(qū)域的公共集電極單元,；接地區(qū)域設(shè)置于第1發(fā)射極單元內(nèi)的任意位置處,；電流檢測區(qū)域和接地區(qū)域分別用于與檢測電阻連接，以使檢測電阻上產(chǎn)生電壓,，并根據(jù)電壓檢測...

二極管的反向飽和電流受溫度影響很大,。[4]一般硅管的反向電流比鍺管小得多，小功率硅管的反向飽和電流在nA數(shù)量級,，小功率鍺管在μA數(shù)量級,。溫度升高時，半導(dǎo)體受熱激發(fā)，少數(shù)載流子數(shù)目增加,，反向飽和電流也隨之增加,。[4]二極管擊穿特性外加反向電壓超過某一數(shù)值時，反...

■首先,，我們可以把從陰極向上數(shù)的第1,、二、三層看面是一只NPN型號晶體管,，而二,、三四層組成另一只PNP型晶體管。其中第二,、第三層為兩管交迭共用,。這樣就可畫出圖表-27（C）的等效電路圖來分析。當(dāng)在陽極和陰極之間加上一個正向電壓Ea,，又在控制極G和陰極C之間（相...