无码人妻久久一区二区三区蜜桃_日本高清视频WWW夜色资源_国产AV夜夜欢一区二区三区_深夜爽爽无遮无挡视频,男人扒女人添高潮视频,91手机在线视频,黄页网站男人的天,亚洲se2222在线观看,少妇一级婬片免费放真人,成人欧美一区在线视频在线观看_成人美女黄网站色大免费的_99久久精品一区二区三区_男女猛烈激情XX00免费视频_午夜福利麻豆国产精品_日韩精品一区二区亚洲AV_九九免费精品视频 ,性强烈的老熟女

另外在化工,、煤礦、鋼鐵和等一些要求特殊的裝置和惡劣的工作環(huán)境中,，以及要求工作高可靠的場合中,，LSR都比傳統(tǒng)的繼電器有無可比擬的優(yōu)越**流固態(tài)繼電器工作原理：LSR實際是一個受控的電力電子開關(guān)，其等效電路如圖1,。圖2普通型交流LSR內(nèi)部結(jié)構(gòu)框圖一般情況下,，萬用表不能判別LSR的好壞，正確的方法采用圖3的測試電路：當(dāng)輸入電流為零時,，電壓表測出的電壓為電網(wǎng)電壓,，電燈不亮（燈泡功率須25W以上）,；當(dāng)輸入電流達(dá)到一定值以后,，電燈亮，電壓表測出的電壓為LSR導(dǎo)通壓降（在2V以下）,。因LSR內(nèi)部有RC回路而帶來漏電流,，因此不能等同于普通觸點(diǎn)式的繼電器、接觸器,不能作隔離開關(guān)用,。圖3LSR測試電路㈡...

并通過所述第二門極壓接式組件對所述第三導(dǎo)電片,、鉬片,、銀片,、鋁片施加壓合作用力，所述第三導(dǎo)電片,、鉬片,、銀片、鋁片依次設(shè)置于所述銅底板上,。作為本發(fā)明的立式晶閘管模塊的改進(jìn),，任一所述接頭包括：螺栓和螺母，所述螺栓與螺母之間還設(shè)置有彈簧墊圈和平墊圈,。作為本發(fā)明的立式晶閘管模塊的改進(jìn),，所述銅底板通過硅凝膠對位于其上的導(dǎo)電片、第二導(dǎo)電片,、瓷板進(jìn)行固定,。作為本發(fā)明的立式晶閘管模塊的改進(jìn)，所述銅底板通過硅凝膠對位于其上的第三導(dǎo)電片,、鉬片,、銀片、鋁片進(jìn)行固定,。作為本發(fā)明的立式晶閘管模塊的改進(jìn),，所述壓塊和第二壓塊上還設(shè)置有絕緣套管。作為本發(fā)明的立式晶閘管模塊的改進(jìn),，所述絕緣套管與對應(yīng)的壓塊之間還設(shè)置有墊圈...

5光控晶閘管是通過光信號控制晶閘管觸發(fā)導(dǎo)通的器件,，它具有很強(qiáng)的抗干擾能力、良好的高壓絕緣性能和較高的瞬時過電壓承受能力,，因而被應(yīng)用于高壓直流輸電(HVDC),、靜止無功功率補(bǔ)償(SVC)等領(lǐng)域。其研制水平大約為8000V/3600A,。6逆變晶閘管因具有較短的關(guān)斷時間(10～15s)而主要用于中頻感應(yīng)加熱,。在逆變電路中，它已讓位于GTR,、GTO、IGBT等新器件,。目前,，其比較大容量介于2500V/1600A/1kHz和800V/50A/20kHz的范圍之內(nèi)。7非對稱晶閘管是一種正,、反向電壓耐量不對稱的晶閘管,。而逆導(dǎo)晶閘管不過是非對稱晶閘管的一種特例，是將晶閘管反并聯(lián)一個二極管制作在同一管芯...

1(1)晶閘管智能控制模塊均采用本公司**開發(fā)的全數(shù)字移相觸發(fā)集成電路,實現(xiàn)了控制電路與晶閘管主電路集成一體化,，使模塊具備了弱電控制強(qiáng)電的電力調(diào)控功能,。2(2)晶閘管智能模塊采用進(jìn)口方形芯片,、高級芯片支撐板，模塊壓降小,、功耗低,，效率高,節(jié)電效果好。3(3)晶閘管智能模塊采用進(jìn)口貼片元件,保證了觸發(fā)控制電路的可靠性,。4(4)晶閘管智能模塊采用(DBC)陶瓷覆銅板,，經(jīng)獨(dú)特處理方法和特殊焊接工藝，保證焊接層無空洞,，導(dǎo)熱性能好,。熱循環(huán)負(fù)載次數(shù)高于國家標(biāo)準(zhǔn)近10倍。5(5)晶閘管智能模塊采用高級導(dǎo)熱絕緣封裝材料,，絕緣,、防潮性能優(yōu)良。6(6)晶閘管模塊采用觸發(fā)控制電路,、主電路與導(dǎo)熱底板相互隔離,，導(dǎo)...

硒堆的特點(diǎn)是其動作電壓和溫度有關(guān)，溫度越低耐壓越高,；另外是硒堆具有自恢復(fù)特性,，能多次使用，當(dāng)過電壓動作后硒基片上的灼傷孔被溶化的硒重新覆蓋,，又重新恢復(fù)其工作特性,。壓敏電阻是以氧化鋅為基體的金屬氧化物非線性電阻，其結(jié)構(gòu)為兩個電極,，電極之間填充的粒徑為10~50μm的不規(guī)則的ZNO微結(jié)晶,，結(jié)晶粒間是厚約1μm的氧化鉍粒界層。這個粒界層在正常電壓下呈高阻狀態(tài),，只有很小的漏電流,，其值小于100μA。當(dāng)加上電壓時,，引起了電子雪崩,，粒界層迅速變成低阻抗，電流迅速增加,，泄漏了能量,，了過電壓，從而使晶閘管得到保護(hù),。浪涌過后,，粒界層又恢復(fù)為高阻態(tài),。壓敏電阻的特性主要由下面幾個參數(shù)來表示,。標(biāo)稱電壓：指壓敏...

它既保留了普通晶閘管耐壓高,、電流大等優(yōu)點(diǎn),，以具有自關(guān)斷能力，使用方便,，是理想的高壓,、大電流開關(guān)器件。GTO的容量及使用壽命均超過巨型晶體管（GTR）,，只是工作頻紡比GTR低,。GTO已達(dá)到3000A、4500V的容量,。大功率可關(guān)斷晶閘管已用于斬波調(diào)速,、變頻調(diào)速、逆變電源等領(lǐng)域,，顯示出強(qiáng)大的生命力,。可關(guān)斷晶閘管也屬于PNPN四層三端器件,，其結(jié)構(gòu)及等效電路和普通晶閘管相同,，因此圖1*繪出GTO典型產(chǎn)品的外形及符號。大功率GTO大都制成模塊形式,。盡管GTO與SCR的觸發(fā)導(dǎo)通原理相同,，但二者的關(guān)斷原理及關(guān)斷方式截然不同。這是由于普通晶閘管在導(dǎo)通之后即外于深度飽和狀態(tài),，而GTO在導(dǎo)通后只能達(dá)到臨界...

晶閘管一般指晶體閘流管晶閘管（Thyristor）是晶體閘流管的簡稱,，又可稱做可控硅整流器，以前被簡稱為可控硅,；1957年美國通用電器公司開發(fā)出世界上晶閘管產(chǎn)品,，并于1958年使其商業(yè)化；晶閘管是PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),，它有三個極：陽極,，陰極和門極；晶閘管工作條件為：加正向電壓且門極有觸發(fā)電流,；其派生器件有：快速晶閘管,，雙向晶閘管，逆導(dǎo)晶閘管,，光控晶閘管等,。它是一種大功率開關(guān)型半導(dǎo)體器件，在電路中用文字符號為“V”,、“VT”表示（舊標(biāo)準(zhǔn)中用字母“SCR”表示）。晶閘管具有硅整流器件的特性，能在高電壓,、大電流條件下工作,，且其工作過程可以控制、被應(yīng)用于可控整流,、交流調(diào)壓,、無觸點(diǎn)電子開關(guān)、逆...

硒堆的特點(diǎn)是其動作電壓和溫度有關(guān),，溫度越低耐壓越高,；另外是硒堆具有自恢復(fù)特性，能多次使用,，當(dāng)過電壓動作后硒基片上的灼傷孔被溶化的硒重新覆蓋,，又重新恢復(fù)其工作特性。壓敏電阻是以氧化鋅為基體的金屬氧化物非線性電阻,，其結(jié)構(gòu)為兩個電極,，電極之間填充的粒徑為10~50μm的不規(guī)則的ZNO微結(jié)晶，結(jié)晶粒間是厚約1μm的氧化鉍粒界層,。這個粒界層在正常電壓下呈高阻狀態(tài),，只有很小的漏電流，其值小于100μA,。當(dāng)加上電壓時,，引起了電子雪崩，粒界層迅速變成低阻抗,，電流迅速增加,，泄漏了能量，了過電壓,，從而使晶閘管得到保護(hù),。浪涌過后，粒界層又恢復(fù)為高阻態(tài),。壓敏電阻的特性主要由下面幾個參數(shù)來表示,。標(biāo)稱電壓：指壓敏...

)=174A-232A顯然，通過以上的計算對于采用雙反星型并聯(lián)電路的ZX5-630,；NBK-630,；WSM-630焊機(jī)應(yīng)選擇MTG200-300A/800V或MTG(AA)130-200A/400V的模塊。比較好選MTG250--300A/800V或MTG(AA)160-200A/400V的模塊.當(dāng)然,，焊機(jī)可靠長期正常工作除了與模塊正確選型有關(guān)外,，與以下因素還有一定的關(guān)系：2焊機(jī)暫載率即額定負(fù)荷工作持續(xù)率（FS）：根據(jù)焊機(jī)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)此類焊機(jī)暫載率一般為：35%；60%,；,。其定義如下：暫載率FS=負(fù)載滿負(fù)荷持續(xù)運(yùn)行時間（t）/[負(fù)載滿負(fù)荷持續(xù)運(yùn)行時間+休止時間]x=t/Tx上式中T為焊機(jī)的...

VDRM）的計算：由公式：Ud=考慮兩倍的選擇余量后VRRM；VDRM=2xxU2=2x因此選擇耐壓200V-300V的器件足夠。2,、器件額定電流IT（AV）的計算：由于該線路相當(dāng)于兩組三相半波整流電路的串聯(lián),根據(jù)公式：Ie=:Ie=(此值為交流有效值)折算為平均值IT（AV）=Ie/考慮選型需按IT(AV)=()IT=232A()=348A-462A顯然,目前沒有如此大電流的模塊,應(yīng)建議客戶采用400-500A的平板式可控硅為宜,。以上兩種線路對器件耐壓和通流能力的要求是不一樣的,。后一種線路對器件耐壓要求比前一種線路低一倍,，但通流能力要求大兩倍。四,、使用模塊產(chǎn)品注意事項：l電力半導(dǎo)體模...

晶閘管的主要電參數(shù)有正向轉(zhuǎn)折電壓VBO,、正向平均漏電流IFL、反向漏電流IRL,、斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VDRM,、反向重復(fù)峰值電壓VRRM、正向平均壓降VF,、通態(tài)平均電流IT,、門極觸發(fā)電壓VG、門極觸發(fā)電流IG,、門極反向電壓和維持電流IH等,。(一)晶閘管正向轉(zhuǎn)折電壓VBO晶閘管的正向轉(zhuǎn)折電壓VBO是指在額定結(jié)溫為100℃且門極(G)開路的條件下，在其陽極(A)與陰極(K)之間加正弦半波正向電壓,、使其由關(guān)斷狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)時所對應(yīng)的峰值電壓,。(二)晶閘管斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VDRM斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VDRM，是指晶閘管在正向阻斷時,，允許加在A,、K(或T1、T2)極間比較大的峰值電壓,。此電壓約為正向轉(zhuǎn)...

晶閘管的主要電參數(shù)有正向轉(zhuǎn)折電壓VBO,、正向平均漏電流IFL、反向漏電流IRL,、斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VDRM,、反向重復(fù)峰值電壓VRRM、正向平均壓降VF,、通態(tài)平均電流IT,、門極觸發(fā)電壓VG、門極觸發(fā)電流IG,、門極反向電壓和維持電流IH等,。(一)晶閘管正向轉(zhuǎn)折電壓VBO晶閘管的正向轉(zhuǎn)折電壓VBO是指在額定結(jié)溫為100℃且門極(G)開路的條件下，在其陽極(A)與陰極(K)之間加正弦半波正向電壓,、使其由關(guān)斷狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)時所對應(yīng)的峰值電壓,。(二)晶閘管斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VDRM斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VDRM,，是指晶閘管在正向阻斷時，允許加在A,、K(或T1,、T2)極間比較大的峰值電壓。此電壓約為正向轉(zhuǎn)...

由于晶閘管在導(dǎo)通期間,，載流子充滿元件內(nèi)部，所以元件在關(guān)斷過程中,，正向電壓下降到零時,，內(nèi)部仍殘存著載流子。這些積蓄的載流子在反向電壓作用下瞬時出現(xiàn)較大的反向電流,，使積蓄載流子迅速消失,，這時反向電流消失的極快，即di/dt極大,。因此即使和元件串連的線路電感L很小,，電感產(chǎn)生的感應(yīng)電勢L（di/dt）值仍很大，這個電勢和電源電壓串聯(lián),，反向加在已恢復(fù)阻斷的元件上,，可能導(dǎo)致晶閘管的反向擊穿。這種由于晶閘管關(guān)斷引起的過電壓,，稱為關(guān)斷過電壓,，其數(shù)值可達(dá)工作電壓峰值的5～6倍，所以必須采取措施,。阻容吸收電路中電容器把過電壓的電磁能量變成靜電能量存貯,，電阻防止電容和電感產(chǎn)生諧振、限制晶閘管開通損耗和電流上...

三）按封裝形式分類晶閘管按其封裝形式可分為金屬封裝晶閘管,、塑封晶閘管和陶瓷封裝晶閘管三種類型,。其中，金屬封裝晶閘管又分為螺栓形,、平板形,、圓殼形等多種；塑封晶閘管又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種,。（四）按電流容量分類晶閘管按電流容量可分為大功率晶閘管,、**率晶閘管和小功率晶閘管三種。通常,，大功率晶閘管多采用金屬殼封裝,，而中、小功率晶閘管則多采用塑封或陶瓷封裝,。（五）按關(guān)斷速度分類晶閘管按其關(guān)斷速度可分為普通晶閘管和高頻（快速）晶閘管,。晶體閘流管工作原理編輯晶閘管T在工作過程中,，它的陽極A和陰極K與電源和負(fù)載連接，組成晶閘管的主電路,，晶閘管的門極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接,，組成晶閘...

電力電子開關(guān)技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種立式晶閘管模塊,。背景技術(shù)：電力電子開關(guān)是指利用電子電路以及電力電子器件實現(xiàn)電路通斷的運(yùn)行單元,至少包括一個可控的電子驅(qū)動器件,，如晶閘管、晶體管,、場效應(yīng)管,、可控硅、繼電器等,。其中,，現(xiàn)有的晶閘管*能夠?qū)崿F(xiàn)單路控制，不利于晶閘管所在電力系統(tǒng)的投切控制,。因此,，針對上述問題，有必要提出進(jìn)一步的解決方案,。技術(shù)實現(xiàn)要素：本發(fā)明的目的在于提供一種立式晶閘管模塊,，以克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的不足。為實現(xiàn)上述發(fā)明目的,，本發(fā)明提供一種立式晶閘管模塊,，其包括：外殼、蓋板,、銅底板,、形成于所述蓋板上的接頭、第二接頭和第三接頭,、封裝于所述外殼內(nèi)部的晶閘管單元和第二晶閘管單元,；所述晶閘管單...

壓接式和焊接式可控硅模塊有哪些區(qū)別？可控硅模塊屬于一種使用模塊封裝形式,，擁有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件,，這種可控硅模塊的體積非常的小，結(jié)構(gòu)也十分的緊湊,，對于維修與安裝都有很大的作用,，可控硅模塊的類型非常的多，比方說壓接式可控硅模塊,、焊接式可控硅模塊等,，很多人不是很清楚兩者之間的差異，下面詳細(xì)的進(jìn)行區(qū)分一下,。①從電流方面來講,，焊接式可控硅模塊可以做到160A電流,，同時壓接式模塊的電流就能夠達(dá)到1200A，這就是講低于160A的模塊,，不只是有焊接式的,，同時也有壓接式的?？煽毓枘K②從外形方面來講,，焊接式的可控硅模塊遠(yuǎn)遠(yuǎn)沒有壓接式的外形比較好，壓接式的屬于一體成型,，技術(shù)十分的標(biāo)準(zhǔn)...

由于晶閘管在導(dǎo)通期間,，載流子充滿元件內(nèi)部，所以元件在關(guān)斷過程中,，正向電壓下降到零時，內(nèi)部仍殘存著載流子,。這些積蓄的載流子在反向電壓作用下瞬時出現(xiàn)較大的反向電流,，使積蓄載流子迅速消失，這時反向電流消失的極快,，即di/dt極大,。因此即使和元件串連的線路電感L很小，電感產(chǎn)生的感應(yīng)電勢L（di/dt）值仍很大,，這個電勢和電源電壓串聯(lián),，反向加在已恢復(fù)阻斷的元件上，可能導(dǎo)致晶閘管的反向擊穿,。這種由于晶閘管關(guān)斷引起的過電壓,，稱為關(guān)斷過電壓，其數(shù)值可達(dá)工作電壓峰值的5～6倍,，所以必須采取措施,。阻容吸收電路中電容器把過電壓的電磁能量變成靜電能量存貯，電阻防止電容和電感產(chǎn)生諧振,、限制晶閘管開通損耗和電流上...

充電電源,，電機(jī)調(diào)速，感應(yīng)加熱及熱處理等各種整流,、逆變和變頻領(lǐng)域,。我公司所生產(chǎn)的電力電子器件成功的替代了多種進(jìn)口器件，實現(xiàn)了自動軋機(jī)原器件的國產(chǎn)化,；6K,、6G、8K,、8G電力機(jī)車原器件也全部由我公司國產(chǎn)化,，使用壽命超過了進(jìn)口元件,。在自動控制方面，我公司成功開發(fā)出各種工控板,，應(yīng)用在各種不同的場合,，真正形成了控制方式靈活，保護(hù)齊全,，可靠性高的優(yōu)勢,。與模塊結(jié)合開發(fā)了智能模塊。廣泛應(yīng)用于不同行業(yè)各種領(lǐng),。在散熱器方面公司成功開發(fā)了,，通過努力已進(jìn)入了國內(nèi)的輸變電行業(yè)、機(jī)車行業(yè)所需的**市場,。我公司秉承快速反應(yīng),、持續(xù)改進(jìn)的工作作風(fēng)，融入世界的發(fā)展戰(zhàn)略,，致力于提高品牌**度的發(fā)展目標(biāo),，建成國際前列、國內(nèi)...

電焊機(jī)選型技巧華晶整流器一,、概述：電焊機(jī)在進(jìn)行各種金屬焊接時,，根據(jù)焊接工藝的不同，對焊接時電弧的電壓和電流有不同的要求,，因此需要各種不同特性的交流或直流電源,。例如，在點(diǎn),、凸,、峰焊、電阻焊時需要調(diào)節(jié)焊接隔離變壓器原邊的電壓大?。ㄏ嗫卣{(diào)壓或改變通過的周波數(shù)量）,，屬于晶閘管應(yīng)用于交流調(diào)壓；在各種氬弧焊,、CO2氣體保護(hù)焊中需要的是直流電源或交直流方波電源,。交流應(yīng)用時，反并聯(lián)的晶閘管串接在主回路中,，直流調(diào)壓應(yīng)用時,，晶閘管可以組成單、三相全控或半控或雙反星型電路,。改變晶閘管的導(dǎo)通角或控制晶閘管的開關(guān)時間即可達(dá)到調(diào)節(jié)焊接電壓和電流的目的,。尤其是近幾年來，CO2氣體保護(hù)焊機(jī)發(fā)展比較迅速,，據(jù)報道,，發(fā)達(dá)國...

三）按封裝形式分類晶閘管按其封裝形式可分為金屬封裝晶閘管,、塑封晶閘管和陶瓷封裝晶閘管三種類型。其中,，金屬封裝晶閘管又分為螺栓形,、平板形、圓殼形等多種,；塑封晶閘管又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種,。（四）按電流容量分類晶閘管按電流容量可分為大功率晶閘管、**率晶閘管和小功率晶閘管三種,。通常,，大功率晶閘管多采用金屬殼封裝，而中,、小功率晶閘管則多采用塑封或陶瓷封裝,。（五）按關(guān)斷速度分類晶閘管按其關(guān)斷速度可分為普通晶閘管和高頻（快速）晶閘管。晶體閘流管工作原理編輯晶閘管T在工作過程中,，它的陽極A和陰極K與電源和負(fù)載連接,，組成晶閘管的主電路，晶閘管的門極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接,，組成晶閘...

公司是專業(yè)從事電力電子產(chǎn)品研發(fā)、制作,、銷售于一體的****公司主要產(chǎn)品：MTC（A,、K、X）,、MDC（A,、K）、MFC（A,、K,、X）系列功率半導(dǎo)體模塊；MDS,、MDQ,、MFQ、MFF系列單相,、三相整流橋模塊,；BJD（H）系列單相、BJT（H）系列三相固繼電器,；晶閘管智能模塊,；ZP、ZK系列整流管,；KP,、KK,、KS系列晶閘管；各種功率組件,；電力電子器件用散熱器等,。公司系列產(chǎn)品服務(wù)于電力、冶金,、石油,、煤炭、環(huán)保,、航天,、有色金屬、家用電器等領(lǐng)域,。以產(chǎn)品種類齊全,、品質(zhì)可靠、供貨及時,、服務(wù)誠信博得國內(nèi)外客戶的一致好評,。我們將始終秉承“以客戶為中心”的理念和“誠信為商、不斷創(chuàng)新,、追求”的宗旨,，...

按規(guī)定應(yīng)采用風(fēng)冷的模塊而采用自冷時，則電流的額定值應(yīng)降低到原有值的30～40[%],，反之如果改為采用水冷時,，則電流的額定值可以增大30～40[%]。為了幫助用戶合理選擇散熱器和風(fēng)機(jī),，我們確定了不同型號模塊在其額定電流工作狀態(tài)下,，環(huán)境溫度為40℃時所需的散熱器長度、風(fēng)機(jī)規(guī)格,、數(shù)量及散熱器基礎(chǔ)參數(shù)等,，請參考說明書。另外,，在表內(nèi)出具了每個型號的模塊在峰值壓降,、比較大標(biāo)稱電流和阻性負(fù)載條件下的功耗值，以便于用戶自己確定散熱器尺寸時做參考,。在實際應(yīng)用中,，應(yīng)注意以下幾點(diǎn)：（1）軸流風(fēng)機(jī)風(fēng)速應(yīng)≥6m/s。（2）若模塊達(dá)不到滿負(fù)荷工作,，可酌減散熱器長度,。（3）在設(shè)備開機(jī)前，應(yīng)檢查模塊所有螺釘是否牢固，...

電焊機(jī)在進(jìn)行各種金屬焊接時,，根據(jù)焊接工藝的不同,，對焊接時電弧的電壓和電流有不同的要求，因此需要各種不同特*流或直流電源,。例如,，在點(diǎn)、凸,、峰焊,、電阻焊時需要調(diào)節(jié)焊接隔離變壓器原邊的電壓大小（相控調(diào)壓或改變通過的周波數(shù)量）,，屬于晶閘管應(yīng)用于交流調(diào)壓,；在各種氬弧焊、CO2氣體保護(hù)焊中需要的是直流電源或交直流方波電源,。交流應(yīng)用時,，反并聯(lián)的晶閘管串接在主回路中，直流調(diào)壓應(yīng)用時,，晶閘管可以組成單,、三相全控或半控或雙反星型電路。改變晶閘管的導(dǎo)通角或控制晶閘管的開關(guān)時間即可達(dá)到調(diào)節(jié)焊接電壓和電流的目的,。尤其是近幾年來,，CO2氣體保護(hù)焊機(jī)發(fā)展比較迅速，據(jù)報道,，發(fā)達(dá)國家這種焊機(jī)占到百分之六十或七十的比例,，...

強(qiáng)型120A增強(qiáng)型150A增強(qiáng)型200A增強(qiáng)型300A增強(qiáng)型400A型號LSR-H3Z50D3LSR-H3Z50D2LSR-H3Z50A3LSR-H3P50D1H3Z70D3H3Z70D2H3Z70A3H3P70D1H3Z90D3H3Z90D2H3Z90A3H3P90D1H3100ZFH3Z1**3H3Z1**2H3Z120A3H3P1**1H3120ZFH3Z150D3H3Z150D2H3P150D1H3150ZEH3Z200D3H3Z200D2H3P200D1H3200ZEH3Z300D3H3Z300D2H3P300D1H3300ZDH3Z400D3H3Z400D2H3P40...

強(qiáng)型120A增強(qiáng)型150A增強(qiáng)型200A增強(qiáng)型300A增強(qiáng)型400A型號LSR-H3Z50D3LSR-H3Z50D2LSR-H3Z50A3LSR-H3P50D1H3Z70D3H3Z70D2H3Z70A3H3P70D1H3Z90D3H3Z90D2H3Z90A3H3P90D1H3100ZFH3Z1**3H3Z1**2H3Z120A3H3P1**1H3120ZFH3Z150D3H3Z150D2H3P150D1H3150ZEH3Z200D3H3Z200D2H3P200D1H3200ZEH3Z300D3H3Z300D2H3P300D1H3300ZDH3Z400D3H3Z400D2H3P40...

晶閘管模塊的工作原理 在晶閘管模塊T的工作過程中，晶閘管模塊的陽極A和陰極K與電源和負(fù)載相連,，構(gòu)成晶閘管模塊的主電路,。晶閘管模塊的柵極G和陰極K與控制可控硅的裝置相連,，形成晶閘管模塊的控制電路,。 從晶閘管模塊的內(nèi)部分析工作過程： 晶閘管模塊是一種四層三端器件。它有J1,、J2和J3的三個pn結(jié)圖,。中間的NP可分為PNP型三極管和NPN型三極管兩部分。 當(dāng)晶閘管模塊承載正向陽極電壓時,，為了制造晶閘管模塊導(dǎo)體銅,，承受反向電壓的pn結(jié)J2必須失去其阻擋作用。每個晶體管的集電極電流同時是另一個晶體管的基極電流,。因此,，當(dāng)有足夠的柵極電流Ig流入時，兩個復(fù)合晶體管電路會形成較強(qiáng)的...

公司是專業(yè)從事電力電子產(chǎn)品研發(fā)、制作,、銷售于一體的****公司主要產(chǎn)品：MTC（A,、K、X）,、MDC（A,、K）、MFC（A,、K,、X）系列功率半導(dǎo)體模塊；MDS,、MDQ,、MFQ、MFF系列單相,、三相整流橋模塊,；BJD（H）系列單相、BJT（H）系列三相固繼電器,；晶閘管智能模塊,；ZP、ZK系列整流管,；KP,、KK、KS系列晶閘管,；各種功率組件,；電力電子器件用散熱器等。公司系列產(chǎn)品服務(wù)于電力,、冶金,、石油、煤炭,、環(huán)保,、航天、有色金屬,、家用電器等領(lǐng)域,。以產(chǎn)品種類齊全、品質(zhì)可靠,、供貨及時,、服務(wù)誠信博得國內(nèi)外客戶的一致好評。我們將始終秉承“以客戶為中心”的理念和“誠信為商,、不斷創(chuàng)新,、追求”的宗旨,，...

晶閘管模塊(MTC,MTA,MTK,MTX)一、產(chǎn)品特點(diǎn)：1,、芯片與底板電氣絕緣,，2500V交流電壓；2,、國際標(biāo)準(zhǔn)封裝,；3、真空+充氫保護(hù)焊接技術(shù),；4,、壓接結(jié)構(gòu)，優(yōu)良的溫度特性和功率循環(huán)能力,；5,、輸入-輸出端之間隔離耐壓≥2500VAC；6,、200A以下模塊皆為強(qiáng)迫風(fēng)冷,，300A以上模塊，既可選用風(fēng)冷,，也可選用水冷,；7、安裝簡單,，使用維修方便,，體積小，重量輕,。二,、型號說明：三、技術(shù)參數(shù)：型號通態(tài)平均電流反向斷態(tài)重復(fù)峰值電壓通態(tài)峰值電壓通態(tài)峰值電流正反向重復(fù)峰值電流觸發(fā)電流觸發(fā)電壓維持電流斷態(tài)電壓臨界上升率通態(tài)電流臨界上升率比較高額定結(jié)溫絕緣電壓重量It(AV)VdrmVrrmVtmIt...

額定電壓V1mA的下限是線路工作電壓峰值,，考慮到電網(wǎng)電壓的波動以及多次承受沖擊電流以后V1mA值可能下降,，因此，額定電壓的取值應(yīng)適當(dāng)提高,。目前通常采用30[%]的余量計算,。V1mA≥√2?U式中U――壓敏電阻兩端正常工作電壓的有效值。壓敏電阻的數(shù)量：三相整流模塊和三相交流模塊均為三只,、單相整流模塊和單相交流模塊均為一只,。全部接在交流輸入端,。3,、過熱保護(hù)晶閘管在電流通過時，會產(chǎn)生一定的壓降,，而壓降的存在則會產(chǎn)生一定的功耗,，電流越大則功耗越大，產(chǎn)生的熱量也就越大。如果不把這些熱量快速散掉,，會造成燒壞晶閘管芯片的問題,。因此要求使用晶閘管模塊時，一定要安裝散熱器,。散熱條件的好壞,，是影響模塊能否...

晶閘管模塊的類型 晶閘管模塊通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊，是采用模塊封裝形式,，具有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件,。 根據(jù)封裝工藝的不同，晶閘管模塊可分為焊接型和壓型兩種,。 晶閘管模塊可分為：普通晶閘管模塊（MTC\MTX）,；普通整流模塊（MDC）；普通晶閘管,、整流混合模塊（MFC）,；快速晶閘管、整流混合模塊（MKC\MZC）,；非絕緣型晶閘管,、整流管及混合模塊（通常稱為電焊機(jī)**模塊MTG\MDG）；三相整流橋輸出晶閘管模塊（MDS）,；單相（三相）整流橋模塊（MDQ）,；單相半控橋（三相全控橋）模塊（MTS）。 正高電氣講誠信,，重信譽(yù),，多面整合市場推廣。鞍山晶閘管智能調(diào)...