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晶閘管模塊的類型 晶閘管模塊通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊,，是采用模塊封裝形式，具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件,。 根據(jù)封裝工藝的不同,，晶閘管模塊可分為焊接型和壓型兩種。 晶閘管模塊可分為：普通晶閘管模塊（MTC\MTX）,；普通整流模塊（MDC）,；普通晶閘管、整流混合模塊（MFC）,；快速晶閘管,、整流混合模塊（MKC\MZC）；非絕緣型晶閘管,、整流管及混合模塊（通常稱為電焊機(jī)**模塊MTG\MDG）,；三相整流橋輸出晶閘管模塊（MDS）；單相（三相）整流橋模塊（MDQ）,；單相半控橋（三相全控橋）模塊（MTS）,。 正高電氣講誠(chéng)信，重信譽(yù),，多面整合市場(chǎng)推廣,。鞍山晶閘管智能調(diào)...

焊機(jī)晶閘管模塊故障維修1、松下焊機(jī)晶閘管模塊的型號(hào)及組成結(jié)構(gòu)：松下焊機(jī)維修KR1系列焊機(jī)模塊型號(hào)見下表;2,、松下焊機(jī)模塊的測(cè)量模塊的陰陽(yáng)極電阻一般為兆歐極,，陰控極電阻為幾歐至十幾歐。測(cè)量方法如下圖所示：KR1系列焊機(jī)模塊陰控極阻值見下表：另外請(qǐng)注意：在焊機(jī)上測(cè)量模塊陰控極電阻時(shí),，需將與其相連的觸發(fā)信號(hào)線拔下：測(cè)量陰陽(yáng)極的電阻時(shí),，也需將與其相連的主電纜拆掉。模塊故障簡(jiǎn)介：（1）陰控極或陰陽(yáng)極斷路：如果某一組晶閘管的陰控極斷路或阻值變**于幾十歐）,，該組晶閘管就不能被觸發(fā)：而某一組晶閘管的陰,、陽(yáng)極發(fā)生斷路時(shí)，即便有觸發(fā)信號(hào),，該組晶閘管也不能導(dǎo)通,。以上兩種情況會(huì)造成焊機(jī)輸出缺相，所表現(xiàn)出的...

以提高測(cè)試電壓和測(cè)試電流,，使GTO可靠地導(dǎo)通,。（2）要準(zhǔn)確測(cè)量GTO的關(guān)斷增益βoff，必須有**測(cè)試設(shè)備,。但在業(yè)余條件下可用上述方法進(jìn)行估測(cè),。由于測(cè)試條件不同，測(cè)量結(jié)果*供參考,，或作為相對(duì)比較的依據(jù),。逆導(dǎo)晶閘管RCT(Reverse-ConductingThyristir)亦稱反向?qū)ňчl管,。其特點(diǎn)是在晶閘管的陽(yáng)極與陰極之間反向并聯(lián)一只二極管，使陽(yáng)極與陰極的發(fā)射結(jié)均呈短路狀態(tài),。由于這種特殊電路結(jié)構(gòu),，使之具有耐高壓、耐高溫,、關(guān)斷時(shí)間短,、通態(tài)電壓低等優(yōu)良性能。例如,，逆導(dǎo)晶閘管的關(guān)斷時(shí)間*幾微秒,，工作頻率達(dá)幾十千赫，優(yōu)于快速晶閘管（FSCR）,。該器件適用于開關(guān)電源、UPS不間斷電源中,，一只...

硒堆的特點(diǎn)是其動(dòng)作電壓和溫度有關(guān),，溫度越低耐壓越高；另外是硒堆具有自恢復(fù)特性,，能多次使用,，當(dāng)過(guò)電壓動(dòng)作后硒基片上的灼傷孔被溶化的硒重新覆蓋，又重新恢復(fù)其工作特性,。壓敏電阻是以氧化鋅為基體的金屬氧化物非線性電阻,，其結(jié)構(gòu)為兩個(gè)電極，電極之間填充的粒徑為10~50μm的不規(guī)則的ZNO微結(jié)晶,，結(jié)晶粒間是厚約1μm的氧化鉍粒界層,。這個(gè)粒界層在正常電壓下呈高阻狀態(tài)，只有很小的漏電流,，其值小于100μA,。當(dāng)加上電壓時(shí)，引起了電子雪崩,，粒界層迅速變成低阻抗,，電流迅速增加，泄漏了能量,，了過(guò)電壓,，從而使晶閘管得到保護(hù)。浪涌過(guò)后,，粒界層又恢復(fù)為高阻態(tài),。壓敏電阻的特性主要由下面幾個(gè)參數(shù)來(lái)表示。標(biāo)稱電壓：指壓敏...

晶閘管模塊電流規(guī)格的選取 1,、根據(jù)負(fù)載性質(zhì)及負(fù)載額定電流進(jìn)行選取 （1）電阻負(fù)載的較大電流應(yīng)是負(fù)載額定電流的2倍,。 （2）感性負(fù)載的較大電流應(yīng)為額定負(fù)載電流的3倍,。 （3）負(fù)載電流變化較大時(shí)，電流倍數(shù)適當(dāng)增大,。 （4）在運(yùn)行過(guò)程中,，負(fù)載的實(shí)際工作電流不應(yīng)超過(guò)模塊的較大電流。 2,、散熱器風(fēng)機(jī)的選用 模塊正常工作時(shí)必須配備散熱器和風(fēng)機(jī),，推薦采用廠家配套的散熱器和風(fēng)機(jī)。如果用戶是自己提供的,，則使用以下原則來(lái)選擇： （1）模塊正常工作時(shí),，必須能保證冷卻底板溫度不超過(guò)75℃； （2）當(dāng)模塊負(fù)載較輕時(shí),，可減小散熱器的尺寸或采用自然冷卻,； （3...

電焊機(jī)在進(jìn)行各種金屬焊接時(shí)，根據(jù)焊接工藝的不同,，對(duì)焊接時(shí)電弧的電壓和電流有不同的要求,，因此需要各種不同特*流或直流電源。例如,，在點(diǎn),、凸、峰焊,、電阻焊時(shí)需要調(diào)節(jié)焊接隔離變壓器原邊的電壓大?。ㄏ嗫卣{(diào)壓或改變通過(guò)的周波數(shù)量），屬于晶閘管應(yīng)用于交流調(diào)壓,；在各種氬弧焊,、CO2氣體保護(hù)焊中需要的是直流電源或交直流方波電源。交流應(yīng)用時(shí),，反并聯(lián)的晶閘管串接在主回路中,，直流調(diào)壓應(yīng)用時(shí)，晶閘管可以組成單,、三相全控或半控或雙反星型電路,。改變晶閘管的導(dǎo)通角或控制晶閘管的開關(guān)時(shí)間即可達(dá)到調(diào)節(jié)焊接電壓和電流的目的。尤其是近幾年來(lái),，CO2氣體保護(hù)焊機(jī)發(fā)展比較迅速,，據(jù)報(bào)道，發(fā)達(dá)國(guó)家這種焊機(jī)占到百分之六十或七十的比例,，...

3）換相沖擊電壓包括換相過(guò)電壓和換相振蕩過(guò)電壓,。換相過(guò)電壓是由于晶閘管的電流降為0時(shí)器件內(nèi)部各結(jié)層殘存載流子復(fù)合所產(chǎn)生的，所以又叫載流子積蓄效應(yīng)引起的過(guò)電壓,。換相過(guò)電壓之后,，出現(xiàn)換相振蕩過(guò)電壓,，它是由于電感、電容形成共振產(chǎn)生的振蕩電壓,，其值和換相結(jié)束后的反向電壓有關(guān),。反向電壓越高，換相振蕩過(guò)電壓也越大,。針對(duì)形成過(guò)電壓的不同原因,，可以采取不同的方法，如減少過(guò)電壓源,，并使過(guò)電壓幅值衰減,；過(guò)電壓能量上升的速率，延緩已產(chǎn)生能量的消散速度,，增加其消散的途徑,；采用電子線路進(jìn)行保護(hù)等。**常用的是在回路中接入吸收能量的元件,，使能量得以消散,，常稱之為吸收回路或緩沖電路。（4）阻容吸收回路通常過(guò)電壓均具有...

當(dāng)正向電壓超過(guò)其斷態(tài)重復(fù)峰值電壓UDRM一定值時(shí)晶閘管就會(huì)誤導(dǎo)通,，引發(fā)電路故障,；當(dāng)外加反向電壓超過(guò)其反向重復(fù)峰值電壓URRM一定值時(shí)，晶閘管就會(huì)立即損壞,。因此,，必須研究過(guò)電壓的產(chǎn)生原因及過(guò)電壓的方法。過(guò)電壓產(chǎn)生的原因主要是供給的電功率或系統(tǒng)的儲(chǔ)能發(fā)生了激烈的變化,，使得系統(tǒng)來(lái)不及轉(zhuǎn)換,，或者系統(tǒng)中原來(lái)積聚的電磁能量來(lái)不及消散而造成的。主要發(fā)現(xiàn)為雷擊等外來(lái)沖擊引起的過(guò)電壓和開關(guān)的開閉引起的沖擊電壓兩種類型,。由雷擊或高壓斷路器動(dòng)作等產(chǎn)生的過(guò)電壓是幾微秒至幾毫秒的電壓尖峰,，對(duì)晶閘管是很危險(xiǎn)的。由開關(guān)的開閉引起的沖擊電壓又分為如下幾類：（1）交流電源接通,、斷開產(chǎn)生的過(guò)電壓例如,，交流開關(guān)的開閉、交流...

漏電流：指加一半標(biāo)稱直流電壓時(shí)測(cè)得的流過(guò)壓敏電阻的電流,。由于壓敏電阻的通流容量大,，殘壓低，過(guò)電壓能力強(qiáng),；平時(shí)漏電流小,，放電后不會(huì)有續(xù)流,，元件的標(biāo)稱電壓等級(jí)多，便于用戶選擇,；伏安特性是對(duì)稱的,，可用于交、直流或正負(fù)浪涌,；因此用途較廣,。2、過(guò)電流保護(hù)由于半導(dǎo)體器件體積小,、熱容量小,，特別像晶閘管這類高電壓大電流的功率器件，結(jié)溫必須受到嚴(yán)格的控制,，否則將遭至徹底損壞,。當(dāng)晶閘管中流過(guò)大于額定值的電流時(shí)，熱量來(lái)不及散發(fā),，使得結(jié)溫迅速升高,，**終將導(dǎo)致結(jié)層被燒壞。產(chǎn)生過(guò)電流的原因是多種多樣的,，例如,，變流裝置本身晶閘管損壞，觸發(fā)電路發(fā)生故障,，控制系統(tǒng)發(fā)生故障等,，以及交流電源電壓過(guò)高、過(guò)低或缺相,，負(fù)載過(guò)載或...

750V通態(tài)平均電流IT（AV）：5A比較大通態(tài)電壓VT：3V（IT=30A）比較大反向?qū)妷篤TR：<比較大門極觸發(fā)電壓VGT:4V比較大門極觸發(fā)電流IGT:40mA關(guān)斷時(shí)間toff:μs通態(tài)電壓臨界上升率du/dt:120V/μs通態(tài)浪涌電流ITSM:80A利用萬(wàn)用表和兆歐表可以檢查逆導(dǎo)晶閘管的好壞,。測(cè)試內(nèi)容主要分三項(xiàng)：1．檢查逆導(dǎo)性選擇萬(wàn)用表R×1檔，黑表筆接K極,，紅表筆接A極（參見圖3(a)）,，電阻值應(yīng)為5～10Ω。若阻值為零,，證明內(nèi)部二極管短路,；電阻為無(wú)窮大，說(shuō)明二極管開路,。2．測(cè)量正向直流轉(zhuǎn)折電壓V（BO）按照（b）圖接好電路,，再按額定轉(zhuǎn)速搖兆歐表，使RCT正向擊穿,，由直...

當(dāng)正向電壓超過(guò)其斷態(tài)重復(fù)峰值電壓UDRM一定值時(shí)晶閘管就會(huì)誤導(dǎo)通,，引發(fā)電路故障；當(dāng)外加反向電壓超過(guò)其反向重復(fù)峰值電壓URRM一定值時(shí)，晶閘管就會(huì)立即損壞,。因此,，必須研究過(guò)電壓的產(chǎn)生原因及過(guò)電壓的方法。過(guò)電壓產(chǎn)生的原因主要是供給的電功率或系統(tǒng)的儲(chǔ)能發(fā)生了激烈的變化,，使得系統(tǒng)來(lái)不及轉(zhuǎn)換,，或者系統(tǒng)中原來(lái)積聚的電磁能量來(lái)不及消散而造成的。主要發(fā)現(xiàn)為雷擊等外來(lái)沖擊引起的過(guò)電壓和開關(guān)的開閉引起的沖擊電壓兩種類型,。由雷擊或高壓斷路器動(dòng)作等產(chǎn)生的過(guò)電壓是幾微秒至幾毫秒的電壓尖峰,，對(duì)晶閘管是很危險(xiǎn)的。由開關(guān)的開閉引起的沖擊電壓又分為如下幾類：（1）交流電源接通,、斷開產(chǎn)生的過(guò)電壓例如,，交流開關(guān)的開閉、交流...

在快速無(wú)功補(bǔ)償和諧波濾波裝置中,，要用晶閘管投切電容器TSC,，。執(zhí)行元件晶閘管根據(jù)應(yīng)用場(chǎng)合的不同,，有餅式的,、模塊的和雙向可控硅的不同結(jié)構(gòu)型式。針對(duì)不同的主回路和不同的晶閘管型式,，觸發(fā)電路也不同,。TSC要求在晶閘管電壓過(guò)零點(diǎn)觸發(fā),，確定晶閘管電壓過(guò)零點(diǎn)的方法有兩種,，一種是從電網(wǎng)電壓取得同步信號(hào),，另一種是從晶閘管的陽(yáng)極和陰極取得過(guò)零信號(hào),。晶閘管投切電容器的原理晶閘管投切電容器組的關(guān)鍵技術(shù)是必須做到投切時(shí)無(wú)電流沖擊,。晶閘管投切電容器組的原理如圖1所示,。圖1晶閘管投切電容器組的原理可控硅晶閘管模塊產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)特點(diǎn)1.電壓過(guò)零觸發(fā),，電流過(guò)零斷開,，無(wú)沖擊電流,；2.光電隔離，抗干擾能力強(qiáng),，響應(yīng)時(shí)間＜15ms...

1,、過(guò)流保護(hù)如果想得到較安全的過(guò)流保護(hù)，建議用戶優(yōu)先使用內(nèi)部帶過(guò)流保護(hù)作用的模塊,。另外還可采用外接快速熔斷器,、快速過(guò)電流繼電器、傳感器的方法,?？焖偃蹟嗥魇?*簡(jiǎn)單常用的方法，介紹如下：（1）快速熔斷器的選擇：①,、熔斷器的額定電壓應(yīng)大于模塊輸入端電壓,；②,、熔斷器的額定電流應(yīng)為模塊標(biāo)稱輸入電流的，按照計(jì)算值選擇相同電流或稍大一點(diǎn)的熔斷器,。模塊輸入,、輸出電流的換算關(guān)系參考本本博客有關(guān)文章。用戶也可根據(jù)經(jīng)驗(yàn)和試驗(yàn)自行確定熔斷器的額定電流,。（2）接線方法：快速熔斷器接在模塊的輸入端,，負(fù)載接輸出端。2,、過(guò)壓保護(hù)晶閘管承受過(guò)電壓的能力較差,，當(dāng)元件承受的反向電壓超過(guò)其反向擊穿電壓時(shí)，即使時(shí)間很短,，也會(huì)造...

它既保留了普通晶閘管耐壓高,、電流大等優(yōu)點(diǎn)，以具有自關(guān)斷能力,，使用方便,，是理想的高壓、大電流開關(guān)器件,。GTO的容量及使用壽命均超過(guò)巨型晶體管（GTR）,，只是工作頻紡比GTR低。GTO已達(dá)到3000A,、4500V的容量,。大功率可關(guān)斷晶閘管已用于斬波調(diào)速、變頻調(diào)速,、逆變電源等領(lǐng)域,，顯示出強(qiáng)大的生命力?？申P(guān)斷晶閘管也屬于PNPN四層三端器件,，其結(jié)構(gòu)及等效電路和普通晶閘管相同，因此圖1*繪出GTO典型產(chǎn)品的外形及符號(hào),。大功率GTO大都制成模塊形式,。盡管GTO與SCR的觸發(fā)導(dǎo)通原理相同，但二者的關(guān)斷原理及關(guān)斷方式截然不同,。這是由于普通晶閘管在導(dǎo)通之后即外于深度飽和狀態(tài),，而GTO在導(dǎo)通后只能達(dá)到臨界...

晶閘管模塊的工作原理 在晶閘管模塊T的工作過(guò)程中，晶閘管模塊的陽(yáng)極A和陰極K與電源和負(fù)載相連,，構(gòu)成晶閘管模塊的主電路,。晶閘管模塊的柵極G和陰極K與控制可控硅的裝置相連，形成晶閘管模塊的控制電路。 從晶閘管模塊的內(nèi)部分析工作過(guò)程： 晶閘管模塊是一種四層三端器件,。它有J1,、J2和J3的三個(gè)pn結(jié)圖。中間的NP可分為PNP型三極管和NPN型三極管兩部分,。 當(dāng)晶閘管模塊承載正向陽(yáng)極電壓時(shí),，為了制造晶閘管模塊導(dǎo)體銅，承受反向電壓的pn結(jié)J2必須失去其阻擋作用,。每個(gè)晶體管的集電極電流同時(shí)是另一個(gè)晶體管的基極電流,。因此，當(dāng)有足夠的柵極電流Ig流入時(shí),，兩個(gè)復(fù)合晶體管電路會(huì)形成較強(qiáng)的...

3）換相沖擊電壓包括換相過(guò)電壓和換相振蕩過(guò)電壓,。換相過(guò)電壓是由于晶閘管的電流降為0時(shí)器件內(nèi)部各結(jié)層殘存載流子復(fù)合所產(chǎn)生的，所以又叫載流子積蓄效應(yīng)引起的過(guò)電壓,。換相過(guò)電壓之后,，出現(xiàn)換相振蕩過(guò)電壓，它是由于電感,、電容形成共振產(chǎn)生的振蕩電壓,，其值和換相結(jié)束后的反向電壓有關(guān)。反向電壓越高,，換相振蕩過(guò)電壓也越大,。針對(duì)形成過(guò)電壓的不同原因，可以采取不同的方法,，如減少過(guò)電壓源,，并使過(guò)電壓幅值衰減；過(guò)電壓能量上升的速率,，延緩已產(chǎn)生能量的消散速度,，增加其消散的途徑；采用電子線路進(jìn)行保護(hù)等,。**常用的是在回路中接入吸收能量的元件,，使能量得以消散，常稱之為吸收回路或緩沖電路,。（4）阻容吸收回路通常過(guò)電壓均具有...

5光控晶閘管是通過(guò)光信號(hào)控制晶閘管觸發(fā)導(dǎo)通的器件,，它具有很強(qiáng)的抗干擾能力,、良好的高壓絕緣性能和較高的瞬時(shí)過(guò)電壓承受能力,，因而被應(yīng)用于高壓直流輸電(HVDC)、靜止無(wú)功功率補(bǔ)償(SVC)等領(lǐng)域,。其研制水平大約為8000V/3600A,。6逆變晶閘管因具有較短的關(guān)斷時(shí)間(10～15s)而主要用于中頻感應(yīng)加熱。在逆變電路中，它已讓位于GTR,、GTO,、IGBT等新器件。目前,，其比較大容量介于2500V/1600A/1kHz和800V/50A/20kHz的范圍之內(nèi),。7非對(duì)稱晶閘管是一種正、反向電壓耐量不對(duì)稱的晶閘管,。而逆導(dǎo)晶閘管不過(guò)是非對(duì)稱晶閘管的一種特例,，是將晶閘管反并聯(lián)一個(gè)二極管制作在同一管芯...

充電電源，電機(jī)調(diào)速,，感應(yīng)加熱及熱處理等各種整流,、逆變和變頻領(lǐng)域。我公司所生產(chǎn)的電力電子器件成功的替代了多種進(jìn)口器件,，實(shí)現(xiàn)了自動(dòng)軋機(jī)原器件的國(guó)產(chǎn)化,；6K、6G,、8K,、8G電力機(jī)車原器件也全部由我公司國(guó)產(chǎn)化，使用壽命超過(guò)了進(jìn)口元件,。在自動(dòng)控制方面,，我公司成功開發(fā)出各種工控板，應(yīng)用在各種不同的場(chǎng)合,，真正形成了控制方式靈活,，保護(hù)齊全，可靠性高的優(yōu)勢(shì),。與模塊結(jié)合開發(fā)了智能模塊,。廣泛應(yīng)用于不同行業(yè)各種領(lǐng)。在散熱器方面公司成功開發(fā)了,，通過(guò)努力已進(jìn)入了國(guó)內(nèi)的輸變電行業(yè),、機(jī)車行業(yè)所需的高端市場(chǎng)。我公司秉承快速反應(yīng),、持續(xù)改進(jìn)的工作作風(fēng),，融入世界的發(fā)展戰(zhàn)略，致力于提高品牌知名度的發(fā)展目標(biāo),，建成國(guó)際前列,、國(guó)內(nèi)...

所述第三螺栓和第三螺母之間還設(shè)置有彈簧墊圈和平墊圈。此外,，所述晶閘管單元中,，所述壓塊7上還設(shè)置有絕緣套管,。其中，所述絕緣套管與對(duì)應(yīng)的壓塊之間還設(shè)置有墊圈,。相類似地,，所述第二晶閘管單元中，所述第二壓塊12上還設(shè)置有絕緣套管,。其中,，所述絕緣套管與對(duì)應(yīng)的壓塊之間還設(shè)置有墊圈。為了實(shí)現(xiàn)門極銅排的安裝,，所述外殼1上還設(shè)置有門極銅排安裝座,。綜上所述，本發(fā)明的立式晶閘管模塊通過(guò)設(shè)置接頭,、第二接頭和第三接頭,、封裝于外殼內(nèi)部的晶閘管單元和第二晶閘管單元能夠?qū)崿F(xiàn)電力系統(tǒng)的多路控制，有效保證了電力系統(tǒng)的正常運(yùn)行,。對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言,，顯然本發(fā)明不限于上述示范性實(shí)施例的細(xì)節(jié)，而且在不背離本發(fā)明的精神或基本特...

)=174A-232A顯然,，通過(guò)以上的計(jì)算對(duì)于采用雙反星型并聯(lián)電路的ZX5-630,；NBK-630；WSM-630焊機(jī)應(yīng)選擇MTG200-300A/800V或MTG(AA)130-200A/400V的模塊,。比較好選MTG250--300A/800V或MTG(AA)160-200A/400V的模塊.當(dāng)然,，焊機(jī)可靠長(zhǎng)期正常工作除了與模塊正確選型有關(guān)外，與以下因素還有一定的關(guān)系：2焊機(jī)暫載率即額定負(fù)荷工作持續(xù)率（FS）：根據(jù)焊機(jī)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)此類焊機(jī)暫載率一般為：35%,；60%,；。其定義如下：暫載率FS=負(fù)載滿負(fù)荷持續(xù)運(yùn)行時(shí)間（t）/[負(fù)載滿負(fù)荷持續(xù)運(yùn)行時(shí)間+休止時(shí)間]x=t/Tx上式中T為焊機(jī)的...

按規(guī)定應(yīng)采用風(fēng)冷的模塊而采用自冷時(shí),，則電流的額定值應(yīng)降低到原有值的30～40[%],，反之如果改為采用水冷時(shí)，則電流的額定值可以增大30～40[%],。為了幫助用戶合理選擇散熱器和風(fēng)機(jī),，我們確定了不同型號(hào)模塊在其額定電流工作狀態(tài)下，環(huán)境溫度為40℃時(shí)所需的散熱器長(zhǎng)度,、風(fēng)機(jī)規(guī)格,、數(shù)量及散熱器基礎(chǔ)參數(shù)等，請(qǐng)參考說(shuō)明書,。另外,，在表內(nèi)出具了每個(gè)型號(hào)的模塊在峰值壓降、比較大標(biāo)稱電流和阻性負(fù)載條件下的功耗值,，以便于用戶自己確定散熱器尺寸時(shí)做參考,。在實(shí)際應(yīng)用中，應(yīng)注意以下幾點(diǎn)：（1）軸流風(fēng)機(jī)風(fēng)速應(yīng)≥6m/s,。（2）若模塊達(dá)不到滿負(fù)荷工作,，可酌減散熱器長(zhǎng)度。（3）在設(shè)備開機(jī)前,，應(yīng)檢查模塊所有螺釘是否牢固,，...

1晶閘管模塊被廣泛應(yīng)用于工業(yè)行業(yè)中，對(duì)于一些專業(yè)的電力技術(shù)人員,，都知道晶閘管模塊的來(lái)歷及各種分類,。不過(guò)現(xiàn)在從事這一行的人越來(lái)越多，有的采購(gòu)人員對(duì)這方面還不是很了解,。有的客戶也經(jīng)常問(wèn)起我們晶閘管模塊的來(lái)歷?，F(xiàn)在晶閘管廠家昆二晶就為大家分享一下：2晶閘管模塊誕生后，其結(jié)構(gòu)的改進(jìn)和工藝的,，為新器件的不斷出現(xiàn)提供了條件,。1964年，雙向晶閘管在GE公司開發(fā)成功,，應(yīng)用于調(diào)光和馬達(dá)控制,；1965年，小功率光觸發(fā)晶閘管出現(xiàn),，為其后出現(xiàn)的光耦合器打下了基礎(chǔ),；60年代后期，大功率逆變晶閘管問(wèn)世,，成為當(dāng)時(shí)逆變電路的基本元件,；1974年，逆導(dǎo)晶閘管和非對(duì)稱晶閘管研制完成,。3普通晶閘管廣泛應(yīng)用于交直流調(diào)速,、調(diào)...

晶體閘流管工作過(guò)程編輯晶閘管是四層三端器件，它有J1,、J2,、J3三個(gè)PN結(jié)圖1，可以把它中間的NP分成兩部分,，構(gòu)成一個(gè)PNP型三極管和一個(gè)NPN型三極管的復(fù)合管當(dāng)晶閘管承受正向陽(yáng)極電壓時(shí),，為使晶閘管導(dǎo)通，必須使承受反向電壓的PN結(jié)J2失去阻擋作用,。因此,，兩個(gè)互相復(fù)合的晶體管電路，當(dāng)有足夠的門極電流Ig流入時(shí),，就會(huì)形成強(qiáng)烈的正反饋,，造成兩晶體管飽和導(dǎo)通,，晶體管飽和導(dǎo)通。設(shè)PNP管和NPN管的集電極電流相應(yīng)為Ic1和Ic2,；發(fā)射極電流相應(yīng)為Ia和Ik,；電流放大系數(shù)相應(yīng)為a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik，設(shè)流過(guò)J2結(jié)的反相漏電電流為Ic0,晶閘管的陽(yáng)極電流等于兩管的集電極電流和漏電流的...

它既保留了普通晶閘管耐壓高,、電流大等優(yōu)點(diǎn),，以具有自關(guān)斷能力，使用方便,，是理想的高壓,、大電流開關(guān)器件。GTO的容量及使用壽命均超過(guò)巨型晶體管（GTR）,，只是工作頻紡比GTR低,。GTO已達(dá)到3000A、4500V的容量,。大功率可關(guān)斷晶閘管已用于斬波調(diào)速,、變頻調(diào)速、逆變電源等領(lǐng)域,，顯示出強(qiáng)大的生命力,。可關(guān)斷晶閘管也屬于PNPN四層三端器件,，其結(jié)構(gòu)及等效電路和普通晶閘管相同,，因此圖1*繪出GTO典型產(chǎn)品的外形及符號(hào)。大功率GTO大都制成模塊形式,。盡管GTO與SCR的觸發(fā)導(dǎo)通原理相同,，但二者的關(guān)斷原理及關(guān)斷方式截然不同。這是由于普通晶閘管在導(dǎo)通之后即外于深度飽和狀態(tài),，而GTO在導(dǎo)通后只能達(dá)到臨界...

硒堆的特點(diǎn)是其動(dòng)作電壓和溫度有關(guān),，溫度越低耐壓越高；另外是硒堆具有自恢復(fù)特性,，能多次使用,，當(dāng)過(guò)電壓動(dòng)作后硒基片上的灼傷孔被溶化的硒重新覆蓋，又重新恢復(fù)其工作特性,。壓敏電阻是以氧化鋅為基體的金屬氧化物非線性電阻,，其結(jié)構(gòu)為兩個(gè)電極，電極之間填充的粒徑為10~50μm的不規(guī)則的ZNO微結(jié)晶,，結(jié)晶粒間是厚約1μm的氧化鉍粒界層,。這個(gè)粒界層在正常電壓下呈高阻狀態(tài)，只有很小的漏電流,，其值小于100μA,。當(dāng)加上電壓時(shí),，引起了電子雪崩，粒界層迅速變成低阻抗,，電流迅速增加,，泄漏了能量，了過(guò)電壓,，從而使晶閘管得到保護(hù)。浪涌過(guò)后,，粒界層又恢復(fù)為高阻態(tài),。壓敏電阻的特性主要由下面幾個(gè)參數(shù)來(lái)表示。標(biāo)稱電壓：指壓敏...

晶閘管模塊的工作條件： 1.當(dāng)晶閘管模塊承受正向陽(yáng)極電壓時(shí),，只有在門級(jí)承受正向電壓時(shí),，晶閘管才打開。此時(shí),，晶閘管處于正導(dǎo)通狀態(tài),，這就是晶閘管的晶閘管特性，即可控特性,。 2.晶閘管模塊開著時(shí),，只要有一定的正極電壓，不管門級(jí)電壓是多少,，晶閘管都繼續(xù)工作,，即晶閘管接通后，門級(jí)就失去了功能,。門級(jí)只會(huì)起到觸發(fā)的作用,。 3.當(dāng)主電路電壓（或電流）降至接近零時(shí)，當(dāng)主電路電壓（或電流）降為零時(shí),，晶閘管模塊被關(guān)閉,。 4.當(dāng)晶閘管模塊承受反向陽(yáng)極電壓時(shí)，無(wú)論門級(jí)承受何種電壓,，晶閘管都處于反向閉鎖狀態(tài),。在中頻爐中整流側(cè)關(guān)斷時(shí)間采用KP-60微秒以內(nèi)，逆變側(cè)關(guān)短時(shí)間采用KK-30微秒以內(nèi),。...

VDRM）的計(jì)算：由公式：Ud=考慮兩倍的選擇余量后VRRM,；VDRM=2xxU2=2x因此選擇耐壓200V-300V的器件足夠。2,、器件額定電流IT（AV）的計(jì)算：由于該線路相當(dāng)于兩組三相半波整流電路的串聯(lián),根據(jù)公式：Ie=:Ie=(此值為交流有效值)折算為平均值IT（AV）=Ie/考慮選型需按IT(AV)=()IT=232A()=348A-462A顯然,目前沒有如此大電流的模塊,應(yīng)建議客戶采用400-500A的平板式可控硅為宜,。以上兩種線路對(duì)器件耐壓和通流能力的要求是不一樣的。后一種線路對(duì)器件耐壓要求比前一種線路低一倍,，但通流能力要求大兩倍,。四,、使用模塊產(chǎn)品注意事項(xiàng)：l電力半導(dǎo)體模...

特點(diǎn)：1、芯片與底板電氣絕緣2,、國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)封裝3,、全壓接結(jié)構(gòu)，優(yōu)良的溫度特性和功率循環(huán)能力4,、350A以下模塊皆為強(qiáng)迫風(fēng)冷,，400A以上模塊既可選用風(fēng)冷，也可選用水冷5,、安裝簡(jiǎn)單,，使用維修方便典型應(yīng)用：1、交直流電機(jī)控制2,、各種整流電源3,、工業(yè)加熱控制4、調(diào)光5,、無(wú)觸點(diǎn)開關(guān)6,、電機(jī)軟起動(dòng)7、靜止無(wú)功補(bǔ)償8,、電焊機(jī)9,、變頻器10、UPS電源11,、如果產(chǎn)品裝機(jī)配型不適用,，可退換貨給您滿意貼心的服務(wù)，是我們一貫的宗旨,！有10多年功率半導(dǎo)體元器件制造經(jīng)驗(yàn),，是專業(yè)從事功率半導(dǎo)體器件的研發(fā)、封裝,、測(cè)試,、銷售、技術(shù)服務(wù)為一體的高新技術(shù)企業(yè),，多年來(lái)一直從事冶金自動(dòng)化和鐵路電氣化領(lǐng)域的國(guó)產(chǎn)化工作,。我公司的...

簡(jiǎn)稱過(guò)零型）和隨機(jī)導(dǎo)通型（簡(jiǎn)稱隨機(jī)型）；按輸出開關(guān)元件分有雙向可控硅輸出型（普通型）和單向可控硅反并聯(lián)型（增強(qiáng)型）,；按安裝方式分有印刷線路板上用的針插式（自然冷卻,，不必帶散熱器）和固定在金屬底板上的裝置式（靠散熱器冷卻）；另外輸入端①直流恒流控制型（D3）,，電壓為3-36Vdc寬范圍,，驅(qū)動(dòng)電流為5-15mA；②直流抗干擾控制型（D2），電壓為18-30Vdc,；③串電阻限流型（D1）,，電壓為4-8Vdc，**于隨機(jī)型LSR,；④交流控制型（A3）,，電壓為90-430Vac寬范圍。⑴過(guò)零型(Z型)與隨機(jī)型(P型)LSR的區(qū)別由于觸發(fā)信號(hào)方式不同,，過(guò)零型和隨機(jī)型之間的區(qū)別主要在于負(fù)載交流電流導(dǎo)...

電焊機(jī)在進(jìn)行各種金屬焊接時(shí),，根據(jù)焊接工藝的不同，對(duì)焊接時(shí)電弧的電壓和電流有不同的要求,，因此需要各種不同特*流或直流電源,。例如，在點(diǎn),、凸,、峰焊,、電阻焊時(shí)需要調(diào)節(jié)焊接隔離變壓器原邊的電壓大?。ㄏ嗫卣{(diào)壓或改變通過(guò)的周波數(shù)量），屬于晶閘管應(yīng)用于交流調(diào)壓,；在各種氬弧焊,、CO2氣體保護(hù)焊中需要的是直流電源或交直流方波電源。交流應(yīng)用時(shí),，反并聯(lián)的晶閘管串接在主回路中,，直流調(diào)壓應(yīng)用時(shí)，晶閘管可以組成單,、三相全控或半控或雙反星型電路,。改變晶閘管的導(dǎo)通角或控制晶閘管的開關(guān)時(shí)間即可達(dá)到調(diào)節(jié)焊接電壓和電流的目的。尤其是近幾年來(lái),，CO2氣體保護(hù)焊機(jī)發(fā)展比較迅速,，據(jù)報(bào)道，發(fā)達(dá)國(guó)家這種焊機(jī)占到百分之六十或七十的比例,，...