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國內(nèi)膜厚儀量大從優(yōu)

來源: 發(fā)布時間:2024-03-10

通過白光干涉理論分析,,詳細介紹了白光垂直掃描干涉技術(shù)和白光反射光譜技術(shù)的基本原理,,并完成了應用于測量靶丸殼層折射率和厚度分布實驗裝置的設計和搭建。該實驗裝置由白光反射光譜探測模塊,、靶丸吸附轉(zhuǎn)位模塊,、三維運動模塊和氣浮隔震平臺等組成,能夠?qū)崿F(xiàn)對靶丸的負壓吸附,、靶丸位置的精密調(diào)整以及360°范圍的旋轉(zhuǎn)和特定角度下靶丸殼層白光反射光譜的測量,。基于白光垂直掃描干涉和白光反射光譜的基本原理,,提出了一種聯(lián)合使用的靶丸殼層折射率測量方法,。該方法利用白光反射光譜測量靶丸殼層光學厚度,利用白光垂直掃描干涉技術(shù)測量光線通過靶丸殼層后的光程增量,,從而可以計算得到靶丸的折射率和厚度數(shù)據(jù),。可測量大氣壓下薄膜厚度在1納米到1毫米之間,。國內(nèi)膜厚儀量大從優(yōu)

由于靶丸自身特殊的特點和極端的實驗條件,使得靶丸參數(shù)的測試工作變得異常復雜,。光學測量方法具有無損,、非接觸,、測量效率高、操作簡便等優(yōu)勢,,因此成為了測量靶丸參數(shù)的常用方式,。目前常用于靶丸幾何參數(shù)或光學參數(shù)測量的方法有白光干涉法、光學顯微干涉法,、激光差動共焦法等,。然而,靶丸殼層折射率是沖擊波分時調(diào)控實驗研究中的重要參數(shù),,因此對其進行精密測量具有重要意義,。 常用的折射率測量方法有橢圓偏振法、折射率匹配法,、白光光譜法,、布儒斯特角法等。白光干涉測試原理 膜厚儀標準樣品的選擇和使用對于保持儀器準確度至關重要,。

白光干涉光譜分析是目前白光干涉測量的一個重要方向,,此項技術(shù)主要是利用光譜儀將對條紋的測量轉(zhuǎn)變成為對不同波長光譜的測量。通過分析被測物體的光譜特性,,就能夠得到相應的長度信息和形貌信息,。相比于白光掃描干涉術(shù),它不需要大量的掃描過程,,因此提高了測量效率,,而且也減小了環(huán)境對它的影響。此項技術(shù)能夠測量距離,、位移,、塊狀材料的群折射率以及多層薄膜厚度。白干干涉光譜法是基于頻域干涉的理論,,采用白光作為寬波段光源,,經(jīng)過分光棱鏡,被分成兩束光,,這兩束光分別入射到參考鏡和被測物體,,反射回來后經(jīng)過分光棱鏡合成后,由色散元件分光至探測器,,記錄頻域上的干涉信號,。此光譜信號包含了被測表面的信息,如果此時被測物體是薄膜,,則薄膜的厚度也包含在這光譜信號當中,。這樣就把白光干涉的精度和光譜測量的速度結(jié)合起來,形成了一種精度高而且速度快的測量方法,。

常用白光垂直掃描干涉系統(tǒng)的原理:入射的白光光束通過半反半透鏡進入到顯微干涉物鏡后,,被分光鏡分成兩部分,,一個部分入射到固定的參考鏡,一部分入射到樣品表面,,當參考鏡表面和樣品表面的反射光通過分光鏡后,,再次匯聚產(chǎn)生干涉條紋,干涉光通過透鏡后,,利用電荷耦合器(CCD)可探測整個視場內(nèi)雙白光光束的干涉圖像,。利用Z向精密位移臺帶動干涉鏡頭或樣品臺Z向掃描,可獲得一系列的干涉圖像,。根據(jù)干涉圖像序列中對應點的光強隨光程差變化曲線,,可得該點的Z向相對位移;然后,,由CCD圖像中每個像素點光強最大值對應的Z向位置獲得被測樣品表面的三維形貌,。白光干涉膜厚儀是一種可用于測量透明和平行表面薄膜厚度的儀器。

薄膜是一種特殊的微結(jié)構(gòu),,在電子學,、摩擦學、現(xiàn)代光學等領域得到了廣泛應用,,因此薄膜的測試技術(shù)變得越來越重要,。尤其是在厚度這一特定方向上,尺寸很小,,基本上都是微觀可測量的,。因此,在微納測量領域中,,薄膜厚度的測試是一個非常重要且實用的研究方向,。在工業(yè)生產(chǎn)中,薄膜的厚度直接影響薄膜是否能正常工作,。在半導體工業(yè)中,,膜厚的測量是硅單晶體表面熱氧化厚度以及平整度質(zhì)量控制的重要手段。薄膜的厚度會影響其電磁性能,、力學性能和光學性能等,,因此準確地測量薄膜的厚度成為一種關鍵技術(shù)。白光干涉膜厚儀的應用非常廣,,特別是在半導體,、光學、電子和化學等領域,。防水膜厚儀源頭直供廠家

隨著技術(shù)的不斷進步和應用領域的拓展,,其性能和功能會得到提高和擴展。國內(nèi)膜厚儀量大從優(yōu)

在激光慣性約束核聚變實驗中,,靶丸的物性參數(shù)和幾何參數(shù)對靶丸制備工藝改進和仿真模擬核聚變實驗過程至關重要,。然而,,如何對靶丸多個參數(shù)進行同步、高精度,、無損的綜合檢測是激光慣性約束核聚變實驗中的關鍵問題。雖然已有多種薄膜厚度及折射率的測量方法,,但仍然無法滿足激光核聚變技術(shù)對靶丸參數(shù)測量的高要求,。此外,靶丸的參數(shù)測量存在以下問題:不能對靶丸進行破壞性切割測量,,否則被破壞的靶丸無法用于后續(xù)工藝處理或打靶實驗,;需要同時測得靶丸的多個參數(shù),因為不同參數(shù)的單獨測量無法提供靶丸制備和核聚變反應過程中發(fā)生的結(jié)構(gòu)變化的現(xiàn)象和規(guī)律,,并且效率低下,、沒有統(tǒng)一的測量標準。由于靶丸屬于自支撐球形薄膜結(jié)構(gòu),,曲面應力大,、難以展平,因此靶丸與基底不能完全貼合,,可在微觀區(qū)域內(nèi)視作類薄膜結(jié)構(gòu),。國內(nèi)膜厚儀量大從優(yōu)