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來源: 發(fā)布時間:2025-05-28

2,、識別方法:二極管的識別很簡單,,小功率二極管的N極(負極),,在二極管外表大多采用一種色圈標出來,,有些二極管也用二極管**符號來表示P極(正極)或N極(負極),,也有采用符號標志為“P”,、“N”來確定二極管極性的。發(fā)光二極管的正負極可從引腳長短來識別,,長腳為正,,短腳為負。3,、測試注意事項:用數(shù)字式萬用表去測二極管時,,紅表筆接二極管的正極,,黑表筆接二極管的負極,此時測得的阻值才是二極管的正向?qū)ㄗ柚?,這與指針式萬用表的表筆接法剛好相反,。電容器通常簡稱其為電容,用字母C表示,。長寧區(qū)質(zhì)量電子元器件設(shè)計

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對于表面無任何痕跡的熔斷電阻器好壞的判斷,,可借助萬用表R×1擋來測量,為保證測量準確,,應(yīng)將熔斷電阻器一端從電路上焊下,。若測得的阻值為無窮大,則說明此熔斷電阻器已失效開路,,若測得的阻值與標稱值相差甚遠,,表明電阻變值,也不宜再使用,。在維修實踐中發(fā)現(xiàn),,也有少數(shù)熔斷電阻器在電路中被擊穿短路的現(xiàn)象,,檢測時也應(yīng)予以注意,。4 電位器的檢測。檢查電位器時,,首先要轉(zhuǎn)動旋柄,,看看旋柄轉(zhuǎn)動是否平滑,開關(guān)是否靈活,,開關(guān)通,、斷時“喀噠”聲是否清脆,并聽一聽電位器內(nèi)部接觸點和電阻體摩擦的聲音,,如有“沙沙”聲,,說明質(zhì)量不好。用萬用表測試時,,先根據(jù)被測電位器阻值的大小,,選擇好萬用表的合適電阻擋位,然后可按下述方法進行檢測,。上海節(jié)能電子元器件推薦廠家半導(dǎo)體二極管又稱晶體二極管,,簡稱二極管(diode);它只往一個方向傳送電流的電子零件,。

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四十年代末世界上誕生了***只半導(dǎo)體三極管,,它以小巧、輕便,、省電,、壽命長等特點,,很快地被各國應(yīng)用起來,在很大范圍內(nèi)取代了電子管,。五十年代末期,,世界上出現(xiàn)了***塊集成電路,它把許多晶體管等電子元件集成在一塊硅芯片上,,使電子產(chǎn)品向更小型化發(fā)展,。集成電路從小規(guī)模集成電路迅速發(fā)展到大規(guī)模集成電路和超大規(guī)模集成電路,從而使電子產(chǎn)品向著高效能,、低能耗,、高精度、高穩(wěn)定,、智能化的方向發(fā)展,。由于,電子計算機發(fā)展經(jīng)歷的四個階段恰好能夠充分說明電子技術(shù)發(fā)展的四個階段的特性,,所以下面就從電子計算機發(fā)展的四個時代來說明電子技術(shù)發(fā)展的四個階段的特點,。

其中:1法拉=10^3毫法=10^6微法=10^9納法=10^12皮法容量大的電容其容量值在電容上直接標明,如10uF/16V容量小的電容其容量值在電容上用字母表示或數(shù)字表示字母表示法:1mF=1000uF 1P2=1.2PF 1n=1000PF數(shù)字表示法:一般用三位數(shù)字表示容量大小,,前兩位表示有效數(shù)字,,第三位數(shù)字是倍率。如:102表示10×10^2PF=1000PF 224表示22×10^4PF=0.2 2uF3,、電容容量誤差表符號FGJKLM允許誤差±1%,、±2%、±5%,、±10%,、±15%、±20%,。如:一瓷片電容為104J表示容量為0.1uF,、誤差為±5%。電感器用符號L表示,,它的基本單位是亨利(H),,常用毫亨(mH)為單位。

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C 對于正,、負極標志不明的電解電容器,,可利用上述測量漏電阻的方法加以判別。即先任意測一下漏電阻,,記住其大小,,然后交換表筆再測出一個阻值。兩次測量中阻值大的那一次便是正向接法,即黑表筆接的是正極,,紅表筆接的是負極,。D 使用萬用表電阻擋,采用給電解電容進行正,、反向充電的方法,,根據(jù)指針向右擺動幅度的大小,可估測出電解電容的容量,。3 可變電容器的檢測A 用手輕輕旋動轉(zhuǎn)軸,,應(yīng)感覺十分平滑,不應(yīng)感覺有時松時緊甚至有卡滯現(xiàn)象,。將載軸向前,、后、上,、下,、左、右等各個方向推動時,,轉(zhuǎn)軸不應(yīng)有松動的現(xiàn)象,。蜂鳴器是一種一體化結(jié)構(gòu)的電子訊響器,采用直流電壓供電,。楊浦區(qū)進口電子元器件檢測

電子元器件的發(fā)展史其實就是一部濃縮的電子發(fā)展史,。長寧區(qū)質(zhì)量電子元器件設(shè)計

在點接觸型晶體管開發(fā)成功的同時,結(jié)型晶體管論就已經(jīng)提出,,但是直至人們能夠制備超高純度的單晶以及能夠任意控制晶體的導(dǎo)電類型以后,,結(jié)型晶體管材真正得以出現(xiàn),。1950年,,具有使用價值的**早的鍺合金型晶體管誕生。1954年,,結(jié)型硅晶體管誕生,。此后,人們提出了場效應(yīng)晶體管的構(gòu)想,。隨著無缺陷結(jié)晶和缺陷控制等材料技術(shù),、晶體外誕生長技術(shù)和擴散摻雜技術(shù)、耐壓氧化膜的制備技術(shù),、腐蝕和光刻技術(shù)的出現(xiàn)和發(fā)展,,各種性能優(yōu)良的電子器件相繼出現(xiàn),電子元器件逐步從真空管時代進入晶體管時代和大規(guī)模,、超大規(guī)模集成電路時代,。逐步形成作為高技術(shù)產(chǎn)業(yè)**的半導(dǎo)體工業(yè)。長寧區(qū)質(zhì)量電子元器件設(shè)計

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