DDR模塊，DDRSDRAM全稱為DoubleDataRateSDRAM,，中文名為“雙倍數(shù)據(jù)率SDRAM”,，是在SDRAM的基礎(chǔ)上改進(jìn)而來，人們習(xí)慣稱為DDR,，DDR本質(zhì)上不需要提高時(shí)鐘頻率就能加倍提高SDRAM的數(shù)據(jù)傳輸速率,，它允許在時(shí)鐘的上升沿和下降沿讀取數(shù)據(jù)，因而其速度是標(biāo)準(zhǔn)SDRAM的兩倍。（1）DDRSDRAM管腳功能說明：圖6-1-5-1為512MDDR（8M×16bit×4Bank）的66-pinTSOP封裝圖和各引腳及功能簡述1,、CK/CK#是DDR的全局時(shí)鐘,，DDR的所有命令信號，地址信號都是以CK/CK#為時(shí)序參考的,。2,、CKE為時(shí)鐘使能信號，與SDRAM不同的是,，在進(jìn)行讀寫操作時(shí)CKE要保持為高電平,，當(dāng)CKE由高電平變?yōu)榈碗娖綍r(shí)，器件進(jìn)入斷電模式（所有BANK都沒有時(shí)）或自刷新模式（部分BANK時(shí)）,，當(dāng)CKE由低電平變?yōu)楦唠娖綍r(shí),，器件從斷電模式或自刷新模式中退出。3,、CS#為片選信號,，低電平有效。當(dāng)CS#為高時(shí)器件內(nèi)部的命令解碼將不工作,。同時(shí),，CS#也是命令信號的一部分。4,、RAS#,、CAS#、WE#分別為行選擇,、列選擇,、寫使能信號，低電平有效,。這三個(gè)信號與CS#一起組成了DDR的命令信號,。PCB設(shè)計(jì)中常用的電源電路有哪些？咸寧設(shè)計(jì)PCB設(shè)計(jì)原理

布線,，PCBLAYOUT在此階段的所有布線必須符合《PCBLayout業(yè)務(wù)資料及要求》,、《PCBLayout工藝參數(shù)》、《PCB加工工藝要求說明書》對整板布線約束的要求,。同時(shí)也應(yīng)該符合客戶對過孔工藝,、小線寬線距等的特殊要求，無法滿足時(shí)需和客戶客戶溝通并記錄到《設(shè)計(jì)中心溝通記錄》郵件通知客戶確認(rèn),。布線的流程步驟如下：關(guān)鍵信號布線→整板布線→ICT測試點(diǎn)添加→電源,、地處理→等長線處理→布線優(yōu)化,，關(guān)鍵信號布線關(guān)鍵信號布線的順序：射頻信號→中頻,、低頻信號→時(shí)鐘信號→高速信號。關(guān)鍵信號的布線應(yīng)該遵循如下基本原則：★優(yōu)先選擇參考平面是地平面的信號層走線,?！镆勒詹季智闆r短布線,。★走線間距單端線必須滿足3W以上,，差分線對間距必須滿足20Mil以上黃岡高效PCB設(shè)計(jì)規(guī)范PCB布局設(shè)計(jì)中布線的設(shè)計(jì)技巧,。

模塊劃分（1）布局格點(diǎn)設(shè)置為50Mil。（2）以主芯片為中心的劃分準(zhǔn)則,把該芯片相關(guān)阻容等分立器件放在同一模塊中,。（3）原理圖中單獨(dú)出現(xiàn)的分立器件,，要放到對應(yīng)芯片的模塊中，無法確認(rèn)的,，需要與客戶溝通,然后再放到對應(yīng)的模塊中,。（4）接口電路如有結(jié)構(gòu)要求按結(jié)構(gòu)要求，無結(jié)構(gòu)要求則一般放置板邊,。主芯片放置并扇出（1）設(shè)置默認(rèn)線寬,、間距和過孔：線寬：表層設(shè)置為5Mil；間距：通用線到線5Mil,、線到孔（外焊盤）5Mil,、線到焊盤5Mil、線到銅5Mil,、孔到焊盤5Mil,、孔到銅5Mil；過孔：選擇VIA8_F,、VIA10_F,、VIA10等；（2）格點(diǎn)設(shè)置為25Mil,，將芯片按照中心抓取放在格點(diǎn)上,。（3）BGA封裝的主芯片可以通過軟件自動扇孔完成。（4）主芯片需調(diào)整芯片的位置,，使扇出過孔在格點(diǎn)上,，且過孔靠近管腳，孔間距50Mil,，電源/地孔使用靠近芯片的一排孔,，然后用表層線直接連接起來。

PCBLAYOUT規(guī)范PCBLayout整個(gè)流程是：網(wǎng)表導(dǎo)入-結(jié)構(gòu)繪制-設(shè)計(jì)規(guī)劃-布局-布線-絲印調(diào)整-Gerber輸出,。1.1網(wǎng)表導(dǎo)入網(wǎng)表導(dǎo)入子流程如下：創(chuàng)建PCB文件→設(shè)置庫路徑→導(dǎo)入網(wǎng)表,。創(chuàng)建PCB文件（1）建立一個(gè)全新PCBLayout文件，并對其命名,。（2）命名方式：“項(xiàng)目名稱+日期+版本狀態(tài)”,，名稱中字母全部大寫，以日期加上版本狀態(tài)為后綴，用以區(qū)分設(shè)計(jì)文件進(jìn)度,。舉例：ABC123_1031A1其中ABC123為項(xiàng)目名稱,，1031為日期，A1為版本狀態(tài),，客戶有特殊指定要求的除外,。（3）改版沿用上一版的PCB文件。設(shè)置庫路徑（1）將封裝庫文件放入LIB文件夾內(nèi)或庫文件內(nèi),，由客戶提供的封裝及經(jīng)我司封裝組確認(rèn)的封裝可直接加入LIB文件夾內(nèi)或庫文件內(nèi),，未經(jīng)審核的封裝文件，不得放入LIB文件夾內(nèi)或庫文件內(nèi),。（2）對設(shè)計(jì)文件設(shè)置庫路徑,，此路徑指向該項(xiàng)目文件夾下的LIB文件夾或庫文件，路徑指向必須之一,，禁止設(shè)置多指向路徑,。京曉科技給您分享屏蔽罩設(shè)計(jì)的具體實(shí)例。

ICT測試點(diǎn)添加ICT測試點(diǎn)添加注意事項(xiàng)：（1）測試點(diǎn)焊盤≥32mil,；（2）測試點(diǎn)距離板邊緣≥3mm,；（3）相鄰測試點(diǎn)的中心間距≥60Mil。（4）測試點(diǎn)邊緣距離非Chip器件本體邊緣≥20mil,，Chip器件焊盤邊緣≥10mil,，其它導(dǎo)體邊緣≥12mil。（5）整板必須有3個(gè)孔徑≥2mm的非金屬化定位孔,，且在板子的對角線上非對稱放置,。（6）優(yōu)先在焊接面添加ICT測試點(diǎn)，正面添加ICT測試點(diǎn)需經(jīng)客戶確認(rèn),。（7）電源,、地網(wǎng)絡(luò)添加ICT測試點(diǎn)至少3個(gè)以上且均勻放置。（8）優(yōu)先采用表貼焊盤測試點(diǎn),，其次采用通孔測試點(diǎn),，禁止直接將器件通孔管腳作為測試點(diǎn)使用。（9）優(yōu)先在信號線上直接添加測試點(diǎn)或者用扇出的過孔作為測試點(diǎn),，采用Stub方式添加ICT測試點(diǎn)時(shí),，Stub走線長不超過150Mil。（10）2.5Ghz以上的高速信號網(wǎng)絡(luò)禁止添加測試點(diǎn),。（11）測試點(diǎn)禁止在器件,、散熱片、加固件,、拉手條,、接插件,、壓接件、條形碼,、標(biāo)簽等正下方，以防止被器件或物件覆蓋,。（12）差分信號增加測試點(diǎn),，必須對稱添加，即同時(shí)在差分線對的兩個(gè)網(wǎng)絡(luò)的同一個(gè)地方對稱加測試點(diǎn)PCB設(shè)計(jì)中FPGA管腳的交換注意事項(xiàng),。高效PCB設(shè)計(jì)原理

晶振電路的布局布線要求,。咸寧設(shè)計(jì)PCB設(shè)計(jì)原理

DDRII新增特性，ODT（ On Die Termination）,DDR匹配放在PCB電路板上,，而DDRII則把匹配直接設(shè)計(jì)到DRAM芯片內(nèi)部,，用來改善信號品質(zhì)，這使得DDRII的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)較DDR簡單,，布局布線也相對較容易一些,。說明：ODT（On-Die Termination）即芯片內(nèi)部匹配終結(jié)，可以節(jié)省PCB面積,，另一方面因?yàn)閿?shù)據(jù)線的串聯(lián)電阻位置很難兼顧讀寫兩個(gè)方向的要求,。而在DDR2芯片提供一個(gè)ODT引腳來控制芯片內(nèi)部終結(jié)電阻的開關(guān)狀態(tài)。寫操作時(shí),，DDR2作為接收端,，ODT引腳為高電平打開芯片內(nèi)部的終結(jié)電阻，讀操作時(shí),，DDR2作為發(fā)送端,，ODT引腳為低電平關(guān)閉芯片內(nèi)部的終結(jié)電阻。ODT允許配置的阻值包括關(guān)閉,、75Ω,、150Ω、50Ω四種模式,。ODT功能只針對DQ\DM\DQS等信號,，而地址和控制仍然需要外部端接電阻。咸寧設(shè)計(jì)PCB設(shè)計(jì)原理

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