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深圳高速PCB培訓(xùn)功能

來源: 發(fā)布時間:2023-12-03

導(dǎo)入網(wǎng)表(1)原理圖和PCB文件各自之一的設(shè)計(jì),,在原理圖中生成網(wǎng)表,,并導(dǎo)入到新建PCBLayout文件中,確認(rèn)網(wǎng)表導(dǎo)入過程中無錯誤提示,,確保原理圖和PCB的一致性,。(2)原理圖和PCB文件為工程文件的,把創(chuàng)建的PCB文件的放到工程中,,執(zhí)行更新網(wǎng)表操作,。(3)將導(dǎo)入網(wǎng)表后的PCBLayout文件中所有器件無遺漏的全部平鋪放置,所有器件在PCBLAYOUT文件中可視范圍之內(nèi),。(4)為確保原理圖和PCB的一致性,需與客戶確認(rèn)軟件版本,,設(shè)計(jì)時使用和客戶相同軟件版本,。(5)不允許使用替代封裝,資料不齊全時暫停設(shè)計(jì),;如必須替代封裝,,則替代封裝在絲印字符層寫上“替代”、字體大小和封裝體一樣,。在正式培訓(xùn)結(jié)束后,,提供持續(xù)的學(xué)習(xí)資源和支持。深圳高速PCB培訓(xùn)功能

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存儲模塊介紹:存儲器分類在我們的設(shè)計(jì)用到的存儲器有SRAM,、DRAM,、EEPROM、Flash等,其中DDR系列用的是多的,,其DDR-DDR4的詳細(xì)參數(shù)如下:DDR采用TSSOP封裝技術(shù),,而DDR2和DDR3內(nèi)存均采用FBGA封裝技術(shù)。TSSOP封裝的外形尺寸較大,,呈長方形,,其優(yōu)點(diǎn)是成本低、工藝要求不高,,缺點(diǎn)是傳導(dǎo)效果差,,容易受干擾,散熱不理想,,而FBGA內(nèi)存顆粒精致小巧,,體積大約只有DDR內(nèi)存顆粒的三分之一,有效地縮短信號傳輸距離,,在抗干擾,、散熱等方面更有優(yōu)勢,而DDR4采用3DS(3-DimensionalStack)三維堆疊技術(shù)來增大單顆芯片容量,,封裝外形則與DDR2,、DDR3差別不大。制造工藝不斷提高,,從DDR到DDR2再到DDR3內(nèi)存,,其制造工藝都在不斷改善,更高工藝水平會使內(nèi)存電氣性能更好,,成本更低,;DDR內(nèi)存顆粒大范圍采用0.13微米制造工藝,而DDR2采用了0.09微米制造工藝,,DDR3則采用了全新65nm制造工藝,,而DDR4使用20nm以下的工藝來制造,從DDR~DDR4的具體參數(shù)如下表所示,。武漢正規(guī)PCB培訓(xùn)怎么樣大面積敷銅設(shè)計(jì)時敷銅上應(yīng)有開窗口,,加散熱孔,并將開窗口設(shè)計(jì)成網(wǎng)狀,。

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5V一般可能是電源輸入,,只需要在一小塊區(qū)域內(nèi)鋪銅。且盡量粗(你問我該多粗——能多粗就多粗,,越粗越好),;1.2V和1.8V是內(nèi)核電源(如果直接采用線連的方式會在面臨BGA器件時遇到很大困難),布局時盡量將1.2V與1.8V分開,,并讓1.2V或1.8V內(nèi)相連的元件布局在緊湊的區(qū)域,,使用銅皮的方式連接,,如圖:總之,因?yàn)殡娫淳W(wǎng)絡(luò)遍布整個PCB,,如果采用走線的方式會很復(fù)雜而且會繞很遠(yuǎn),,使用鋪銅皮的方法是一種很好的選擇!4、鄰層之間走線采用交叉方式:既可減少并行導(dǎo)線之間的電磁干擾又方便走線,。

折疊布線1,、導(dǎo)線⑴寬度印制導(dǎo)線的最小寬度,主要由導(dǎo)線和絕緣基板間的粘附強(qiáng)度和流過它們的電流值決定,。印制導(dǎo)線可盡量寬一些,,尤其是電源線和地線,在板面允許的條件下盡量寬一些,,即使面積緊張的條件下一般不小于1mm,。特別是地線,即使局部不允許加寬,,也應(yīng)在允許的地方加寬,,以降低整個地線系統(tǒng)的電阻。對長度超過80mm的導(dǎo)線,,即使工作電流不大,,也應(yīng)加寬以減小導(dǎo)線壓降對電路的影響。⑵長度要極小化布線的長度,,布線越短,,干擾和串?dāng)_越少,并且它的寄生電抗也越低,,輻射更少,。特別是場效應(yīng)管柵極,三極管的基極和高頻回路更應(yīng)注意布線要短,?!じ髟季謶?yīng)均勻、整齊,、緊湊,盡量減小和縮短各元件之間的引線和連接,。

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電磁兼容問題沒有照EMC(電磁兼容)規(guī)格設(shè)計(jì)的電子設(shè)備,很可能會散發(fā)出電磁能量,,并且干擾附近的電器。EMC對電磁干擾(EMI),,電磁場(EMF)和射頻干擾(RFI)等都規(guī)定了的限制,。這項(xiàng)規(guī)定可以確保該電器與附近其它電器的正常運(yùn)作。EMC對一項(xiàng)設(shè)備,,散射或傳導(dǎo)到另一設(shè)備的能量有嚴(yán)格的限制,,并且設(shè)計(jì)時要減少對外來EMF、EMI、RFI等的磁化率,。換言之,,這項(xiàng)規(guī)定的目的就是要防止電磁能量進(jìn)入或由裝置散發(fā)出。這其實(shí)是一項(xiàng)很難解決的問題,,一般大多會使用電源和地線層,,或是將PCB放進(jìn)金屬盒子當(dāng)中以解決這些問題。電源和地線層可以防止信號層受干擾,,金屬盒的效用也差不多,。對這些問題我們就不過于深入了。電路的速度得看如何照EMC規(guī)定做了,。內(nèi)部的EMI,,像是導(dǎo)體間的電流耗損,會隨著頻率上升而增強(qiáng),。如果兩者之間的的電流差距過大,,那么一定要拉長兩者間的距離。這也告訴我們?nèi)绾伪苊飧邏?,以及讓電路的電流消耗降?span style="color:#f00;">低,。布線的延遲率也很重要,所以長度自然越短越好,。所以布線良好的小PCB,,會比大PCB更適合在高速下運(yùn)作。布局應(yīng)盡量滿足以下要求:總的連線盡可能短,,關(guān)鍵信號線短,;設(shè)計(jì)PCB培訓(xùn)布線

關(guān)鍵的線要盡量粗,并在兩邊加上保護(hù)地,。高速線要短而直,。深圳高速PCB培訓(xùn)功能

DDR的PCB布局、布線要求4,、對于DDR的地址及控制信號,,如果掛兩片DDR顆粒時拓?fù)浣ㄗh采用對稱的Y型結(jié)構(gòu),分支端靠近信號的接收端,,串聯(lián)電阻靠近驅(qū)動端放置(5mm以內(nèi)),,并聯(lián)電阻靠近接收端放置(5mm以內(nèi)),布局布線要保證所有地址,、控制信號拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的一致性及長度上的匹配,。地址、控制,、時鐘線(遠(yuǎn)端分支結(jié)構(gòu))的等長范圍為≤200Mil,。5,、對于地址、控制信號的參考差分時鐘信號CK\CK#的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),,布局時串聯(lián)電阻靠近驅(qū)動端放置,,并聯(lián)電阻靠近接收端放置,布線時要考慮差分線對內(nèi)的平行布線及等長(≤5Mil)要求,。6,、DDR的IO供電電源是2.5V,對于控制芯片及DDR芯片,,為每個IO2.5V電源管腳配備退耦電容并靠近管腳放置,,在允許的情況下多扇出幾個孔,同時芯片配備大的儲能大電容,;對于1.25VVTT電源,,該電源的質(zhì)量要求非常高,不允許出現(xiàn)較大紋波,,1.25V電源輸出要經(jīng)過充分的濾波,,整個1.25V的電源通道要保持低阻抗特性,每個上拉至VTT電源的端接電阻為其配備退耦電容,。深圳高速PCB培訓(xùn)功能