折疊功能區(qū)分元器件的位置應(yīng)按電源電壓,、數(shù)字及模擬電路,、速度快慢、電流大小等進(jìn)行分組,，以免相互干擾,。電路板上同時(shí)安裝數(shù)字電路和模擬電路時(shí)，兩種電路的地線和供電系統(tǒng)完全分開,，有條件時(shí)將數(shù)字電路和模擬電路安排在不同層內(nèi),。電路板上需要布置快速、中速和低速邏輯電路時(shí),，應(yīng)安放在緊靠連接器范圍內(nèi);而低速邏輯和存儲(chǔ)器,，應(yīng)安放在遠(yuǎn)離連接器范圍內(nèi)。這樣,，有利于減小共阻抗耦合,、輻射和交擾的減小。時(shí)鐘電路和高頻電路是主要的干擾輻射源,，一定要單獨(dú)安排,，遠(yuǎn)離敏感電路。折疊熱磁兼顧發(fā)熱元件與熱敏元件盡可能遠(yuǎn)離,，要考慮電磁兼容的影響,。折疊工藝性⑴層面貼裝元件盡可能在一面，簡(jiǎn)化組裝工藝,。⑵距離元器件之間距離的小限制根據(jù)元件外形和其他相關(guān)性能確定,，目前元器件之間的距離一般不小于0.2mm~0.3mm，元器件距印制板邊緣的距離應(yīng)大于2mm,。⑶方向元件排列的方向和疏密程度應(yīng)有利于空氣的對(duì)流,。考慮組裝工藝,，元件方向盡可能一致,。PCB設(shè)計(jì)應(yīng)考慮許多因素，如外部連接布局,、布局設(shè)計(jì),、內(nèi)部電子元件的優(yōu)化布局等。了解PCB培訓(xùn)價(jià)格大全

元件排列原則（1）在通常條件下,，所有的元件均應(yīng)布置在PCB的同一面上,，只有在頂層元件過密時(shí)，才能將一些高度有限并且發(fā)熱量小的元件（如貼片電阻,、貼片電容,、貼片IC等）放在底層,。（2）在保證電氣性能的前提下，元件應(yīng)放置在柵格上且相互平行或垂直排列,，以求整齊,、美觀。一般情況下不允許元件重疊,，元件排列要緊湊,，輸入元件和輸出元件盡量分開遠(yuǎn)離，不要出現(xiàn)交叉,。（3）某些元件或?qū)Ь€之間可能存在較高的電壓，應(yīng)加大它們的距離,，以免因放電,、擊穿而引起意外短路，布局時(shí)盡可能地注意這些信號(hào)的布局空間,。（4）帶高電壓的元件應(yīng)盡量布置在調(diào)試時(shí)手不易觸及的地方,。（5）位于板邊緣的元件，應(yīng)該盡量做到離板邊緣有兩個(gè)板厚的距離,。（6）元件在整個(gè)板面上應(yīng)分布均勻,，不要這一塊區(qū)域密，另一塊區(qū)域疏松,，提高產(chǎn)品的可靠性,。深圳正規(guī)PCB培訓(xùn)包括哪些在多層板PCB中，整層都直接連接上地線與電源,。所以我們將各層分類為信號(hào)層,，電源層或是地線層。

7,、晶振離芯片盡量近,，且晶振下盡量不走線，鋪地網(wǎng)絡(luò)銅皮,。多處使用的時(shí)鐘使用樹形時(shí)鐘樹方式布線,。8、連接器上信號(hào)的排布對(duì)布線的難易程度影響較大,，因此要邊布線邊調(diào)整原理圖上的信號(hào)(但千萬不能重新對(duì)元器件編號(hào)),。9、多板接插件的設(shè)計(jì)：(1)使用排線連接：上下接口一致,；(2)直插座：上下接口鏡像對(duì)稱,，如下圖：10、模塊連接信號(hào)的設(shè)計(jì)：(1)若2個(gè)模塊放置在PCB同一面,，則管教序號(hào)大接小小接大(鏡像連接信號(hào)),；(2)若2個(gè)模塊放在PCB不同面,，則管教序號(hào)小接小大接大。

在設(shè)計(jì)中,，從PCB板的裝配角度來看,，要考慮以下參數(shù):1)孔的直徑要根據(jù)大材料條件(MMC)和小材料條件(LMC)的情況來決定。一個(gè)無支撐元器件的孔的直徑應(yīng)當(dāng)這樣選取,，即從孔的MMC中減去引腳的MMC,，所得的差值在0.15-0.5mm之間。而且對(duì)于帶狀引腳,，引腳的標(biāo)稱對(duì)角線和無支撐孔的內(nèi)徑差將不超過0.5mm,，并且不少于0.15mm。2)合理放置較小元器件,，以使其不會(huì)被較大的元器件遮蓋,。3)阻焊的厚度應(yīng)不大于0.05mm。4)絲網(wǎng)印制標(biāo)識(shí)不能和任何焊盤相交,。5)電路板的上半部應(yīng)該與下半部一樣,，以達(dá)到結(jié)構(gòu)對(duì)稱。因?yàn)椴粚?duì)稱的電路板可能會(huì)變彎曲,。按照均勻分布,、重心平衡、版面美觀的標(biāo)準(zhǔn)優(yōu)化布局,；

存儲(chǔ)模塊介紹：存儲(chǔ)器分類在我們的設(shè)計(jì)用到的存儲(chǔ)器有SRAM,、DRAM、EEPROM,、Flash等,，其中DDR系列用的是多的，其DDR-DDR4的詳細(xì)參數(shù)如下：DDR采用TSSOP封裝技術(shù),，而DDR2和DDR3內(nèi)存均采用FBGA封裝技術(shù),。TSSOP封裝的外形尺寸較大，呈長(zhǎng)方形,，其優(yōu)點(diǎn)是成本低,、工藝要求不高，缺點(diǎn)是傳導(dǎo)效果差,，容易受干擾,，散熱不理想，而FBGA內(nèi)存顆粒精致小巧,，體積大約只有DDR內(nèi)存顆粒的三分之一,，有效地縮短信號(hào)傳輸距離，在抗干擾,、散熱等方面更有優(yōu)勢(shì),，而DDR4采用3DS(3-DimensionalStack)三維堆疊技術(shù)來增大單顆芯片容量,，封裝外形則與DDR2、DDR3差別不大,。制造工藝不斷提高,，從DDR到DDR2再到DDR3內(nèi)存，其制造工藝都在不斷改善,，更高工藝水平會(huì)使內(nèi)存電氣性能更好,，成本更低；DDR內(nèi)存顆粒大范圍采用0.13微米制造工藝,，而DDR2采用了0.09微米制造工藝,，DDR3則采用了全新65nm制造工藝，而DDR4使用20nm以下的工藝來制造,，從DDR～DDR4的具體參數(shù)如下表所示,。弱信號(hào)電路，低頻電路周圍不要形成電流環(huán)路,。深圳專業(yè)PCB培訓(xùn)銷售

PCB培訓(xùn)課程通常從PCB基礎(chǔ)知識(shí)講解開始，介紹PCB的起源,、發(fā)展歷程以及相關(guān)的物理原理,。了解PCB培訓(xùn)價(jià)格大全

射頻、中頻電路（3）射頻電路的PCBLAYOUT注意事項(xiàng)1,、在同一個(gè)屏蔽腔體內(nèi),，布局時(shí)應(yīng)該按RF主信號(hào)流一字布局，由于空間限制,，如果在同一個(gè)屏蔽腔內(nèi),，RF主信號(hào)的元器件不能采用一字布局時(shí)，可以采用L形布局,，比較好不要用U字形布局,，在使用U字形布局前，一定要對(duì)U形布局的輸出與輸入間的隔離度要做仔細(xì)分析,，確保不會(huì)出問題,。2、相同單元的布局要保證完全相同,，例如TRX有多個(gè)接收通道和發(fā)射通道,。3、布局時(shí)就要考慮RF主信號(hào)走向,，和器件間的相互耦合作用,。4、感性器件應(yīng)防止互感,，與鄰近的電感垂直放置中的電感布局,。5,、把高功率RF放大器(HPA)和低噪音放大器(LNA)隔離開來，簡(jiǎn)單地說,，就是讓高功率RF發(fā)射電路遠(yuǎn)離低功率RF接收電路,，或者讓它們交替工作，而不是同時(shí)工作,，高功率電路有時(shí)還可包括RF緩沖器和壓控制振蕩器(VCO),。6、確保PCB板上高功率區(qū)至少有一整塊地,，且沒有過孔,，銅皮面積越大越好。7,、RF輸出要遠(yuǎn)離RF輸入,，或者采取屏蔽隔離措施，防止輸出信號(hào)串到輸入端,。了解PCB培訓(xùn)價(jià)格大全