圖8說明了時域和頻域中的這些參數(shù)。-穩(wěn)壓IC技術專題
在CISPR 25等標準中，通常會將fm設置在9 kHz左右,，以優(yōu)化低頻段,，但這恰好也在音頻范圍內。為了解決這一問題,，您可以進一步以偽隨機方式調制三角調制,，以傳播可聽能量，而不會對傳導和輻射EMI性能產生重大影響,。下頁的圖9說明了時域和頻域中的這種調制模式,，這是TPS55165-Q1（同步降壓-升壓轉換器）上的一個功能。
EMI不僅限于單個頻帶（因此也限于單個RBW）,，而是多個頻帶的事實帶來了困境,，因為擴頻通常只能針對單個頻帶的改進。解決這個問題的一種新方法是一種稱為雙隨機擴頻（DRSS）的數(shù)字擴頻技術,。DRS背后的基本原理是疊加兩個調制剖面,，每個調制剖面針對不同的RBW。有關更多信息,，請參閱應用報告“EMI抑制技術,，雙隨機擴頻”
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什么是TI穩(wěn)壓IC的EMI,， 續(xù)。,。,。
TI穩(wěn)壓IC的EMI如 下頁的圖2顯示了傳導發(fā)射的通用測試設置，包括電源,、線路阻抗穩(wěn)定網(wǎng)絡（LISN）,、EMI接收器、電源線和被測設備（DUT）,。LISN起著關鍵作用,，充當?shù)屯V波器，確保重復性和
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EMI測量的可比性,，并為DUT提供精確的阻抗。圖2還說明了一個重要的細分
發(fā)射到共模（CM）和差模（DM）電流,。DM電流在電源線及其回路之間流動,，在低頻率下是主導因素。
CM電流在每條電源線和地面之間流動,，是高頻下的主導因素,。
圖10顯示了時域中的DRSS調制剖面，三角形包絡瞄準較低的RBW,，疊加偽隨機序列瞄準較高的RBW,。
穩(wěn)壓IC技術專題
圖11顯示了LM5156-Q1的傳導發(fā)射性能，LM5156-Q1是一種非同步boost控制器,，有無DRS,。您可以看到150 kHz至30 MHz頻段以及30至108 MHz頻段的頻譜峰值***降低，這是CISPR 25汽車標準的兩個關鍵頻段,。LM5157-Q1非同步boost轉換器還具有DRS功能,，并實現(xiàn)類似的性能。
擴頻技術適用于非隔離拓撲和隔離拓撲,，因為這兩種拓撲的EMI源相似,，而頻率擴展提供了相同的好處。
帶集成變壓器的UCC12040和UCC12050隔離DC/DC轉換器能夠通過CISPR 32 B級EMI測試限值,，部分原因是內部擴頻技術,。
減少低頻發(fā)射的創(chuàng)新-穩(wěn)壓IC技術專題
讓我們看看TI在構建其轉換器和控制器時使用的一些技術，以解決效率、EMI,、尺寸和成本等基本權衡問題,。
擴頻-穩(wěn)壓IC技術專題
擴頻利用能量守恒原理，通過在多個頻率上傳播能量來減少EMI峰值,。然而,，峰值敏感電路“看到”的能量可能不會減少；這取決于敏感電路的帶寬與方法之間的關系頻率調制,。測量EMI時,，頻譜分析儀充當敏感電路，行業(yè)標準設置分辨率
帶寬（RBW）,。因此,，以***的方式對目標標準進行頻率調制非常重要。一般的經驗法則是,，調制頻率fm大約等于目標RBW,，擴展帶寬ΔfC約為±5%至±10%。
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增強型熱棒? QFN公司
增強型HotRod quad flat no lead（QFN）封裝提供了HotRod封裝的所有EMI降低功能,，并具有更低開關節(jié)點電容的額外優(yōu)勢,，從而大降低了振鈴,。在具有增強型熱棒QFN的設備中，寄生在輸入電壓（VIN）和接地（GND）引腳上的電阻-導體-電容器（RLC）也較低
與HotRod軟件包相比,。
LM60440-Q1降壓轉換器采用增強型熱棒QFN,，下頁圖18顯示了引腳和電路板布局。增強型HotRod QFN不僅提高了效率,，還包括封裝中心有一個大型模具連接墊（DAP）的封裝外形,。與熱棒封裝相比，DAP有助于通過PCB更好地散熱,，并將結溫升高降低15%以上,。此外，VIN,、GND和開關節(jié)點引腳上較低的RLC寄生也會提高效率并降低EMI,。正如預期的那樣，這會產生更好的EMI,，尤其是在交換機節(jié)點振鈴頻帶周圍
如下圖19所示,。
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德州儀器 穩(wěn)壓IC技術專題
圖13顯示了在400 kHz開關頻率下運行的buck變換器的EMI測量結果,，比較了有源和無源EMI濾波方法。為了有效滿足CISPR 25 5級頻譜屏蔽,，無源EMI濾波器需要一個3.3μH的DM電感和一個10μF的DM電容,。有源濾波方法可以通過*1μH的DM電感器以及100 nF的傳感和注入電容實現(xiàn)相同的有效衰減。這有助于將無源濾波器的大小和體積分別減小到原始值的43%和27%,。對于更大電流的轉換器,，可以通過降低電感直流電阻來獲得成本和效率方面的進一步好處。
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