場效應(yīng)管使用時應(yīng)注意:（1）器件出廠時通常裝在黑色的導(dǎo)電泡沫塑料袋中，切勿自行隨便拿個塑料袋裝,。也可用細(xì)銅線把各個引腳連接在一起,，或用錫紙包裝。（2）取出的器件不能在塑料板上滑動,，應(yīng)用金屬盤來盛放待用器件。（3）焊接用的電烙鐵必須良好接地,。（4）在焊接前應(yīng)把電路板的電源線與地線短接,，再MOS器件焊接完成后在分開。（5）器件各引腳的焊接順序是漏極,、源極,、柵極。拆機時順序相反,。（6）電路板在裝機之前,，要用接地的線夾子去碰一下機器的各接線端子，再把電路板接上去,。（7）場效應(yīng)晶體管的柵極在允許條件下,，比較好接入保護(hù)二極管。在檢修電路時應(yīng)注意查證原有的保護(hù)二極管是否損壞,。 場效應(yīng)管可應(yīng)用于放大,。蘇州J型場效應(yīng)管批發(fā)價

用測電阻法判別場效應(yīng)管的好壞：測電阻法是用萬用表測量場效應(yīng)管的源極與漏極、柵極與源極,、柵極與漏極,、柵極Ｇ1與柵極Ｇ2之間的電阻值同場效應(yīng)管手冊標(biāo)明的電阻值是否相符去判別管的好壞。具體方法：首先將萬用表置于Ｒ×１０或Ｒ×100檔,，測量源極Ｓ與漏極Ｄ之間的電阻,，通常在幾十歐到幾千歐范圍（在手冊中可知,，各種不同型號的管，其電阻值是各不相同的）,，如果測得阻值大于正常值,，可能是由于內(nèi)部接觸不良；如果測得阻值是無窮大,，可能是內(nèi)部斷極,。然后把萬用表置于Ｒ×１０ｋ檔，再測柵極Ｇ1與Ｇ2之間,、柵極與源極,、柵極與漏極之間的電阻值，當(dāng)測得其各項電阻值均為無窮大,，則說明管是正常的,；若測得上述各阻值太小或為通路，則說明管是壞的,。要注意,，若兩個柵極在管內(nèi)斷極，可用元件代換法進(jìn)行檢測,。 溫州常用場效應(yīng)管廠家場效應(yīng)管具有高輸入電阻,、低噪聲、低功耗,、寬動態(tài)范圍,、易于集成、無二次擊穿現(xiàn)象,、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點,。

用測電阻法判別無標(biāo)志的場效應(yīng)管：首先用測量電阻的方法找出兩個有電阻值的管腳，也就是源極Ｓ和漏極Ｄ,，余下兩個腳為點柵極G1和柵極G2,。把先用兩表筆測的源極Ｓ與漏極Ｄ之間的電阻值記下來，對調(diào)表筆再測量一次,，把其測得電阻值記下來,，兩次測得阻值較大的一次，黑表筆所接的電極為漏極Ｄ,；紅表筆所接的為源極Ｓ,。用這種方法判別出來的Ｓ、Ｄ極,，還可以用估測其管的放大能力的方法進(jìn)行驗證,，即放大能力大的黑表筆所接的是Ｄ極；紅表筆所接地是８極,，兩種方法檢測結(jié)果均應(yīng)一樣,。當(dāng)確定了漏極Ｄ,、源極Ｓ的位置后，按Ｄ,、Ｓ的對應(yīng)位置裝人電路,，一般G1、G2也會依次對準(zhǔn)位置,，這就確定了兩個柵極G1,、G2的位置，從而就確定了Ｄ,、S,、G1、G2管腳的順序,。

場效應(yīng)管MOSFET運用：MOSFET普遍使用在模擬電路與數(shù)字電路中,，和我們的生活密不可分。MOSFET的優(yōu)勢在于：首先驅(qū)動場效應(yīng)管應(yīng)用電路電路比較簡單,。MOSFET需要的驅(qū)動電流比 BJT則小得多,，而且通常可以直接由CMOS或者集電極開路TTL驅(qū)動電路驅(qū)動,；其次MOSFET的開關(guān)速度比較迅速,，能夠以較高的速度工作，因為沒有電荷存儲效應(yīng),；另外MOSFET沒有二次擊穿失效機理,，它在溫度越高時往往耐力越強，而且發(fā)生熱擊穿的可能性越低,，還可以在較寬的溫度范圍內(nèi)提供較好的性 能。MOSFET已經(jīng)得到了大量應(yīng)用,，在消費電子,、工業(yè)產(chǎn)品、機電設(shè)備,、智能手機以及其他便攜式數(shù)碼電子產(chǎn)品中隨處可見,。 場效應(yīng)管的低功耗和高頻率響應(yīng)使其在高速數(shù)字電路和無線通信系統(tǒng)中得到大范圍應(yīng)用。

場效應(yīng)管是電壓控制元件,，而晶體管是電流控制元件,。在只允許從信號源取較少電流的情況下，應(yīng)選用場效應(yīng)管,；而在信號電壓較低,，又允許從信號源取較多電流的條件下，應(yīng)選用晶體管,。場效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電,，所以稱之為單極型器件,，而晶體管是既有多數(shù)載流子，也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電,，被稱之為雙極型器件,。有些場效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負(fù),，靈活性比三極管好,。場效應(yīng)管能在很小電流和很低電壓的條件下工作，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應(yīng)管集成在一塊硅片上,，因此場效應(yīng)管在大規(guī)模集成電路中得到了普遍的應(yīng)用,。 P溝道MOS場效應(yīng)管和N溝道MOS場效應(yīng)管總是在相反的狀態(tài)下工作，其相位輸入端和輸出端相反,。廣州MOS場效應(yīng)管分類

V型槽場效應(yīng)管是半導(dǎo)體器件,，主要用于放大和開關(guān)電路中。蘇州J型場效應(yīng)管批發(fā)價

場效應(yīng)管電極：所有的FET都有柵極（gate）,、漏極（drain）,、源極（source）三個端，分別大致對應(yīng)BJT的基極（base）,、集電極（collector）和發(fā)射極（emitter）,。除JFET以外，所有的FET也有第四端,，被稱為體（body）,、基（base）、塊體（bulk）或襯底（substrate）,。這個第四端可以將晶體管調(diào)制至運行,；在電路設(shè)計中，很少讓體端發(fā)揮大的作用,，但是當(dāng)物理設(shè)計一個集成電路的時候,，它的存在就是重要的。在圖中柵極的長度（length）L,，是指源和漏的距離,。寬度（width）是指晶體管的范圍，在圖中和橫截面垂直,。通常情況下寬度比長度大得多,。長度1微米的柵極限制較高頻率約為5GHz，0.2微米則是約30GHz,。 蘇州J型場效應(yīng)管批發(fā)價

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