場效應晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應管,。主要有兩種類型：結型場效應管（junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導體場效應管（metal-oxide semiconductor FET，簡稱MOS-FET）,。由多數(shù)載流子參與導電,，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件,。具有輸入電阻高（107～1015Ω）,、噪聲小、功耗低,、動態(tài)范圍大,、易于集成,、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域寬等優(yōu)點,，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者,。 場效應管的工作溫度范圍較寬。蘇州場效應管供應

場效應管使用時應注意:（1）器件出廠時通常裝在黑色的導電泡沫塑料袋中,，切勿自行隨便拿個塑料袋裝,。也可用細銅線把各個引腳連接在一起，或用錫紙包裝,。（2）取出的器件不能在塑料板上滑動,，應用金屬盤來盛放待用器件。（3）焊接用的電烙鐵必須良好接地,。（4）在焊接前應把電路板的電源線與地線短接,，再MOS器件焊接完成后在分開。（5）器件各引腳的焊接順序是漏極,、源極,、柵極。拆機時順序相反,。（6）電路板在裝機之前,，要用接地的線夾子去碰一下機器的各接線端子，再把電路板接上去,。（7）場效應晶體管的柵極在允許條件下,，比較好接入保護二極管。在檢修電路時應注意查證原有的保護二極管是否損壞,。 浙江加強型場效應管場效應晶體管（Field Effect Transistor(FET)）簡稱場效應管,。

場效應管以N溝道為例，它是在P型硅襯底上制成兩個高摻雜濃度的源擴散區(qū)N+和漏擴散區(qū)N+,，再分別引出源極S和漏極D,。源極與襯底在內部連通，二者總保持等電位,。當漏接電源正極，源極接電源負極并使VGS=0時,，溝道電流（即漏極電流）ID=0。隨著VGS逐漸升高,，受柵極正電壓的吸引,，在兩個擴散區(qū)之間就感應出帶負電的少數(shù)載流子，形成從漏極到源極的N型溝道,，當VGS大于管子的開啟電壓VTN（一般約為+2V）時,，N溝道管開始導通,，形成漏極電流ID。

場效應管具有輸入阻抗高,、低噪聲等特點,，因此經常作為多級放大電流的輸入級，與三極管一樣,，根據(jù)輸入,、輸出回路公共端選擇不同，將場效應管放電電路分為共源,、公漏,、共柵三種狀態(tài)，如下圖是場效應管共源放大電路,，其中：Rg是柵極電阻,，將Rs壓降加至柵極；Rd是漏極電阻,，將漏極電流轉換成漏極電壓,，并影響放大倍數(shù)Au；Rs是源極電阻,，為柵極提供偏壓,；C3是旁路電容，消除Rs對交流信號的衰減,。由于場效應管是電壓型控制器件,，它的柵極幾乎不取電流，輸入阻抗非常高,，其實要想獲得較大恒流輸出,，并且精度提高可以采取基準源與比較器結合方法來獲得所需要的效果,。 場效應管的工作原理是通過控制柵極電壓來控制電流,。

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場效應管可以用作可變電阻。蘇州場效應管供應

場效應管是電壓控制元件,，而晶體管是電流控制元件,。在只允許從信號源取較少電流的情況下，應選用場效應管,；而在信號電壓較低,，又允許從信號源取較多電流的條件下，應選用晶體管,。場效應管是利用多數(shù)載流子導電，所以稱之為單極型器件，而晶體管是既有多數(shù)載流子,，也利用少數(shù)載流子導電,，被稱之為雙極型器件。有些場效應管的源極和漏極可以互換使用,，柵壓也可正可負,，靈活性比三極管好。場效應管能在很小電流和很低電壓的條件下工作,，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應管集成在一塊硅片上，因此場效應管在大規(guī)模集成電路中得到了普遍的應用,。 蘇州場效應管供應

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