針對碳化硅（SiC）功率模塊的柵極刻蝕難題，Polos 光刻機的激光直寫技術實現(xiàn)了 20nm 的邊緣粗糙度控制,，較傳統(tǒng)光刻膠工藝提升 5 倍,。某新能源汽車芯片廠商利用該設備，將 SiC MOSFET 的導通電阻降低 15%，開關損耗減少 20%,，推動車載逆變器效率突破 99%,。其靈活的圖案編輯功能支持快速驗證新型柵極結構，使器件研發(fā)周期從 12 周壓縮至 4 周,，助力我國在第三代半導體領域實現(xiàn)彎道超車,。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復雜圖案,。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件,，開發(fā)出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成,，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光,。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室,，并broad應用于微流體,、電子學和納/微機械系統(tǒng)等各個領域。該系統(tǒng)的經濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學研究實驗室以外的領域,，為半導體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會,。Polos-BESM XL：加大加工幅面，滿足中尺寸器件一次性成型需求,。天津桌面無掩模光刻機光源波長405微米

微流體芯片制造的core工具,！Polos光刻機可加工80 μm直徑的開環(huán)諧振器和2 μm叉指電極，適用于傳感器與執(zhí)行器開發(fā),。結合雙光子聚合技術（如Nanoscribe的2PP工藝）,，用戶可擴展至3D微納結構打印，為微型機器人及光學超材料提供多維度解決方案37,。其與Lab14集團的協(xié)同合作,，進一步推動工業(yè)級光學封裝技術創(chuàng)新3。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術,，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復雜圖案,。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統(tǒng),。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成,，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小,，非常適合研究實驗室,，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統(tǒng)等各個領域,。該系統(tǒng)的經濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學研究實驗室以外的領域,，為半導體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會,。浙江德國桌面無掩模光刻機MAX基材尺寸4英寸到6英寸用戶案例broad：全球超500家科研機構采用，覆蓋高校,、研究所與企業(yè)實驗室,。

柔性電子是未來可穿戴設備的core方向，其電路圖案需適應曲面基底,。Polos 光刻機的無掩模技術在聚酰亞胺柔性基板上實現(xiàn)了 2μm 線寬的precise曝光，解決了傳統(tǒng)掩模對準偏差問題,。某柔性電子研究中心利用該設備,，開發(fā)出可貼合皮膚的健康監(jiān)測貼片，其傳感器陣列的信號噪聲比提升 60%,。相比光刻膠掩模工藝,，Polos 光刻機將打樣時間從 72 小時壓縮至 8 小時，加速了柔性電路的迭代優(yōu)化,，推動柔性電子從實驗室走向產業(yè)化落地,。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復雜圖案,。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件,，開發(fā)出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成,，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光,。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室,，并broad應用于微流體,、電子學和納/微機械系統(tǒng)等各個領域。該系統(tǒng)的經濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學研究實驗室以外的領域,，為半導體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會,。

Polos光刻機與德國Lab14集團、弗勞恩霍夫研究所等機構合作,，推動光子集成與半導體封裝技術發(fā)展,。例如，Quantum X align系統(tǒng)的高對準精度（100 nm）為光通信芯片提供可靠解決方案,，彰顯德國精密制造與全球產業(yè)鏈整合的優(yōu)勢,。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復雜圖案,。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件,，開發(fā)出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成,，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光,。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體,、電子學和納/微機械系統(tǒng)等各個領域,。該系統(tǒng)的經濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會,。電子學應用：2μm 線寬光刻能力,，第三代半導體器件研發(fā)效率提升 3 倍。

單細胞分選需要復雜的流體動力學控制結構,，傳統(tǒng)光刻難以實現(xiàn)多尺度結構集成,。Polos 光刻機的分層曝光功能，在同一片芯片上制備出 5μm 窄縫的細胞捕獲區(qū)與 50μm 寬的廢液通道,，通道高度誤差控制在 ±2% 以內,。某細胞生物學實驗室利用該芯片，將單細胞分選通量提升至 1000 個 / 秒,，分選純度達 98%,，較傳統(tǒng)流式細胞儀體積縮小 90%。該技術已應用于循環(huán)tumor細胞檢測,，使稀有細胞捕獲效率提升 3 倍,，相關設備進入臨床驗證階段。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術,，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復雜圖案,。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統(tǒng),。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成,，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小,，非常適合研究實驗室,，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統(tǒng)等各個領域,。該系統(tǒng)的經濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學研究實驗室以外的領域,，為半導體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。Polos-BESM XL：大尺寸加工空間,，保留緊湊設計,，科研級精度實現(xiàn)復雜結構一次性成型。上海德國POLOS桌面無掩模光刻機讓你隨意進行納米圖案化

空間友好設計：占地面積小于 1.2㎡,，小型實驗室也能部署高精度光刻系統(tǒng),。天津桌面無掩模光刻機光源波長405微米

某半導體實驗室采用 Polos 光刻機開發(fā)氮化鎵（GaN）基高電子遷移率晶體管（HEMT）。其激光直寫技術在藍寶石襯底上實現(xiàn)了 50nm 柵極長度的precise曝光,，較傳統(tǒng)光刻工藝線寬偏差降低 60%,。通過自定義多晶硅柵極圖案,，器件的電子遷移率達 2000 cm2/(V?s)，擊穿電壓提升至 1200V,，遠超商用產品水平,。該技術還被用于 SiC 基功率器件的臺面刻蝕，刻蝕深度均勻性誤差小于 ±3%,，助力我國新能源汽車電控系統(tǒng)core器件的國產化突破,。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復雜圖案,。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件,，開發(fā)出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成,，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小,，非常適合研究實驗室,，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統(tǒng)等各個領域,。該系統(tǒng)的經濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學研究實驗室以外的領域,，為半導體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。天津桌面無掩模光刻機光源波長405微米