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上海光刻機(jī)基材厚度可達(dá)到0.1毫米至8毫米

來源: 發(fā)布時(shí)間:2025-05-28

超表面通過納米結(jié)構(gòu)調(diào)控光場,傳統(tǒng)電子束光刻成本高昂且效率低下,。Polos 光刻機(jī)的激光直寫技術(shù)在石英基底上實(shí)現(xiàn)了亞波長量級(jí)的圖案曝光,,將超表面器件制備成本降低至傳統(tǒng)方法的 1/5。某光子學(xué)實(shí)驗(yàn)室利用該設(shè)備,,研制出寬帶消色差超表面透鏡,,在 400-1000nm 波長范圍內(nèi)成像誤差小于 5μm。其靈活的圖案編輯功能還支持實(shí)時(shí)優(yōu)化結(jié)構(gòu)參數(shù),使器件研發(fā)周期從數(shù)周縮短至 24 小時(shí),,推動(dòng)超表面技術(shù)從理論走向集成光學(xué)應(yīng)用,。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案,。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過無縫集成硬件和軟件組件,,開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無縫集成,,操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光,。該系統(tǒng)占用空間小,非常適合研究實(shí)驗(yàn)室,,并broad應(yīng)用于微流體,、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域,,為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì),。POLOS μ 光刻機(jī):桌面級(jí)設(shè)計(jì),2-23μm 可調(diào)分辨率,,兼容 4 英寸晶圓,,微機(jī)電系統(tǒng)加工誤差 < 5μm。上海光刻機(jī)基材厚度可達(dá)到0.1毫米至8毫米

上海光刻機(jī)基材厚度可達(dá)到0.1毫米至8毫米,光刻機(jī)

在tumor轉(zhuǎn)移機(jī)制研究中,,某tumor研究中心利用 Polos 光刻機(jī)構(gòu)建了仿生tumor微環(huán)境芯片,。通過無掩模激光光刻技術(shù),在 PDMS 基底上制造出三維tumor血管網(wǎng)絡(luò)與間質(zhì)纖維化結(jié)構(gòu),,其中血管直徑可精確控制在 10-50μm,。實(shí)驗(yàn)顯示,該芯片模擬的tumor微環(huán)境中,,tumor細(xì)胞遷移速度較傳統(tǒng)二維培養(yǎng)提升 2.3 倍,,且化療藥物滲透效率降低 40%,與臨床數(shù)據(jù)高度吻合,。該團(tuán)隊(duì)通過軟件實(shí)時(shí)調(diào)整通道曲率和細(xì)胞外基質(zhì)密度,,成功復(fù)現(xiàn)了tumor細(xì)胞上皮 - 間質(zhì)轉(zhuǎn)化(EMT)過程,相關(guān)成果發(fā)表于《Cancer Research》,,并被用于新型抗轉(zhuǎn)移藥物的篩選平臺(tái)開發(fā),。重慶PSP光刻機(jī)基材厚度可達(dá)到0.1毫米至8毫米微型傳感器量產(chǎn):80 μm開環(huán)諧振器加工能力,推動(dòng)工業(yè)級(jí)MEMS傳感器升級(jí),。

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Polos光刻機(jī)在微機(jī)械加工中表現(xiàn)outstanding,。其亞微米分辨率可制造80 μm直徑的開環(huán)諧振器和2 μm叉指電極,適用于傳感器與執(zhí)行器開發(fā),。結(jié)合雙光子聚合技術(shù)(如Nanoscribe系統(tǒng)),,用戶還能擴(kuò)展至3D微納結(jié)構(gòu)打印,,為微型機(jī)器人及光學(xué)元件提供多尺度制造方案。無掩模光刻技術(shù)可以隨意進(jìn)行納米級(jí)圖案化,,無需使用速度慢且昂貴的光罩,。這種便利對(duì)于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協(xié)的情況下,,將該技術(shù)帶到了桌面上,,進(jìn)一步提升了其優(yōu)勢,。

SPS POLOS μ以桌面化設(shè)計(jì)降低設(shè)備投入成本,,無需掩膜制備費(fèi)用。其光束引擎通過壓電驅(qū)動(dòng)快速掃描,,單次寫入?yún)^(qū)域達(dá)400 μm,,支持光刻膠如AZ5214E的高效曝光。研究案例顯示,,該設(shè)備成功制備了間距3 μm的微圖案陣列和叉指電容器,,助力納米材料與柔性電子器件的快速原型驗(yàn)證。無掩模光刻技術(shù)可以隨意進(jìn)行納米級(jí)圖案化,,無需使用速度慢且昂貴的光罩,。這種便利對(duì)于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協(xié)的情況下,,將該技術(shù)帶到了桌面上,,進(jìn)一步提升了其優(yōu)勢。環(huán)保低能耗設(shè)計(jì):固態(tài)光源能耗較傳統(tǒng)設(shè)備降低30%,,符合綠色實(shí)驗(yàn)室標(biāo)準(zhǔn),。

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某生物物理實(shí)驗(yàn)室利用 Polos 光刻機(jī)開發(fā)了基于壓阻效應(yīng)的細(xì)胞力傳感器。其激光直寫技術(shù)在硅基底上制造出 5μm 厚的懸臂梁結(jié)構(gòu),,傳感器的力分辨率達(dá) 10pN,,較傳統(tǒng) AFM 提升 10 倍。通過在懸臂梁表面刻制 100nm 的微柱陣列,,實(shí)現(xiàn)了單個(gè)心肌細(xì)胞收縮力的實(shí)時(shí)監(jiān)測,,力信號(hào)信噪比提升 60%。該傳感器被用于心臟纖維化機(jī)制研究,,成功捕捉到心肌細(xì)胞在病理狀態(tài)下的力學(xué)變化,,相關(guān)數(shù)據(jù)為心肌修復(fù)藥物開發(fā)提供了關(guān)鍵依據(jù)。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),,用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案,。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過無縫集成硬件和軟件組件,開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng),。通過與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無縫集成,,操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小,非常適合研究實(shí)驗(yàn)室,,并broad應(yīng)用于微流體,、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域,,為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì),。空間友好設(shè)計(jì):占地面積小于 1.2㎡,,小型實(shí)驗(yàn)室也能部署高精度光刻系統(tǒng),。遼寧POLOSBEAM光刻機(jī)

光刻膠broad兼容:支持AZ5214E、SU-8等材料,,優(yōu)化參數(shù)降低側(cè)壁粗糙度,。上海光刻機(jī)基材厚度可達(dá)到0.1毫米至8毫米

某revolution生物醫(yī)學(xué)研究機(jī)構(gòu)致力于開發(fā)快速、precise的疾病診斷技術(shù),。在研發(fā)一種用于早期tumor篩查的微流體診斷芯片時(shí),,采用了德國 Polos 光刻機(jī)。利用其無掩模激光光刻技術(shù),,科研團(tuán)隊(duì)成功制造出擁有復(fù)雜微通道網(wǎng)絡(luò)的芯片,。這些微通道能精確控制生物樣本與檢測試劑的混合及反應(yīng)過程,極大提高了檢測的靈敏度和準(zhǔn)確性,。以往使用傳統(tǒng)光刻技術(shù)制備此類芯片,,不only周期長,且精度難以保證,。而 Polos 光刻機(jī)使制備周期縮短了近三分之一,,助力該機(jī)構(gòu)在tumor早期診斷研究上取得重大突破,相關(guān)成果已發(fā)表在國際authority醫(yī)學(xué)期刊上,。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),,用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過無縫集成硬件和軟件組件,,開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng),。通過與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光,。該系統(tǒng)占用空間小,,非常適合研究實(shí)驗(yàn)室,并broad應(yīng)用于微流體,、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域,。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域,為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì),。上海光刻機(jī)基材厚度可達(dá)到0.1毫米至8毫米