可編程微流控芯片需要集成電路控制與流體通道,，傳統(tǒng)工藝需多次掩模對準,，良率only 30%。Polos 光刻機的多材料同步曝光技術(shù),，支持在同一塊基板上直接制備金屬電極與 PDMS 通道,，將良率提升至 85%。某微系統(tǒng)實驗室利用該特性,，開發(fā)出可實時切換流路的生化分析芯片,，通過軟件輸入不同圖案，10 分鐘內(nèi)即可完成從 DNA 擴增到蛋白質(zhì)檢測的模塊切換,。該成果應(yīng)用于 POCT 設(shè)備,，使現(xiàn)場快速檢測系統(tǒng)的體積縮小 60%，檢測時間縮短至傳統(tǒng)方法的 1/3,。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng),。通過與計算機輔助設(shè)計軟件無縫集成,，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小,，非常適合研究實驗室,，并broad應(yīng)用于微流體、電子學和納/微機械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域,。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學研究實驗室以外的領(lǐng)域,，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。多材料兼容性：同步加工陶瓷 / PDMS / 金屬,，微流控芯片集成電極與通道一步成型,。重慶POLOSBEAM光刻機不需要緩慢且昂貴的光掩模

細胞培養(yǎng)芯片需根據(jù)不同細胞類型設(shè)計表面微結(jié)構(gòu)，傳統(tǒng)光刻依賴掩模庫,，難以滿足個性化需求,。Polos 光刻機支持 STL 模型直接導(dǎo)入，某干細胞研究所在 24 小時內(nèi)完成了神經(jīng)干細胞三維培養(yǎng)支架的定制加工,。其制造的微柱陣列間距可精確控制在 5-50μm,，適配不同分化階段的細胞黏附需求。實驗顯示,，使用該支架的神經(jīng)細胞軸突生長速度提升 30%,，為神經(jīng)再生機制研究提供了高效工具，相關(guān)技術(shù)已授權(quán)給生物芯片企業(yè)實現(xiàn)量產(chǎn),。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件,，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng),。通過與計算機輔助設(shè)計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光,。該系統(tǒng)占用空間小,，非常適合研究實驗室，并broad應(yīng)用于微流體,、電子學和納/微機械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域,。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學研究實驗室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會,。河北POLOSBEAM光刻機MAX基材尺寸4英寸到6英寸德國技術(shù)基因：融合精密光學與自動化控制,，確保設(shè)備高穩(wěn)定性與長壽命。

德國Polos-BESM系列光刻機采用無掩模激光直寫技術(shù),，突破傳統(tǒng)光刻對物理掩膜的依賴,，支持用戶通過軟件直接輸入任意圖案進行快速曝光。其亞微米分辨率（most小線寬0.8 μm）和405 nm紫外光源，可在5英寸晶圓上實現(xiàn)高精度微納結(jié)構(gòu)加工18,。系統(tǒng)體積緊湊,，only占桌面空間，搭配閉環(huán)自動對焦（1秒完成）和半自動多層對準功能,，大幅提升實驗室原型開發(fā)效率,，適用于微流體芯片設(shè)計、電子元件制造等領(lǐng)域,。無掩模光刻技術(shù)可以隨意進行納米級圖案化,，無需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對于科研和快速原型制作非常有用,。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協(xié)的情況下,，將該技術(shù)帶到了桌面上，進一步提升了其優(yōu)勢,。

在航空航天科研中,，某科研團隊致力于研發(fā)用于環(huán)境監(jiān)測和偵察的微型飛行器。其中,，制造輕量化且高性能的微機械部件是關(guān)鍵,。德國 Polos 光刻機憑借無掩模激光光刻技術(shù)，助力團隊制造出尺寸precise,、質(zhì)量輕盈的微型齒輪,、機翼骨架等微機械結(jié)構(gòu),。例如,，利用該光刻機制造的微型齒輪，齒距精度達到納米級別,，極大提高了飛行器動力傳輸系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性,。基于此,，科研團隊成功試飛了一款新型微型飛行器,，其續(xù)航時間和飛行靈活性遠超同類產(chǎn)品，為未來微型飛行器在復(fù)雜環(huán)境下的應(yīng)用奠定了堅實基礎(chǔ),。Polos-BESM XL：130mm×130mm 曝光幅面,，STL 模型直接導(dǎo)入，微流控芯片制備周期縮短 40%,。

植入式神經(jīng)電極需要兼具生物相容性與導(dǎo)電性能,，表面微圖案可remarkable影響細胞 - 電極界面。Polos 光刻機在鉑銥合金電極表面刻制出 10μm 間距的蜂窩狀微孔,，某神經(jīng)工程團隊發(fā)現(xiàn)該結(jié)構(gòu)使神經(jīng)元突觸密度提升 20%,，信號采集噪聲降低 35%。其無掩模特性支持根據(jù)不同腦區(qū)結(jié)構(gòu)定制電極陣列，在大鼠海馬區(qū)電生理實驗中,，單神經(jīng)元信號識別率從 60% 提升至 85%,，為腦機接口技術(shù)的臨床轉(zhuǎn)化奠定了硬件基礎(chǔ)。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案,。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng),。通過與計算機輔助設(shè)計軟件無縫集成,，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小,，非常適合研究實驗室,，并broad應(yīng)用于微流體、電子學和納/微機械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域,。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學研究實驗室以外的領(lǐng)域,，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。電子學應(yīng)用：2μm 線寬光刻能力,，第三代半導(dǎo)體器件研發(fā)效率提升 3 倍,。河北POLOSBEAM光刻機MAX基材尺寸4英寸到6英寸

未來技術(shù)儲備：持續(xù)研發(fā)光束整形與多材料兼容工藝，lead微納制造前沿,。重慶POLOSBEAM光刻機不需要緩慢且昂貴的光掩模

石墨烯,、二硫化鉬等二維材料的器件制備依賴高精度圖案轉(zhuǎn)移，Polos 光刻機的激光直寫技術(shù)避免了傳統(tǒng)濕法轉(zhuǎn)移的污染問題,。某納米電子實驗室在 SiO?基底上直接曝光出 10nm 間隔的電極陣列,，成功制備出石墨烯場效應(yīng)晶體管，其電子遷移率達 2×10? cm2/(V?s),，接近理論極限,。該技術(shù)支持快速構(gòu)建多種二維材料異質(zhì)結(jié)，使器件研發(fā)效率提升 5 倍,，相關(guān)成果推動二維材料在柔性電子,、量子計算領(lǐng)域的應(yīng)用研究進入快車道。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案,。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng),。通過與計算機輔助設(shè)計軟件無縫集成,，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小,，非常適合研究實驗室,，并broad應(yīng)用于微流體,、電子學和納/微機械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學研究實驗室以外的領(lǐng)域,，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會,。重慶POLOSBEAM光刻機不需要緩慢且昂貴的光掩模