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黑龍江多模硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2025-01-12

硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)硅光陣列微調(diào)設(shè)備,微調(diào)設(shè)備包括有垂直設(shè)置的第1角度調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)與第二角度調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu),微調(diào)設(shè)備可帶動(dòng)設(shè)置于微調(diào)設(shè)備上的硅光陣列在垂直的兩個(gè)方向?qū)崿F(xiàn)角度微調(diào),。本發(fā)明還提供一種光子芯片測(cè)試系統(tǒng)硅光陣列耦合設(shè)備,包括有微調(diào)設(shè)備以及與微調(diào)設(shè)備固定連接的位移臺(tái),位移臺(tái)可實(shí)現(xiàn)對(duì)探針卡進(jìn)行空間上三個(gè)方向的位置調(diào)整?;诠庾有酒瑴y(cè)試系統(tǒng)硅光陣列耦合方法,可使得硅光陣列良好的對(duì)準(zhǔn)到芯片端面的光柵區(qū)間,從而使得測(cè)試過程更加穩(wěn)定,結(jié)果更加準(zhǔn)確。硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)優(yōu)點(diǎn):靈活性大,。黑龍江多模硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)

黑龍江多模硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng),硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)

根據(jù)產(chǎn)業(yè)鏈劃分,,芯片從設(shè)計(jì)到出廠的中心環(huán)節(jié)主要包括6個(gè)部分:(1)設(shè)計(jì)軟件,,芯片設(shè)計(jì)軟件是芯片公司設(shè)計(jì)芯片結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵工具,目前芯片的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)主要依靠EDA(電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化)軟件來(lái)完成,;(2)指令集體系,,從技術(shù)來(lái)看,CPU只是高度聚集了上百萬(wàn)個(gè)小開關(guān),,沒有高效的指令集體系,,芯片沒法運(yùn)行操作系統(tǒng)和軟件;(3)芯片設(shè)計(jì),,主要連接電子產(chǎn)品,、服務(wù)的接口;(4)制造設(shè)備,,即生產(chǎn)芯片的設(shè)備,;(5)圓晶代工,圓晶代工廠是芯片從圖紙到產(chǎn)品的生產(chǎn)車間,,它們決定了芯片采用的納米工藝等性能指標(biāo);(6)封裝測(cè)試,,是芯片進(jìn)入銷售前的結(jié)尾一個(gè)環(huán)節(jié),,主要目的是保證產(chǎn)品的品質(zhì),對(duì)技術(shù)需求相對(duì)較低,。應(yīng)用到芯片的領(lǐng)域比如我們的硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng),。江蘇震動(dòng)硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)報(bào)價(jià)硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)優(yōu)點(diǎn):測(cè)試精度高。

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硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)測(cè)試時(shí)說到功率飄忽不定,,耦合直通率低一直是影響產(chǎn)能的重要的因素,,功率飄通常與耦合板的位置有關(guān),因此在耦合時(shí)一定要固定好相應(yīng)的位置,,不可隨便移動(dòng),,此外部分機(jī)型需要使用專屬版本,又或者說耦合RF線材損壞也會(huì)對(duì)功率的穩(wěn)定造成比較大的影響,。若以上原因都排除則故障原因就集中在終測(cè)儀和機(jī)頭本身了,。結(jié)尾說一說耦合不過站的故障,為防止耦合漏作業(yè)的現(xiàn)象,,在耦合的過程中會(huì)通過網(wǎng)線自動(dòng)上傳耦合數(shù)據(jù)進(jìn)行過站,,若MES系統(tǒng)的外觀工位攔截到耦合不過站的機(jī)頭,則比較可能是CB一鍵藕合工具未開啟或者損壞,,需要卸載后重新安裝,,排除耦合4.0的故障和電腦系統(tǒng)本身的故障之后,則可能是MES系統(tǒng)本身的問題導(dǎo)致耦合數(shù)據(jù)無(wú)法上傳而導(dǎo)致不過站的現(xiàn)象的,。

硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)系統(tǒng)的測(cè)試設(shè)備主要是包括可調(diào)激光器,、偏振控制器和多通道光功率計(jì),通過光矩陣的光路切換,每一時(shí)刻在程序控制下都可以形成一個(gè)單獨(dú)的測(cè)試環(huán)路,。光源出光包含兩個(gè)設(shè)備,,調(diào)光過程使用ASE寬光源,以保證光路通過光芯片后總是出光,,ASE光源輸出端接入1*N路耦合器,;測(cè)試過程使用可調(diào)激光器,以掃描特定功率及特定波長(zhǎng),,激光器出光后連接偏振控制器輸入端,,以得到特定偏振態(tài)下光信號(hào);偏振控制器輸出端接入1個(gè)N*1路光開光,;切光過程通過輸入端光矩陣,,包含N個(gè)2*1光開關(guān),以得到特定光源,。輸入光進(jìn)入光芯片后由芯片輸出端輸出進(jìn)入輸出端光矩陣,,包含N個(gè)2*1路光開關(guān),用于切換輸出到多通道光功率計(jì)或者PD光電二極管,,分別對(duì)應(yīng)測(cè)試過程與耦合過程,。硅光芯片耦合測(cè)試能夠高精度的測(cè)量待測(cè)試樣的三維或二維的全場(chǎng)測(cè)量。

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硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)中的硅光與芯片的耦合方法及其硅光芯片,方法包括以下步驟:將硅光芯片粘貼固定在基板上,硅光芯片的端面耦合波導(dǎo)為懸臂梁結(jié)構(gòu),具有模斑變換器;通過圖像系統(tǒng),微調(diào)架將光纖端面與耦合波導(dǎo)的模斑變換器耦合對(duì)準(zhǔn),固定塊從側(cè)面緊挨光纖并固定在基板上;硅光芯片的輸入端和輸出端分別粘貼墊塊并支撐光纖未剝除涂覆層的部分;使用微調(diào)架將光纖端面與模斑變換器區(qū)域精確對(duì)準(zhǔn),調(diào)節(jié)至合適耦合間距后采用紫外膠將光纖分別與固定塊和墊塊粘接固定;本發(fā)明方案簡(jiǎn)易可靠,工藝復(fù)雜度低,通用性好,適用于批量制作,。IC測(cè)試架是一種檢測(cè)和診斷集成電路的設(shè)備,,它可以通過模擬信號(hào)的方式,檢測(cè)集成電路的功能和性能,。山東震動(dòng)硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)

硅光芯片的具有集成度高,、成本低、傳輸線更好等特點(diǎn),。黑龍江多模硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)

硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)主要工作可以分為四個(gè)部分(1)從波導(dǎo)理論出發(fā),分析了條形波導(dǎo)以及脊型波導(dǎo)的波導(dǎo)模式特性,分析了硅光芯片的良好束光特性,。(2)針對(duì)倒錐型耦合結(jié)構(gòu),分析在耦合過程中,耦合結(jié)構(gòu)的尺寸對(duì)插入損耗,耦合容差的影響,優(yōu)化耦合結(jié)構(gòu)并開發(fā)出行之有效的耦合工藝。(3)理論分析了硅光芯片調(diào)制器的載流子色散效應(yīng),分析了調(diào)制器的基本結(jié)構(gòu)MZI干涉結(jié)構(gòu),并從光學(xué)結(jié)構(gòu)和電學(xué)結(jié)構(gòu)兩方面對(duì)光調(diào)制器進(jìn)行理論分析與介紹,。(4)利用開發(fā)出的耦合封裝工藝,對(duì)硅光芯片調(diào)制器進(jìn)行耦合封裝并進(jìn)行性能測(cè)試,。分析并聯(lián)MZI型硅光芯片調(diào)制器的調(diào)制特性,針對(duì)調(diào)制過程,建立數(shù)學(xué)模型,從數(shù)學(xué)的角度出發(fā),總結(jié)出調(diào)制器的直流偏置電壓的快速測(cè)試方法。并通過調(diào)制器眼圖分析調(diào)制器中存在的問題,為后續(xù)研發(fā)提供改進(jìn)方向,。黑龍江多模硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)