陽(yáng)極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上,，陽(yáng)極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上（它們之間有兩個(gè)P-N結(jié),，而且方向相反,，因此陽(yáng)極和控制極正反向都不通）,?？刂茦O與陰極之間是一個(gè)P-N結(jié)，因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍,，反向電阻比正向電阻要大,。可是控制極二極管特性是不太理想的,，反向不是完全呈阻斷狀態(tài)的,，可以有比較大的電流通過(guò)，因此,，有時(shí)測(cè)得控制極反向電阻比較小,，并不能說(shuō)明控制極特性不好,。另外,，在測(cè)量控制極正反向電阻時(shí)，萬(wàn)用表應(yīng)放在R*10或R*1擋,，防止電壓過(guò)高控制極反向擊穿,。若測(cè)得元件陰陽(yáng)極正反向已短路，或陽(yáng)極與控制極短路,，或控制極與陰極反向短路,，或控制極與陰極斷路，說(shuō)明元件已損壞,。它的符號(hào)也和普通可控硅不同,，是把兩個(gè)可控硅反接在一起畫(huà)成的。東海威力可控硅工程測(cè)量

按關(guān)斷速度分類(lèi)：可控硅按其關(guān)斷速度可分為普通可控硅和高頻（快速）可控硅,。過(guò)零觸發(fā)-一般是調(diào)功,，即當(dāng)正弦交流電交流電電壓相位過(guò)零點(diǎn)觸發(fā)，必須是過(guò)零點(diǎn)才觸發(fā),，導(dǎo)通可控硅,。非過(guò)零觸發(fā)-無(wú)論交流電電壓在什么相位的時(shí)候都可觸發(fā)導(dǎo)通可控硅,，常見(jiàn)的是移相觸發(fā)，即通過(guò)改變正弦交流電的導(dǎo)通角（角相位）,，來(lái)改變輸出百分比,。常用可控硅的封裝形式有TO-92、TO-126,、TO-202AB,、TO-220、TO-220ABC,、TO-3P,、SOT-89、TO-251,、TO-252,、SOT-23、SOT23-3L等,。普通晶閘管基本的用途就是可控整流,。大家熟悉的二極管整流電路屬于不可控整流電路。如果把二極管換成晶閘管,，就可以構(gòu)成可控整流電路,。海州區(qū)標(biāo)準(zhǔn)可控硅經(jīng)驗(yàn)豐富可控硅分單向可控硅和雙向可控硅兩種。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅,，簡(jiǎn)稱(chēng)TRIAC,。

可控硅是可控硅整流元件的簡(jiǎn)稱(chēng)，是一種具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件,。實(shí)際上,，可控硅的功用不僅是整流，它還可以用作無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)以快速接通或切斷電路,，實(shí)現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變,，將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電，等等,?？煽毓韬推渌雽?dǎo)體器件一樣，其有體積小,、效率高,、穩(wěn)定性好、工作可靠等優(yōu)點(diǎn),。它的出現(xiàn),，使半導(dǎo)體技術(shù)從弱電領(lǐng)域進(jìn)入了強(qiáng)電領(lǐng)域，成為工業(yè),、農(nóng)業(yè),、交通運(yùn)輸,、科研以至商業(yè)、民用電器等方面爭(zhēng)相采用的元件,。在有電噪聲的環(huán)境中,，如果柵極上的噪聲電壓超過(guò)VGT，并有足夠的柵電流激發(fā)可控硅(晶閘管)內(nèi)部的正反饋,，則也會(huì)被觸發(fā)導(dǎo)通,。

應(yīng)用安裝時(shí)，首先要使柵極外的連線(xiàn)盡可能短,。當(dāng)連線(xiàn)不能很短時(shí),，可用絞線(xiàn)或屏蔽線(xiàn)來(lái)減小干擾的侵入。在然后G與MT1之間加一個(gè)1KΩ的電阻來(lái)降低其靈敏度,，也可以再并聯(lián)一個(gè)100nf的電容,，來(lái)濾掉高頻噪聲。當(dāng)驅(qū)動(dòng)一個(gè)大的電感性負(fù)載時(shí),，在負(fù)載電壓和電流間有一個(gè)很大的相移,。當(dāng)負(fù)載電流過(guò)零時(shí)，雙向可控硅(晶閘管)開(kāi)始換向,，但由于相移的關(guān)系,，電壓將不會(huì)是零。所以要求可控硅(晶閘管)要迅速關(guān)斷這個(gè)電壓,。如果這時(shí)換向電壓的變化超過(guò)允許值時(shí),，就沒(méi)有足夠的時(shí)間使結(jié)間的電荷釋放掉，而被迫使雙向可控硅(晶閘管)回到導(dǎo)通狀態(tài),。為了克服上述問(wèn)題,，可以在端子MT1和MT2之間加一個(gè)RC網(wǎng)絡(luò)來(lái)限制電壓的變化，以防止誤觸發(fā),。一般,，電阻取100R,，電容取100nF,。值得注意的是此電阻不能省掉。從外表上看,，雙向可控硅和普通可控硅很相似,，也有三個(gè)電極。

當(dāng)負(fù)載電流增大,，電源頻率的增高或電源為非正弦波時(shí),，會(huì)使轉(zhuǎn)換電流變化率變高，這種情況易在感性負(fù)載的情況下發(fā)生,，很容易導(dǎo)致器件的損壞,。此時(shí)可以在負(fù)載回路中串聯(lián)一只幾毫亨的空氣電感,。在處于截止?fàn)顟B(tài)的雙向可控硅(晶閘管)兩端加一個(gè)小于它的VDFM的高速變化的電壓時(shí)，內(nèi)部電容的電流會(huì)產(chǎn)生足夠的柵電流來(lái)使可控硅(晶閘管)導(dǎo)通,。這在高溫下尤為嚴(yán)重,，在這種情況下可以在MT1和MT2間加一個(gè)RC緩沖電路來(lái)限制VD/DT，或可采用高速可控硅(晶閘管),。在電源不正常的情況下,，可控硅(晶閘管)兩端的電壓會(huì)超過(guò)連續(xù)峰值開(kāi)路電壓VDRM的大值，此時(shí)可控硅(晶閘管)的漏電流增大并擊穿導(dǎo)通,。如果負(fù)載能允許很大的浪涌電流,，那么硅片上局部的電流密度就很高，使這一小部分先導(dǎo)通,。導(dǎo)致芯片燒毀或損壞,。另外白熾燈，容性負(fù)載或短路保護(hù)電路會(huì)產(chǎn)生較高的浪涌電流,，這時(shí)可外加濾波器和鉗位電路來(lái)防止尖峰（毛刺）電壓加到雙向可控硅(晶閘管)上,。通常，大功率可控硅多采用金屬殼封裝,，而中,、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝。海州區(qū)標(biāo)準(zhǔn)可控硅經(jīng)驗(yàn)豐富

按電流容量分類(lèi)：可控硅按電流容量可分為大功率可控硅,、率可控硅和小功率可控硅三種,。東海威力可控硅工程測(cè)量

可控硅從外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三種,，螺旋式的應(yīng)用較多,。可控硅有三個(gè)電極---陽(yáng)極（A）陰極（C）和控制極（G）,。它有管芯是P型導(dǎo)體和N型導(dǎo)體交迭組成的四層結(jié)構(gòu),，共有三個(gè)PN結(jié)?？煽毓韬椭挥幸粋€(gè)PN結(jié)的硅整流二極度管在結(jié)構(gòu)上迥然不同,。可控硅的四層結(jié)構(gòu)和控制極的引用,，為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎(chǔ),。在應(yīng)用可控硅時(shí)，只要在控制極加上很小的電流或電壓,，就能控制很大的陽(yáng)極電流或電壓,。電流容量達(dá)幾百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅,，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅,。東海威力可控硅工程測(cè)量

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