可控硅是可控硅整流元件的簡稱,是一種具有三個PN 結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件,一般由兩晶閘管反向連接而成.它的功用不僅是整流,，還可以用作無觸點開關(guān)以快速接通或切斷電路，實現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變,，將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電等等,。可控硅和其它半導(dǎo)體器件一樣,，其有體積小,、效率高、穩(wěn)定性好,、工作可靠等優(yōu)點,。它的出現(xiàn)，使半導(dǎo)體技術(shù)從弱電領(lǐng)域進入了強電領(lǐng)域,，成為工業(yè),、農(nóng)業(yè),、交通運輸、科研以至商業(yè),、民用電器等方面爭相采用的元件,。晶閘管T在工作過程中，它的陽極A和陰極K與電源和負載連接,，組成晶閘管的主電路,，晶閘管的門極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接，組成晶閘管的控制電路,。它在交直流電機調(diào)速系統(tǒng),、調(diào)功系統(tǒng)及隨動系統(tǒng)中得到了的應(yīng)用。海安使用可控硅工程測量

可控硅是可控硅整流元件的簡稱,，是一種具有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件,。實際上,，可控硅的功用不僅是整流,，它還可以用作無觸點開關(guān)以快速接通或切斷電路，實現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變,，將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電,，等等?？煽毓韬推渌雽?dǎo)體器件一樣,，其有體積小、效率高,、穩(wěn)定性好、工作可靠等優(yōu)點,。它的出現(xiàn),，使半導(dǎo)體技術(shù)從弱電領(lǐng)域進入了強電領(lǐng)域,，成為工業(yè),、農(nóng)業(yè)、交通運輸,、科研以至商業(yè)、民用電器等方面爭相采用的元件,。在有電噪聲的環(huán)境中,，如果柵極上的噪聲電壓超過VGT，并有足夠的柵電流激發(fā)可控硅(晶閘管)內(nèi)部的正反饋,，則也會被觸發(fā)導(dǎo)通,。海安使用可控硅工程測量這種裝置的優(yōu)點是控制電路簡單,，沒有反向耐壓問題，因此特別適合做交流無觸點開關(guān)使用,。

以簡單的單相半波可控整流電路為例,，在正弦交流電壓U2的正半周期間，如果VS的控制極沒有輸入觸發(fā)脈沖Ug,，VS仍然不能導(dǎo)通,，只有在U2處于正半周,，在控制極外加觸發(fā)脈沖Ug時,，晶閘管被觸發(fā)導(dǎo)通,。畫出它的波形（c）及（d）,，只有在觸發(fā)脈沖Ug到來時，負載RL上才有電壓UL輸出,。Ug到來得早,，晶閘管導(dǎo)通的時間就早；Ug到來得晚,，晶閘管導(dǎo)通的時間就晚,。通過改變控制極上觸發(fā)脈沖Ug到來的時間，就可以調(diào)節(jié)負載上輸出電壓的平均值UL,。在電工技術(shù)中,，常把交流電的半個周期定為180°，稱為電角度,。這樣,，在U2的每個正半周，從零值開始到觸發(fā)脈沖到來瞬間所經(jīng)歷的電角度稱為控制角α,；在每個正半周內(nèi)晶閘管導(dǎo)通的電角度叫導(dǎo)通角θ,。很明顯，α和θ都是用來表示晶閘管在承受正向電壓的半個周期的導(dǎo)通或阻斷范圍的,。通過改變控制角α或?qū)ń铅?，改變負載上脈沖直流電壓的平均值UL，實現(xiàn)了可控整流,。

按關(guān)斷速度分類：可控硅按其關(guān)斷速度可分為普通可控硅和高頻（快速）可控硅,。過零觸發(fā)-一般是調(diào)功，即當(dāng)正弦交流電交流電電壓相位過零點觸發(fā),，必須是過零點才觸發(fā),，導(dǎo)通可控硅。非過零觸發(fā)-無論交流電電壓在什么相位的時候都可觸發(fā)導(dǎo)通可控硅,，常見的是移相觸發(fā),，即通過改變正弦交流電的導(dǎo)通角（角相位），來改變輸出百分比,。常用可控硅的封裝形式有TO-92,、TO-126、TO-202AB,、TO-220,、TO-220ABC、TO-3P,、SOT-89,、TO-251、TO-252,、SOT-23,、SOT23-3L等。普通晶閘管基本的用途就是可控整流,。大家熟悉的二極管整流電路屬于不可控整流電路,。如果把二極管換成晶閘管，就可以構(gòu)成可控整流電路,。雙向可控硅在結(jié)構(gòu)上相當(dāng)于兩個單向可控硅反向連接,，這種可控硅具有雙向?qū)üδ堋?/p>

當(dāng)負載電流增大，電源頻率的增高或電源為非正弦波時,，會使轉(zhuǎn)換電流變化率變高,，這種情況易在感性負載的情況下發(fā)生，很容易導(dǎo)致器件的損壞,。此時可以在負載回路中串聯(lián)一只幾毫亨的空氣電感,。在處于截止?fàn)顟B(tài)的雙向可控硅(晶閘管)兩端加一個小于它的VDFM的高速變化的電壓時，內(nèi)部電容的電流會產(chǎn)生足夠的柵電流來使可控硅(晶閘管)導(dǎo)通,。這在高溫下尤為嚴(yán)重,，在這種情況下可以在MT1和MT2間加一個RC緩沖電路來限制VD/DT，或可采用高速可控硅(晶閘管),。在電源不正常的情況下,，可控硅(晶閘管)兩端的電壓會超過連續(xù)峰值開路電壓VDRM的大值，此時可控硅(晶閘管)的漏電流增大并擊穿導(dǎo)通,。如果負載能允許很大的浪涌電流,，那么硅片上局部的電流密度就很高，使這一小部分先導(dǎo)通,。導(dǎo)致芯片燒毀或損壞,。另外白熾燈，容性負載或短路保護電路會產(chǎn)生較高的浪涌電流,，這時可外加濾波器和鉗位電路來防止尖峰（毛刺）電壓加到雙向可控硅(晶閘管)上,。按電流容量分類：可控硅按電流容量可分為大功率可控硅、率可控硅和小功率可控硅三種,。灌南應(yīng)用可控硅聯(lián)系方式

從外表上看,，雙向可控硅和普通可控硅很相似，也有三個電極,。海安使用可控硅工程測量

可控硅一經(jīng)觸發(fā)導(dǎo)通后,，由于循環(huán)反饋的原因，流入BG1基極的電流已不只是初始的Ib1,，而是經(jīng)過BG1,、BG2放大后的電流（β1*β2*Ib1）這一電流遠大于Ib1，足以保持BG1的持續(xù)導(dǎo)通,。此時觸發(fā)信號即使消失,，可控硅仍保持導(dǎo)通狀態(tài)只有斷開電源Ea或降低Ea，使BG1,、BG2中的集電極電流小于維持導(dǎo)通的小值時,，可控硅方可關(guān)斷。當(dāng)然,，如果Ea極性反接,，BG1、BG2由于受到反向電壓作用將處于截止?fàn)顟B(tài),。這時,，即使輸入觸發(fā)信號，可控硅也不能工作,。反過來,，Ea接成正向，而觸動發(fā)信號是負的,，可控硅也不能導(dǎo)通,。另外，如果不加觸發(fā)信號,，而正向陽極電壓大到超過一定值時,，可控硅也會導(dǎo)通，但已屬于非正常工作情況了,。海安使用可控硅工程測量

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