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可控硅(Silicon Controlled Rectifier) 簡稱SCR,，是一種大功率電器元件,，也稱晶閘管。它具有體積小,、效率高,、壽命長等優(yōu)點。在自動控制系統(tǒng)中,，可作為大功率驅(qū)動器件,，實現(xiàn)用小功率控件控制大功率設備。它在交直流電機調(diào)速系統(tǒng),、調(diào)功系統(tǒng)及隨動系統(tǒng)中得到了的應用,。可控硅分單向可控硅和雙向可控硅兩種,。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅,，簡稱TRIAC。雙向可控硅在結(jié)構(gòu)上相當于兩個單向可控硅反向連接,，這種可控硅具有雙向?qū)üδ?。其通斷狀態(tài)由控制極G決定。在控制極G上加正脈沖(或負脈沖)可使其正向(或反向)導通,。這種裝置的優(yōu)點是控制電路簡單,，沒有反向耐壓問題，因此特別適合做交流無觸點開關使...

首先,，可以把從陰極向上數(shù)的,、二、三層看面是一只NPN型號晶體管,，而二,、三四層組成另一只PNP型晶體管,。其中第二、第三層為兩管交迭共用,。當在陽極和陰極之間加上一個正向電壓Ea,，又在控制極G和陰極C之間（相當BG1的基一射間）輸入一個正的觸發(fā)信號，BG1將產(chǎn)生基極電流Ib1,，經(jīng)放大,，BG1將有一個放大了β1倍的集電極電流IC1。因為BG1集電極與BG2基極相連,，IC1又是BG2的基極電流Ib2,。BG2又把比Ib2（Ib1）放大了β2的集電極電流IC2送回BG1的基極放大。如此循環(huán)放大,，直到BG1,、BG2完全導通。實際這一過程是“一觸即發(fā)”的過程,，對可控硅來說,，觸發(fā)信號加入控制極，可控硅立即導通,。導...

可控硅一經(jīng)觸發(fā)導通后,，由于循環(huán)反饋的原因，流入BG1基極的電流已不只是初始的Ib1,，而是經(jīng)過BG1,、BG2放大后的電流（β1*β2*Ib1）這一電流遠大于Ib1，足以保持BG1的持續(xù)導通,。此時觸發(fā)信號即使消失,，可控硅仍保持導通狀態(tài)只有斷開電源Ea或降低Ea，使BG1,、BG2中的集電極電流小于維持導通的小值時,，可控硅方可關斷。當然,，如果Ea極性反接,，BG1、BG2由于受到反向電壓作用將處于截止狀態(tài),。這時，即使輸入觸發(fā)信號,，可控硅也不能工作,。反過來，Ea接成正向,，而觸動發(fā)信號是負的,，可控硅也不能導通,。另外，如果不加觸發(fā)信號,，而正向陽極電壓大到超過一定值時,，可控硅也會導通，但已屬于非正常工作情況了,。...

可控硅從外形上分主要有螺旋式,、平板式和平底式三種，螺旋式的應用較多,?？煽毓栌腥齻€電極---陽極（A）陰極（C）和控制極（G）。它有管芯是P型導體和N型導體交迭組成的四層結(jié)構(gòu),，共有三個PN結(jié),。可控硅和只有一個PN結(jié)的硅整流二極度管在結(jié)構(gòu)上迥然不同,?？煽毓璧乃膶咏Y(jié)構(gòu)和控制極的引用，為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎,。在應用可控硅時,，只要在控制極加上很小的電流或電壓，就能控制很大的陽極電流或電壓,。電流容量達幾百安培以至上千安培的可控硅元件,。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅,。從外表上看,，雙向可控硅和普通可控硅很相似，也有三個電極,。啟東定制可控硅出廠價...

可控硅一經(jīng)觸發(fā)導通后,，由于循環(huán)反饋的原因，流入BG1基極的電流已不只是初始的Ib1,，而是經(jīng)過BG1,、BG2放大后的電流（β1*β2*Ib1）這一電流遠大于Ib1，足以保持BG1的持續(xù)導通,。此時觸發(fā)信號即使消失,，可控硅仍保持導通狀態(tài)只有斷開電源Ea或降低Ea，使BG1,、BG2中的集電極電流小于維持導通的小值時,，可控硅方可關斷。當然，如果Ea極性反接,，BG1,、BG2由于受到反向電壓作用將處于截止狀態(tài)。這時,，即使輸入觸發(fā)信號,，可控硅也不能工作,。反過來,，Ea接成正向，而觸動發(fā)信號是負的,，可控硅也不能導通,。另外,，如果不加觸發(fā)信號，而正向陽極電壓大到超過一定值時,，可控硅也會導通,，但已屬于非正常工作情況了。...

可控硅是可控硅整流元件的簡稱,是一種具有三個PN 結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導體器件,一般由兩晶閘管反向連接而成.它的功用不僅是整流,，還可以用作無觸點開關以快速接通或切斷電路,，實現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變，將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電等等,?？煽毓韬推渌雽w器件一樣，其有體積小,、效率高,、穩(wěn)定性好、工作可靠等優(yōu)點,。它的出現(xiàn),，使半導體技術從弱電領域進入了強電領域，成為工業(yè),、農(nóng)業(yè),、交通運輸、科研以至商業(yè),、民用電器等方面爭相采用的元件,。晶閘管T在工作過程中，它的陽極A和陰極K與電源和負載連接,，組成晶閘管的主電路,，晶閘管的門極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接，組成晶閘管的控制電路,。它在交直流電機...

可控硅是可控硅整流元件的簡稱,是一種具有三個PN 結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導體器件,一般由兩晶閘管反向連接而成.它的功用不僅是整流,，還可以用作無觸點開關以快速接通或切斷電路,，實現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變，將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電等等,。可控硅和其它半導體器件一樣,，其有體積小,、效率高、穩(wěn)定性好,、工作可靠等優(yōu)點,。它的出現(xiàn)，使半導體技術從弱電領域進入了強電領域,，成為工業(yè),、農(nóng)業(yè)、交通運輸,、科研以至商業(yè),、民用電器等方面爭相采用的元件。晶閘管T在工作過程中,，它的陽極A和陰極K與電源和負載連接,，組成晶閘管的主電路，晶閘管的門極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接,，組成晶閘管的控制電路,。它在交直流電機...

可控硅是可控硅整流元件的簡稱,是一種具有三個PN 結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導體器件,一般由兩晶閘管反向連接而成.它的功用不僅是整流，還可以用作無觸點開關以快速接通或切斷電路,，實現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變,，將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電等等?？煽毓韬推渌雽w器件一樣,，其有體積小、效率高,、穩(wěn)定性好,、工作可靠等優(yōu)點。它的出現(xiàn),，使半導體技術從弱電領域進入了強電領域,，成為工業(yè)、農(nóng)業(yè),、交通運輸,、科研以至商業(yè)、民用電器等方面爭相采用的元件,。晶閘管T在工作過程中,，它的陽極A和陰極K與電源和負載連接，組成晶閘管的主電路，晶閘管的門極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接,，組成晶閘管的控制電路,。在自動控制系統(tǒng)...

以簡單的單相半波可控整流電路為例，在正弦交流電壓U2的正半周期間,，如果VS的控制極沒有輸入觸發(fā)脈沖Ug,，VS仍然不能導通，只有在U2處于正半周,，在控制極外加觸發(fā)脈沖Ug時,，晶閘管被觸發(fā)導通。畫出它的波形（c）及（d）,，只有在觸發(fā)脈沖Ug到來時,，負載RL上才有電壓UL輸出。Ug到來得早,，晶閘管導通的時間就早,；Ug到來得晚，晶閘管導通的時間就晚,。通過改變控制極上觸發(fā)脈沖Ug到來的時間,，就可以調(diào)節(jié)負載上輸出電壓的平均值UL。在電工技術中,，常把交流電的半個周期定為180°,，稱為電角度。這樣,，在U2的每個正半周,，從零值開始到觸發(fā)脈沖到來瞬間所經(jīng)歷的電角度稱為控制角α；在每個正半周內(nèi)晶閘管導通的電角度叫導...

可控硅是P1N1P2N2四層三端結(jié)構(gòu)元件,，共有三個PN結(jié),，分析原理時，可以把它看作由一個PNP管和一個NPN管所組成,，其等效圖解如右圖所示,。雙向可控硅：雙向可控硅是一種硅可控整流器件，也稱作雙向晶閘管,。這種器件在電路中能夠?qū)崿F(xiàn)交流電的無觸點控制,，以小電流控制大電流，具有無火花,、動作快,、壽命長、可靠性高以及簡化電路結(jié)構(gòu)等優(yōu)點,。從外表上看,，雙向可控硅和普通可控硅很相似,，也有三個電極。但是,，它除了其中一個電極G仍叫做控制極外,，另外兩個電極通常卻不再叫做陽極和陰極，而統(tǒng)稱為主電極Tl和T2,。它的符號也和普通可控硅不同,，是把兩個可控硅反接在一起畫成的。雙向可控硅在結(jié)構(gòu)上相當于兩個單向可控硅反向連接,，這種...

可控硅一經(jīng)觸發(fā)導通后，由于循環(huán)反饋的原因,，流入BG1基極的電流已不只是初始的Ib1,，而是經(jīng)過BG1、BG2放大后的電流（β1*β2*Ib1）這一電流遠大于Ib1,，足以保持BG1的持續(xù)導通,。此時觸發(fā)信號即使消失，可控硅仍保持導通狀態(tài)只有斷開電源Ea或降低Ea,，使BG1,、BG2中的集電極電流小于維持導通的小值時，可控硅方可關斷,。當然,，如果Ea極性反接，BG1,、BG2由于受到反向電壓作用將處于截止狀態(tài),。這時，即使輸入觸發(fā)信號,，可控硅也不能工作。反過來,，Ea接成正向，而觸動發(fā)信號是負的,，可控硅也不能導通。另外,，如果不加觸發(fā)信號,，而正向陽極電壓大到超過一定值時,，可控硅也會導通,，但已屬于非正常工作情況了。...

可控硅從外形上分主要有螺旋式,、平板式和平底式三種，螺旋式的應用較多,?？煽毓栌腥齻€電極---陽極（A）陰極（C）和控制極（G）。它有管芯是P型導體和N型導體交迭組成的四層結(jié)構(gòu),，共有三個PN結(jié),?？煽毓韬椭挥幸粋€PN結(jié)的硅整流二極度管在結(jié)構(gòu)上迥然不同,?？煽毓璧乃膶咏Y(jié)構(gòu)和控制極的引用,，為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎,。在應用可控硅時，只要在控制極加上很小的電流或電壓，就能控制很大的陽極電流或電壓,。電流容量達幾百安培以至上千安培的可控硅元件,。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅,，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅,。從外表上看,，雙向可控硅和普通可控硅很相似,，也有三個電極,。海州區(qū)標準可控硅節(jié)能...

應用安裝時,，首先要使柵極外的連線盡可能短。當連線不能很短時,，可用絞線或屏蔽線來減小干擾的侵入,。在然后G與MT1之間加一個1KΩ的電阻來降低其靈敏度，也可以再并聯(lián)一個100nf的電容,，來濾掉高頻噪聲,。當驅(qū)動一個大的電感性負載時，在負載電壓和電流間有一個很大的相移,。當負載電流過零時,，雙向可控硅(晶閘管)開始換向，但由于相移的關系,，電壓將不會是零,。所以要求可控硅(晶閘管)要迅速關斷這個電壓。如果這時換向電壓的變化超過允許值時,，就沒有足夠的時間使結(jié)間的電荷釋放掉,，而被迫使雙向可控硅(晶閘管)回到導通狀態(tài)。為了克服上述問題,，可以在端子MT1和MT2之間加一個RC網(wǎng)絡來限制電壓的變化,，以防止誤觸發(fā)。一般,，...

陽極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上,，陽極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上（它們之間有兩個P-N結(jié),，而且方向相反,，因此陽極和控制極正反向都不通）?？刂茦O與陰極之間是一個P-N結(jié),，因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍,，反向電阻比正向電阻要大?？墒强刂茦O二極管特性是不太理想的，反向不是完全呈阻斷狀態(tài)的,，可以有比較大的電流通過,，因此，有時測得控制極反向電阻比較小，并不能說明控制極特性不好,。另外，在測量控制極正反向電阻時,，萬用表應放在R*10或R*1擋,，防止電壓過高控制極反向擊穿,。若測得元件陰陽極正反向已短路,，或陽極與控制極短路，或控制極與陰極反向短路,，或控制極與陰極斷路,，說明元...

當負載電流增大，電源頻率的增高或電源為非正弦波時,，會使轉(zhuǎn)換電流變化率變高,，這種情況易在感性負載的情況下發(fā)生，很容易導致器件的損壞,。此時可以在負載回路中串聯(lián)一只幾毫亨的空氣電感,。在處于截止狀態(tài)的雙向可控硅(晶閘管)兩端加一個小于它的VDFM的高速變化的電壓時，內(nèi)部電容的電流會產(chǎn)生足夠的柵電流來使可控硅(晶閘管)導通,。這在高溫下尤為嚴重,，在這種情況下可以在MT1和MT2間加一個RC緩沖電路來限制VD/DT，或可采用高速可控硅(晶閘管),。在電源不正常的情況下,，可控硅(晶閘管)兩端的電壓會超過連續(xù)峰值開路電壓VDRM的大值,，此時可控硅(晶閘管)的漏電流增大并擊穿導通,。如果負載能允許很大的浪涌電流，那么...

應用安裝時,，首先要使柵極外的連線盡可能短,。當連線不能很短時，可用絞線或屏蔽線來減小干擾的侵入,。在然后G與MT1之間加一個1KΩ的電阻來降低其靈敏度,，也可以再并聯(lián)一個100nf的電容，來濾掉高頻噪聲。當驅(qū)動一個大的電感性負載時,，在負載電壓和電流間有一個很大的相移,。當負載電流過零時，雙向可控硅(晶閘管)開始換向,，但由于相移的關系,，電壓將不會是零。所以要求可控硅(晶閘管)要迅速關斷這個電壓,。如果這時換向電壓的變化超過允許值時,，就沒有足夠的時間使結(jié)間的電荷釋放掉，而被迫使雙向可控硅(晶閘管)回到導通狀態(tài),。為了克服上述問題,，可以在端子MT1和MT2之間加一個RC網(wǎng)絡來限制電壓的變化，以防止誤觸發(fā),。一般,，...

當負載電流增大，電源頻率的增高或電源為非正弦波時,，會使轉(zhuǎn)換電流變化率變高,，這種情況易在感性負載的情況下發(fā)生，很容易導致器件的損壞,。此時可以在負載回路中串聯(lián)一只幾毫亨的空氣電感,。在處于截止狀態(tài)的雙向可控硅(晶閘管)兩端加一個小于它的VDFM的高速變化的電壓時，內(nèi)部電容的電流會產(chǎn)生足夠的柵電流來使可控硅(晶閘管)導通,。這在高溫下尤為嚴重,，在這種情況下可以在MT1和MT2間加一個RC緩沖電路來限制VD/DT，或可采用高速可控硅(晶閘管),。在電源不正常的情況下,，可控硅(晶閘管)兩端的電壓會超過連續(xù)峰值開路電壓VDRM的大值，此時可控硅(晶閘管)的漏電流增大并擊穿導通,。如果負載能允許很大的浪涌電流,，那么...

以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件,起始于1957年，因為它的特性類似于真空閘流管,，所以國際上通稱為硅晶體閘流管,，簡稱晶閘管T，又因為晶閘管初的在靜止整流方面,，所以又被稱之為硅可控整流元件,，簡稱為可控硅SCR。在性能上,，可控硅不僅具有單向?qū)щ娦?，而且還具有比硅整流元件（俗稱"死硅")更為可貴的可控性,。它只有導通和關斷兩種狀態(tài)?？煽毓枘芤院涟布夒娏骺刂拼蠊β实臋C電設備,，如果超過此功率，因元件開關損耗增加,，允許通過的平均電流相降低,，此時，標稱電流應降級使用,?？煽毓璧膬?yōu)點很多，例如：以小功率控制大功率,，功率放大倍數(shù)高達幾十萬倍,；反應極快，在微秒級內(nèi)開通,、關斷,；無觸點運行，無火花,、無噪音...

以簡單的單相半波可控整流電路為例,，在正弦交流電壓U2的正半周期間，如果VS的控制極沒有輸入觸發(fā)脈沖Ug,，VS仍然不能導通,，只有在U2處于正半周，在控制極外加觸發(fā)脈沖Ug時,，晶閘管被觸發(fā)導通,。畫出它的波形（c）及（d），只有在觸發(fā)脈沖Ug到來時,，負載RL上才有電壓UL輸出,。Ug到來得早，晶閘管導通的時間就早,；Ug到來得晚,，晶閘管導通的時間就晚。通過改變控制極上觸發(fā)脈沖Ug到來的時間,，就可以調(diào)節(jié)負載上輸出電壓的平均值UL,。在電工技術中，常把交流電的半個周期定為180°,，稱為電角度,。這樣,，在U2的每個正半周,，從零值開始到觸發(fā)脈沖到來瞬間所經(jīng)歷的電角度稱為控制角α；在每個正半周內(nèi)晶閘管導通的電角度叫導...

可控硅是P1N1P2N2四層三端結(jié)構(gòu)元件，共有三個PN結(jié),，分析原理時,，可以把它看作由一個PNP管和一個NPN管所組成，其等效圖解如右圖所示,。雙向可控硅：雙向可控硅是一種硅可控整流器件,，也稱作雙向晶閘管。這種器件在電路中能夠?qū)崿F(xiàn)交流電的無觸點控制,，以小電流控制大電流,，具有無火花、動作快,、壽命長,、可靠性高以及簡化電路結(jié)構(gòu)等優(yōu)點。從外表上看,，雙向可控硅和普通可控硅很相似,，也有三個電極。但是,，它除了其中一個電極G仍叫做控制極外,，另外兩個電極通常卻不再叫做陽極和陰極，而統(tǒng)稱為主電極Tl和T2,。它的符號也和普通可控硅不同,，是把兩個可控硅反接在一起畫成的。這種裝置的優(yōu)點是控制電路簡單,，沒有反向耐壓問題,，因此...

應用安裝時，首先要使柵極外的連線盡可能短,。當連線不能很短時,，可用絞線或屏蔽線來減小干擾的侵入。在然后G與MT1之間加一個1KΩ的電阻來降低其靈敏度,，也可以再并聯(lián)一個100nf的電容,，來濾掉高頻噪聲。當驅(qū)動一個大的電感性負載時,，在負載電壓和電流間有一個很大的相移,。當負載電流過零時，雙向可控硅(晶閘管)開始換向,，但由于相移的關系,，電壓將不會是零。所以要求可控硅(晶閘管)要迅速關斷這個電壓,。如果這時換向電壓的變化超過允許值時,，就沒有足夠的時間使結(jié)間的電荷釋放掉,，而被迫使雙向可控硅(晶閘管)回到導通狀態(tài)。為了克服上述問題,，可以在端子MT1和MT2之間加一個RC網(wǎng)絡來限制電壓的變化,，以防止誤觸發(fā)。一般,，...

普通可控硅的三個電極可以用萬用表歐姆擋R×100擋位來測,。大家知道，晶閘管G,、K之間是一個PN結(jié)（a）,，相當于一個二極管，G為正極,、K為負極,，所以，按照測試二極管的方法,，找出三個極中的兩個極,，測它的正、反向電阻,，電阻小時,，萬用表黑表筆接的是控制極G，可以用剛才演示用的示教板電路,。接通電源開關S,，按一下按鈕開關SB，燈泡發(fā)光就是好的,，不發(fā)光就是壞的,。可控硅這種通過觸發(fā)信號（小的觸發(fā)電流）來控制導通（可控硅中通過大電流）的可控特性,，正是它區(qū)別于普通硅整流二極管的重要特征,。鑒別可控硅三個極的方法很簡單，根據(jù)P-N結(jié)的原理,，只要用萬用表測量一下三個極之間的電阻值就可以,。金屬封裝可控硅又分為螺栓形、平板...

當負載電流增大,，電源頻率的增高或電源為非正弦波時,，會使轉(zhuǎn)換電流變化率變高，這種情況易在感性負載的情況下發(fā)生,，很容易導致器件的損壞,。此時可以在負載回路中串聯(lián)一只幾毫亨的空氣電感。在處于截止狀態(tài)的雙向可控硅(晶閘管)兩端加一個小于它的VDFM的高速變化的電壓時,，內(nèi)部電容的電流會產(chǎn)生足夠的柵電流來使可控硅(晶閘管)導通,。這在高溫下尤為嚴重,，在這種情況下可以在MT1和MT2間加一個RC緩沖電路來限制VD/DT，或可采用高速可控硅(晶閘管),。在電源不正常的情況下,，可控硅(晶閘管)兩端的電壓會超過連續(xù)峰值開路電壓VDRM的大值,，此時可控硅(晶閘管)的漏電流增大并擊穿導通,。如果負載能允許很大的浪涌電流，那么...

陽極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上,，陽極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上（它們之間有兩個P-N結(jié),，而且方向相反，因此陽極和控制極正反向都不通）,?？刂茦O與陰極之間是一個P-N結(jié)，因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍,，反向電阻比正向電阻要大,。可是控制極二極管特性是不太理想的,，反向不是完全呈阻斷狀態(tài)的,，可以有比較大的電流通過，因此,，有時測得控制極反向電阻比較小,，并不能說明控制極特性不好。另外,，在測量控制極正反向電阻時,，萬用表應放在R*10或R*1擋，防止電壓過高控制極反向擊穿,。若測得元件陰陽極正反向已短路,，或陽極與控制極短路，或控制極與陰極反向短路,，或控制極與陰極斷路,，說明元...

以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件,起始于1957年，因為它的特性類似于真空閘流管,，所以國際上通稱為硅晶體閘流管,，簡稱晶閘管T，又因為晶閘管初的在靜止整流方面,，所以又被稱之為硅可控整流元件,，簡稱為可控硅SCR。在性能上,，可控硅不僅具有單向?qū)щ娦?，而且還具有比硅整流元件（俗稱"死硅")更為可貴的可控性,。它只有導通和關斷兩種狀態(tài)?？煽毓枘芤院涟布夒娏骺刂拼蠊β实臋C電設備,，如果超過此功率，因元件開關損耗增加,，允許通過的平均電流相降低,，此時，標稱電流應降級使用,?？煽毓璧膬?yōu)點很多，例如：以小功率控制大功率,，功率放大倍數(shù)高達幾十萬倍,；反應極快，在微秒級內(nèi)開通,、關斷,；無觸點運行，無火花,、無噪音...

陽極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上,，陽極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上（它們之間有兩個P-N結(jié)，而且方向相反,，因此陽極和控制極正反向都不通）,。控制極與陰極之間是一個P-N結(jié),，因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍,，反向電阻比正向電阻要大?？墒强刂茦O二極管特性是不太理想的,，反向不是完全呈阻斷狀態(tài)的，可以有比較大的電流通過,，因此,，有時測得控制極反向電阻比較小，并不能說明控制極特性不好,。另外,，在測量控制極正反向電阻時，萬用表應放在R*10或R*1擋,，防止電壓過高控制極反向擊穿,。若測得元件陰陽極正反向已短路，或陽極與控制極短路，或控制極與陰極反向短路,，或控制極與陰極斷路,，說明元...