馬達(dá)控制應(yīng)用馬達(dá)控制應(yīng)用是功率MOSFET大有用武之地的另一個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域,。典型的半橋式控制電路采用2個(gè)MOSFET (全橋式則采用4個(gè))，但這兩個(gè)MOSFET的關(guān)斷時(shí)間(死區(qū)時(shí)間)相等,。對(duì)于這類應(yīng)用,，反向恢復(fù)時(shí)間(trr) 非常重要。在控制電感式負(fù)載(比如馬達(dá)繞組)時(shí),，控制電路把橋式電路中的MOSFET切換到關(guān)斷狀態(tài),，此時(shí)橋式電路中的另一個(gè)開(kāi)關(guān)經(jīng)過(guò)MOSFET中的體二極管臨時(shí)反向傳導(dǎo)電流,。于是，電流重新循環(huán),，繼續(xù)為馬達(dá)供電,。當(dāng)頭一個(gè)MOSFET再次導(dǎo)通時(shí)，另一個(gè)MOSFET二極管中存儲(chǔ)的電荷必須被移除,，通過(guò)頭一個(gè)MOSFET放電,，而這是一種能量的損耗，故trr 越短,，這種損耗越小,。場(chǎng)效應(yīng)管的可靠性較高，壽命長(zhǎng),。珠海強(qiáng)抗輻場(chǎng)效應(yīng)管規(guī)格

場(chǎng)效應(yīng)管的分類：場(chǎng)效應(yīng)管分結(jié)型,、絕緣柵型兩大類。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）因有兩個(gè)PN結(jié)而得名,，絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管（JGFET）則因柵極與其它電極完整絕緣而得名,。它們由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管,，屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件,。我們常說(shuō)的MOS管就是絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管中的一種,，它也是應(yīng)用較普遍的一種,，所以這一節(jié)接下的內(nèi)容我們主要通過(guò)介紹MOS管來(lái)了解場(chǎng)效應(yīng)晶體管。MOSFET有分為增強(qiáng)型和耗盡型兩大類,，增強(qiáng)型和耗盡型每一類又有NMOS和PMOS,，和三極管中的PNP和NPN類似。上海場(chǎng)效應(yīng)管價(jià)格場(chǎng)效應(yīng)管也可以用作開(kāi)關(guān),，可以控制電路的通斷,。

電壓和電流的選擇。額定電壓越大,，器件的成本就越高,。根據(jù)實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)，額定電壓應(yīng)當(dāng)大于干線電壓或總線電壓,。這樣才能提供足夠的保護(hù),，使MOSFET不 會(huì)失效。就選擇MOSFET而言,，必須確定漏極至源極間可能承受的較大電壓,，即較大VDS。設(shè)計(jì)工程師需要考慮的其他安全因素包括由開(kāi)關(guān)電子設(shè)備(如電機(jī) 或變壓器)誘發(fā)的電壓瞬變,。不同應(yīng)用的額定電壓也有所不同,；通常,，便攜式設(shè)備為20V、FPGA電源為20～30V,、85～220VAC應(yīng)用為450～600V,。在連續(xù)導(dǎo)通模式下，MOSFET處于穩(wěn)態(tài),，此時(shí)電流連續(xù)通過(guò)器件,。脈沖尖峰是指有大量電涌(或尖峰電流)流過(guò)器件。一旦確定了這些條件下的較大電流,，只需直接選擇能承受這個(gè)較大電流的器件便可,。

MOS管三個(gè)極分別是什么及判定方法：mos管的三個(gè)極分別是：G（柵極），D（漏極）s（源及）,，要求柵極和源及之間電壓大于某一特定值,，漏極和源及才能導(dǎo)通。判斷柵極G,，MOS驅(qū)動(dòng)器主要起波形整形和加強(qiáng)驅(qū)動(dòng)的作用：假如MOS管的G信號(hào)波形不夠陡峭,，在點(diǎn)評(píng)切換階段會(huì)造成大量電能損耗其副作用是降低電路轉(zhuǎn)換效率，MOS管發(fā)燒嚴(yán)峻,，易熱損壞MOS管GS間存在一定電容,，假如G信號(hào)驅(qū)動(dòng)能力不夠，將嚴(yán)峻影響波形跳變的時(shí)間,。將G-S極短路,，選擇萬(wàn)用表的R×1檔，黑表筆接S極,，紅表筆接D極,，阻值應(yīng)為幾歐至十幾歐。若發(fā)現(xiàn)某腳與其字兩腳的電阻均呈無(wú)限大,，并且交換表筆后仍為無(wú)限大,，則證實(shí)此腳為G極，由于它和另外兩個(gè)管腳是絕緣的,。場(chǎng)效應(yīng)管在功率電子領(lǐng)域具有重要作用,，如變頻器、逆變器等,，提高電能轉(zhuǎn)換效率,。

在要求輸入阻抗較高的場(chǎng)合使用時(shí)，必須采取防潮措施,，以免由于溫度影響使場(chǎng)效應(yīng)管的輸入電阻降低,。如果用四引線的場(chǎng)效應(yīng)管，其襯底引線應(yīng)接地,。陶瓷封裝的芝麻管有光敏特性,，應(yīng)注意避光使用,。對(duì)于功率型場(chǎng)效應(yīng)管，要有良好的散熱條件,。因?yàn)楣β市蛨?chǎng)效應(yīng)管在高負(fù)荷條件下運(yùn)用,，必須設(shè)計(jì)足夠的散熱器，確保殼體溫度不超過(guò)額定值,，使器件長(zhǎng)期穩(wěn)定可靠地工作,。總之,，確保場(chǎng)效應(yīng)管安全使用,，要注意的事項(xiàng)是多種多樣，采取的安全措施也是各種各樣,，廣大的專業(yè)技術(shù)人員,，特別是廣大的電子愛(ài)好者，都要根據(jù)自己的實(shí)際情況出發(fā),，采取切實(shí)可行的辦法,，安全有效地用好場(chǎng)效應(yīng)管。場(chǎng)效應(yīng)管在數(shù)字電子電路中的應(yīng)用日益普遍,，可以用于高速通訊,、計(jì)算機(jī)處理和控制系統(tǒng)中。常州場(chǎng)效應(yīng)管價(jià)位

選型場(chǎng)效應(yīng)管時(shí)需考慮工作頻率,、功率需求等因素,。珠海強(qiáng)抗輻場(chǎng)效應(yīng)管規(guī)格

場(chǎng)效應(yīng)管與雙極型晶體管比，它的體積小,，重量輕,，壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn),，而且輸入回路的內(nèi)阻特別高,，噪聲低、熱穩(wěn)定性好（因?yàn)閹缀踔焕枚嘧訉?dǎo)電）,、防輻射能力強(qiáng)以及省電等優(yōu)點(diǎn),，幾乎場(chǎng)效應(yīng)管占據(jù)的絕大部分市場(chǎng)。有利就有弊,，而場(chǎng)效應(yīng)管的放大倍數(shù)要小于雙極型晶體管的放大倍數(shù)（原因后續(xù)詳解）,。根據(jù)制作主要工藝主要分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(Junction Field Effect Transistor，JFET)和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管(MOS管),，下面來(lái)具體來(lái)看這兩種管子,。場(chǎng)效應(yīng)管(FET)基礎(chǔ)知識(shí)：名稱，場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor 縮寫(FET)）,，簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管,。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（junction FET-JFET),，金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管 （metal-oxide semiconductor FET,，簡(jiǎn)稱MOS-FET），由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,，也稱為單極型晶體管，屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件,。與之對(duì)應(yīng)的是由兩種載流子參與導(dǎo)電的雙極型晶體管,，三極管(BJT)，屬于電流控制型半導(dǎo)體器件,。珠海強(qiáng)抗輻場(chǎng)效應(yīng)管規(guī)格