在二極管加上正向電壓（P端接正極，N端接負(fù)極）時(shí),，二極管導(dǎo)通,，其PN結(jié)有電流通過(guò)。這是因?yàn)樵赑型半導(dǎo)體端為正電壓時(shí),，N型半導(dǎo)體內(nèi)的負(fù)電子被吸引而涌向加有正電壓的P型半導(dǎo)體端，而P型半導(dǎo)體端內(nèi)的正電子則朝N型半導(dǎo)體端運(yùn)動(dòng),，從而形成導(dǎo)通電流,。同理,，當(dāng)二極管加上反向電壓（P端接負(fù)極，N端接正極）時(shí),，這時(shí)在P型半導(dǎo)體端為負(fù)電壓,，正電子被聚集在P型半導(dǎo)體端，負(fù)電子則聚集在N型半導(dǎo)體端,，電子不移動(dòng),，其PN結(jié)沒(méi)有電流通過(guò)，二極管截止,。在柵極沒(méi)有電壓時(shí),，由前面分析可知，在源極與漏極之間不會(huì)有電流流過(guò),，此時(shí)場(chǎng)效應(yīng)管處與截止?fàn)顟B(tài)（圖7a）,。當(dāng)有一個(gè)正電壓加在N溝道的MOS場(chǎng)效應(yīng)管柵極上時(shí)，由于電場(chǎng)的作用,，此時(shí)N型半導(dǎo)體的源極和漏極的負(fù)電子被吸引出來(lái)而涌向柵極,，但由于氧化膜的阻擋，使得電子聚集在兩個(gè)N溝道之間的P型半導(dǎo)體中,，從而形成電流,，使源極和漏極之間導(dǎo)通?？梢韵胂駷閮蓚€(gè)N型半導(dǎo)體之間為一條溝,，柵極電壓的建立相當(dāng)于為它們之間搭了一座橋梁，該橋的大小由柵壓的大小決定,。在放大電路中,，場(chǎng)效應(yīng)管可以起到線性放大的作用，輸出的信號(hào)與輸入信號(hào)成正比,。溫州絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管

測(cè)試步驟：MOS管的檢測(cè)主要是判斷MOS管漏電,、短路、斷路,、放大,。其步驟如下：假如有阻值沒(méi)被測(cè)MOS管有漏電現(xiàn)象。1,、把連接?xùn)艠O和源極的電阻移開,，萬(wàn)用表紅黑筆不變，假如移開電阻后表針慢慢逐步退回到高阻或無(wú)限大,，則MOS管漏電,，不變則完好。2,、然后一根導(dǎo)線把MOS管的柵極和源極連接起來(lái),，假如指針立刻返回?zé)o限大,，則MOS完好。3,、把紅筆接到MOS的源極S上,，黑筆接到MOS管的漏極上，好的表針指示應(yīng)該是無(wú)限大,。4,、用一只100KΩ－200KΩ的電阻連在柵極和漏極上，然后把紅筆接到MOS的源極S上,，黑筆接到MOS管的漏極上,，這時(shí)表針指示的值一般是0，這時(shí)是下電荷通過(guò)這個(gè)電阻對(duì)MOS管的柵極充電,，產(chǎn)生柵極電場(chǎng),，因?yàn)殡妶?chǎng)產(chǎn)生導(dǎo)致導(dǎo)電溝道致使漏極和源極導(dǎo)通，故萬(wàn)用表指針偏轉(zhuǎn),，偏轉(zhuǎn)的角度大,，放電性越好,。溫州絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管場(chǎng)效應(yīng)管作為音頻放大器,，具有低失真、高保真的特點(diǎn),，提升音質(zhì)效果,。

在過(guò)渡層由于沒(méi)有電子、空穴的自由移動(dòng),，在理想狀態(tài)下幾乎具有絕緣特性,，通常電流也難流動(dòng)。但是此時(shí)漏極-源極間的電場(chǎng),，實(shí)際上是兩個(gè)過(guò)渡層接觸漏極與門極下部附近,，由于漂移電場(chǎng)拉去的高速電子通過(guò)過(guò)渡層。因漂移電場(chǎng)的強(qiáng)度幾乎不變產(chǎn)生ID的飽和現(xiàn)象,。其次,，VGS向負(fù)的方向變化，讓VGS=VGS(off),，此時(shí)過(guò)渡層大致成為覆蓋全區(qū)域的狀態(tài),。而且VDS的電場(chǎng)大部分加到過(guò)渡層上，將電子拉向漂移方向的電場(chǎng),，只有靠近源極的很短部分,，這更使電流不能流通。

雙柵極場(chǎng)效應(yīng)管在衛(wèi)星通信中的功能：衛(wèi)星通信面臨著復(fù)雜的電磁環(huán)境,，雙柵極場(chǎng)效應(yīng)管肩負(fù)著重要的職責(zé),。衛(wèi)星與地面站通信時(shí),，不僅要接收來(lái)自遙遠(yuǎn)衛(wèi)星的微弱信號(hào)，還要應(yīng)對(duì)宇宙射線,、電離層干擾等諸多挑戰(zhàn),。雙柵極場(chǎng)效應(yīng)管的雙柵極結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)精妙，一個(gè)柵極專門用于接收微弱的衛(wèi)星信號(hào),，如同敏銳的耳朵,，不放過(guò)任何一絲信息；另一個(gè)柵極則根據(jù)干擾情況動(dòng)態(tài)調(diào)整增益,，抑制干擾信號(hào),，增強(qiáng)有用信號(hào)強(qiáng)度。在衛(wèi)星電視信號(hào)傳輸中,，雙柵極場(chǎng)效應(yīng)管確保信號(hào)清晰,，讓用戶能夠收看到高清、流暢的電視節(jié)目,；在衛(wèi)星電話通話中,，保障通話質(zhì)量，使遠(yuǎn)在太空的宇航員與地面指揮中心能夠順暢溝通,。它為全球通信網(wǎng)絡(luò)的穩(wěn)定運(yùn)行提供了有力支撐,，讓信息能夠跨越浩瀚的宇宙，實(shí)現(xiàn)無(wú)縫傳遞,。場(chǎng)效應(yīng)管有三種類型,，分別是MOSFET、JFET和IGBT,，它們各自具有不同的特性和應(yīng)用領(lǐng)域,。

MOS管三個(gè)極分別是什么及判定方法：mos管的三個(gè)極分別是：G（柵極），D（漏極）s（源及）,，要求柵極和源及之間電壓大于某一特定值,，漏極和源及才能導(dǎo)通。判斷柵極G,，MOS驅(qū)動(dòng)器主要起波形整形和加強(qiáng)驅(qū)動(dòng)的作用：假如MOS管的G信號(hào)波形不夠陡峭,，在點(diǎn)評(píng)切換階段會(huì)造成大量電能損耗其副作用是降低電路轉(zhuǎn)換效率，MOS管發(fā)燒嚴(yán)峻,，易熱損壞MOS管GS間存在一定電容,，假如G信號(hào)驅(qū)動(dòng)能力不夠，將嚴(yán)峻影響波形跳變的時(shí)間,。將G-S極短路,，選擇萬(wàn)用表的R×1檔，黑表筆接S極，紅表筆接D極,，阻值應(yīng)為幾歐至十幾歐,。若發(fā)現(xiàn)某腳與其字兩腳的電阻均呈無(wú)限大，并且交換表筆后仍為無(wú)限大,，則證實(shí)此腳為G極,，由于它和另外兩個(gè)管腳是絕緣的。場(chǎng)效應(yīng)管具有放大作用,，能將較小的輸入信號(hào)放大成較大的輸出信號(hào),，普遍應(yīng)用于音頻放大器、射頻放大器等,。溫州絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管

JFET是一種可用作功率放大器或開關(guān)的場(chǎng)效應(yīng)管,。溫州絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管

電壓和電流的選擇。額定電壓越大,，器件的成本就越高,。根據(jù)實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)，額定電壓應(yīng)當(dāng)大于干線電壓或總線電壓,。這樣才能提供足夠的保護(hù),，使MOSFET不 會(huì)失效。就選擇MOSFET而言,，必須確定漏極至源極間可能承受的較大電壓,，即較大VDS。設(shè)計(jì)工程師需要考慮的其他安全因素包括由開關(guān)電子設(shè)備(如電機(jī) 或變壓器)誘發(fā)的電壓瞬變,。不同應(yīng)用的額定電壓也有所不同,；通常,，便攜式設(shè)備為20V,、FPGA電源為20～30V、85～220VAC應(yīng)用為450～600V,。在連續(xù)導(dǎo)通模式下,，MOSFET處于穩(wěn)態(tài)，此時(shí)電流連續(xù)通過(guò)器件,。脈沖尖峰是指有大量電涌(或尖峰電流)流過(guò)器件,。一旦確定了這些條件下的較大電流，只需直接選擇能承受這個(gè)較大電流的器件便可,。溫州絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管