場效應(yīng)管（FET）是利用控制輸入回路的電場效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件,，并以此命名,，場效應(yīng)管[2]是常見的電子元件，屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件,。具有輸入電阻高（10^8～10^9Ω）,、噪聲小、功耗低,、動(dòng)態(tài)范圍大,、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象,、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn),。場效應(yīng)晶體管于1925年由Julius Edgar Lilienfeld和于1934年由Oskar Heil分別發(fā)明，但是實(shí)用的器件一直到1952年才被制造出來（結(jié)型場效應(yīng)管），1960年Dawan Kahng發(fā)明了金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,，從而大部分代替了JFET,，對(duì)電子行業(yè)的發(fā)展有著深遠(yuǎn)的意義。場效應(yīng)管在功率電子領(lǐng)域有普遍應(yīng)用,，如電機(jī)驅(qū)動(dòng),、電源管理等?；葜莞叻€(wěn)定場效應(yīng)管參考價(jià)

MOS管的工作原理,，在開關(guān)電源中常用MOS管的漏極開路電路，如圖2漏極原封不動(dòng)地接負(fù)載,，叫開路漏極,，開路漏極電路中不管負(fù)載接多高的電壓，都能夠接通和關(guān)斷負(fù)載電流,。是理想的模擬開關(guān)器件,。這就是MOS管做開關(guān)器件的原理。當(dāng)然MOS管做開關(guān)使用的電路形式比較多了,。NMOS管的開路漏極電路,，在開關(guān)電源應(yīng)用方面，這種應(yīng)用需要MOS管定期導(dǎo)通和關(guān)斷,。比如,，DC-DC電源中常用的基本降壓轉(zhuǎn)換器依賴兩個(gè)MOS管來執(zhí)行開關(guān)功能，這些開關(guān)交替在電感里存儲(chǔ)能量,，然后把能量釋放給負(fù)載,。我們常選擇數(shù)百kHz乃至1MHz以上的頻率，因?yàn)轭l率越高,，磁性元件可以更小更輕,。在正常工作期間，MOS管只相當(dāng)于一個(gè)導(dǎo)體,。因此,，我們電路或者電源設(shè)計(jì)人員較關(guān)心的是MOS的較小傳導(dǎo)損耗?；葜莞叻€(wěn)定場效應(yīng)管參考價(jià)場效應(yīng)管的優(yōu)勢在于低噪聲,、高放大倍數(shù)和低失真，適用于高要求的音頻放大電路中,。

場效應(yīng)管是一種電壓控制器件,，其工作原理是通過改變柵極（Gate）與源極（Source）之間的電壓來控制漏極（Drain）與源極之間的電流。與傳統(tǒng)的雙極型晶體管（BJT）相比,，F(xiàn)ET只利用單一類型的載流子（電子或空穴）進(jìn)行導(dǎo)電,，因此也被稱為單極型晶體管,。分類：結(jié)型場效應(yīng)管（JFET）：基于PN結(jié)形成的通道，分為N溝道JFET和P溝道JFET,。絕緣柵型場效應(yīng)管（MOS管）：分為增強(qiáng)型MOS管和耗盡型MOS管,，每種類型又分為N溝道和P溝道。耗盡型MOS管：在柵極電壓（VGS）為零時(shí),，耗盡型MOS管已經(jīng)形成了導(dǎo)電溝道,，即使沒有外加電壓,，也會(huì)有漏極電流（ID）,。這是因?yàn)樵谥圃爝^程中，通過摻雜在絕緣層中引入正離子,，使得在半導(dǎo)體表面感應(yīng)出負(fù)電荷,，形成導(dǎo)電溝道。增強(qiáng)型MOS管：在VGS為零時(shí)是關(guān)閉狀態(tài),，不導(dǎo)電,。只有當(dāng)施加適當(dāng)?shù)恼驏艠O電壓時(shí)，才會(huì)在半導(dǎo)體表面感應(yīng)出足夠的多數(shù)載流子,，形成導(dǎo)電溝道,。

我們經(jīng)常看MOS管的PDF參數(shù),，MOS管制造商采用RDS(ON)參數(shù)來定義導(dǎo)通阻抗,，對(duì)開關(guān)應(yīng)用來說，RDS(ON)也是較重要的器件特性,。數(shù)據(jù)手冊(cè)定義RDS(ON)與柵極(或驅(qū)動(dòng))電壓VGS以及流經(jīng)開關(guān)的電流有關(guān),，但對(duì)于充分的柵極驅(qū)動(dòng)，RDS(ON)是一個(gè)相對(duì)靜態(tài)參數(shù),。一直處于導(dǎo)通的MOS管很容易發(fā)熱,。另外，慢慢升高的結(jié)溫也會(huì)導(dǎo)致RDS(ON)的增加,。MOS管數(shù)據(jù)手冊(cè)規(guī)定了熱阻抗參數(shù),，其定義為MOS管封裝的半導(dǎo)體結(jié)散熱能力。RθJC的較簡單的定義是結(jié)到管殼的熱阻抗,。場效應(yīng)管在功率電子領(lǐng)域具有重要作用,，如變頻器、逆變器等,，提高電能轉(zhuǎn)換效率,。

場效應(yīng)管（Field-Effect Transistor，簡稱FET）是電子技術(shù)中普遍使用的一種半導(dǎo)體器件,，具有高輸入阻抗,、噪聲低和低功耗等優(yōu)點(diǎn),。場效應(yīng)管的用途：一、場效應(yīng)管可應(yīng)用于放大,。由于場效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高,，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器,。二,、場效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級(jí)放大器的輸入級(jí)作阻抗變換,。三,、場效應(yīng)管可以用作可變電阻。四,、場效應(yīng)管可以方便地用作恒流源,。五、場效應(yīng)管可以用作電子開關(guān),?？偨Y(jié)場效應(yīng)管在電子應(yīng)用中非常普遍，了解基礎(chǔ)知識(shí)之后我們接下來就可以運(yùn)用它做一些電子開發(fā)了,。場效應(yīng)管可用于開關(guān)電路,，實(shí)現(xiàn)電路的通斷控制，如電子開關(guān),、繼電器驅(qū)動(dòng)等,。惠州高穩(wěn)定場效應(yīng)管參考價(jià)

在進(jìn)行場效應(yīng)管電路調(diào)試時(shí),，應(yīng)逐步調(diào)整柵極電壓,，觀察輸出變化，以確保電路性能達(dá)到預(yù)期,?；葜莞叻€(wěn)定場效應(yīng)管參考價(jià)

MOS管三個(gè)極分別是什么及判定方法：mos管的三個(gè)極分別是：G（柵極），D（漏極）s（源及）,，要求柵極和源及之間電壓大于某一特定值,，漏極和源及才能導(dǎo)通。判斷柵極G,，MOS驅(qū)動(dòng)器主要起波形整形和加強(qiáng)驅(qū)動(dòng)的作用：假如MOS管的G信號(hào)波形不夠陡峭,，在點(diǎn)評(píng)切換階段會(huì)造成大量電能損耗其副作用是降低電路轉(zhuǎn)換效率，MOS管發(fā)燒嚴(yán)峻,，易熱損壞MOS管GS間存在一定電容,，假如G信號(hào)驅(qū)動(dòng)能力不夠，將嚴(yán)峻影響波形跳變的時(shí)間,。將G-S極短路,，選擇萬用表的R×1檔,，黑表筆接S極，紅表筆接D極,，阻值應(yīng)為幾歐至十幾歐,。若發(fā)現(xiàn)某腳與其字兩腳的電阻均呈無限大，并且交換表筆后仍為無限大,，則證實(shí)此腳為G極,，由于它和另外兩個(gè)管腳是絕緣的?；葜莞叻€(wěn)定場效應(yīng)管參考價(jià)