MOSFET選型注意事項：MOSFET的選型基礎(chǔ)MOSFET有兩大類型：N溝道和P溝道,。在功率系統(tǒng)中,，MOSFET可被看成電氣開關(guān),。當(dāng)在N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時,，其開關(guān)導(dǎo) 通,。導(dǎo)通時,，電流可經(jīng)開關(guān)從漏極流向源極。漏極和源極之間存在一個內(nèi)阻,，稱為導(dǎo)通電阻RDS(ON),。必須清楚MOSFET的柵極是個高阻抗端，因此,，總 是要在柵極加上一個電壓,。如果柵極為懸空，器件將不能按設(shè)計意圖工作,，并可能在不恰當(dāng)?shù)臅r刻導(dǎo)通或關(guān)閉,，導(dǎo)致系統(tǒng)產(chǎn)生潛在的功率損耗。當(dāng)源極和柵極間的電 壓為零時,，開關(guān)關(guān)閉，而電流停止通過器件,。雖然這時器件已經(jīng)關(guān)閉,，但仍然有微小電流存在，這稱之為漏電流,，即IDSS,。在使用場效應(yīng)管時，需要注意正確連接其源極,、柵極和漏極,，以確保其正常工作。深圳MOS場效應(yīng)管價格

場效應(yīng)管與晶體管的比較：（1）場效應(yīng)管是電壓控制元件,，而晶體管是電流控制元件,。在只允許從信號源取較少電流的情況下，應(yīng)選用場效應(yīng)管,；而在信號電壓較低,，又允許從信號源取較多電流的條件下，應(yīng)選用晶體管,。（2）場效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電,，所以稱之為單極型器件,，而晶體管是即有多數(shù)載流子，也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電,。被稱之為雙極型器件,。（3）有些場效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負(fù),，靈活性比晶體管好,。（4）場效應(yīng)管能在很小電流和很低電壓的條件下工作，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應(yīng)管集成在一塊硅片上,，因此場效應(yīng)管在大規(guī)模集成電路中得到了普遍的應(yīng)用,。柵極場效應(yīng)管供應(yīng)場效應(yīng)管的工作原理是利用電荷的寄主控制電流流動，具有與電阻不同的工作方式,。

場效應(yīng)管應(yīng)用場景：電路主電源開關(guān),，完全切斷，低功耗省電,。大功率負(fù)載供電開關(guān),，如：電機(jī)，太陽能電池充電\放電,，電動車電池充電逆變器SPWM波升壓部分功率電路,；功放，音響的功率線性放大電路,；數(shù)字電路中用于電平信號轉(zhuǎn)換,；開關(guān)電源中，高頻大功率狀態(tài),；用于LED燈的恒流驅(qū)動電路,；汽車、電力,、通信,、工業(yè)控制、家用電器等,。MOS管G,、S、D區(qū)分以及電流流向,。MOS管G,、S、D表示什么,？G：gate 柵極S：source 源極D：drain 漏極,。MOS管是金屬(Metal)—氧化物(Oxid)—半導(dǎo)體(Semiconductor)場效應(yīng)晶體管。市面上常有的一般為N溝道和P溝道,。N溝道的電源一般接在D,，輸出S,，P溝道的電源一般接在S，輸出D,。

場效應(yīng)管產(chǎn)品特性：(1)轉(zhuǎn)移特性：柵極電壓對漏極電流的控制作用稱為轉(zhuǎn)移特性,。(2)輸出特性： UDS與ID的關(guān)系稱為輸出特性。(3)結(jié)型場效應(yīng)管的放大作用：結(jié)型場效應(yīng)管的放大作用一般指的是電壓放大作用,。電氣特性：場效應(yīng)管與晶體管在電氣特性方面的主要區(qū)別有以下幾點：貼片場效應(yīng)管：1：場效應(yīng)管是電壓控制器件,，管子的導(dǎo)電情況取決于柵極電壓的高低。晶體管是電流控制器件,，管子的導(dǎo)電情況取決于基極電流的大小,。 2：場效應(yīng)管漏源靜態(tài)伏安特性以柵極電壓UGS為參變量，晶體管輸出特性曲線以基極電流Ib 為參變量,。3：場效應(yīng)管電流IDS與柵極UGS之間的關(guān)系由跨導(dǎo)Gm 決定,，晶體管電流Ic與Ib 之間的關(guān)系由放大系數(shù)β決定。也就是說,，場效應(yīng)管的放大能力用Gm 衡量,，晶體管的放大能力用β衡量。4：場效應(yīng)管的輸入阻抗很大,，輸入電流極?。痪w管輸入阻抗很小,，在導(dǎo)電時輸入電流較大,。5：一般場效應(yīng)管功率較小，晶體管功率較大,。場效應(yīng)管在無線電領(lǐng)域具有普遍應(yīng)用,，如射頻放大器、混頻器,、振蕩器等，提高通信質(zhì)量,。

馬達(dá)控制應(yīng)用馬達(dá)控制應(yīng)用是功率MOSFET大有用武之地的另一個應(yīng)用領(lǐng)域,。典型的半橋式控制電路采用2個MOSFET (全橋式則采用4個)，但這兩個MOSFET的關(guān)斷時間(死區(qū)時間)相等,。對于這類應(yīng)用,，反向恢復(fù)時間(trr) 非常重要。在控制電感式負(fù)載(比如馬達(dá)繞組)時,，控制電路把橋式電路中的MOSFET切換到關(guān)斷狀態(tài),，此時橋式電路中的另一個開關(guān)經(jīng)過MOSFET中的體二極管臨時反向傳導(dǎo)電流。于是,，電流重新循環(huán),，繼續(xù)為馬達(dá)供電,。當(dāng)頭一個MOSFET再次導(dǎo)通時，另一個MOSFET二極管中存儲的電荷必須被移除,，通過頭一個MOSFET放電,，而這是一種能量的損耗，故trr 越短,，這種損耗越小,。場效應(yīng)管的優(yōu)勢在于低噪聲、高放大倍數(shù)和低失真,，適用于高要求的音頻放大電路中,。深圳MOS場效應(yīng)管價格

在選型場效應(yīng)管時，需要考慮其工作溫度范圍,、最大耗散功率和靜態(tài)特性等參數(shù),。深圳MOS場效應(yīng)管價格

場效應(yīng)管主要參數(shù)：一、飽和漏源電流,。飽和漏源電流IDSS：是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管中,，柵極電壓UGS＝0時的漏源電流。二,、夾斷電壓,，夾斷電壓Up是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管中，使漏源間剛截止時的柵極電壓,。三,、開啟電壓。開啟電壓UT是指加強(qiáng)型絕緣柵場效應(yīng)管中,，使漏源間剛導(dǎo)通時的柵極電壓,。四、跨導(dǎo),?？鐚?dǎo)gm是表示柵源電壓UGS對漏極電流ID的控制才能，即漏極電流ID變化量與柵源電壓UGS變化量的比值,。gm是權(quán)衡場效應(yīng)管放大才能的重要參數(shù),。深圳MOS場效應(yīng)管價格