作為電氣系統(tǒng)中的基本部件,，工程師如何根據(jù)參數(shù)做出正確選擇呢,？本文將討論如何通過四步來選擇正確的MOSFET,。溝道的選擇,。為設(shè)計(jì)選擇正確器件的頭一步是決定采用N溝道還是P溝道MOSFET。在典型的功率應(yīng)用中,，當(dāng)一個(gè)MOSFET接地,，而負(fù)載連接到干線電 壓上時(shí)，該MOSFET就構(gòu)成了低壓側(cè)開關(guān),。在低壓側(cè)開關(guān)中,，應(yīng)采用N溝道MOSFET，這是出于對(duì)關(guān)閉或?qū)ㄆ骷桦妷旱目紤],。當(dāng)MOSFET連接到 總線及負(fù)載接地時(shí),，就要用高壓側(cè)開關(guān)。通常會(huì)在這個(gè)拓?fù)渲胁捎肞溝道MOSFET,，這也是出于對(duì)電壓驅(qū)動(dòng)的考慮,。JFET具有電路簡單、工作穩(wěn)定的特點(diǎn),，適合于低頻放大器設(shè)計(jì),。惠州半導(dǎo)體場效應(yīng)管批發(fā)

下面對(duì)MOS失效的原因總結(jié)以下六點(diǎn),，然后對(duì)1,，2重點(diǎn)進(jìn)行分析：1：雪崩失效（電壓失效），也就是我們常說的漏源間的BVdss電壓超過MOSFET的額定電壓,，并且超過達(dá)到了一定的能力從而導(dǎo)致MOSFET失效,。2：SOA失效（電流失效），既超出MOSFET安全工作區(qū)引起失效,，分為Id超出器件規(guī)格失效以及Id過大,，損耗過高器件長時(shí)間熱積累而導(dǎo)致的失效。3：體二極管失效：在橋式,、LLC等有用到體二極管進(jìn)行續(xù)流的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中,，由于體二極管遭受破壞而導(dǎo)致的失效。4：諧振失效：在并聯(lián)使用的過程中,，柵極及電路寄生參數(shù)導(dǎo)致震蕩引起的失效,。5：靜電失效：在秋冬季節(jié)，由于人體及設(shè)備靜電而導(dǎo)致的器件失效。6：柵極電壓失效：由于柵極遭受異常電壓尖峰,，而導(dǎo)致柵極柵氧層失效,。珠海柵極場效應(yīng)管現(xiàn)貨直發(fā)場效應(yīng)管的類型包括N溝道和P溝道兩種，可以根據(jù)具體需求選擇,。

以上討論的是MOSFET ON狀態(tài)時(shí)電阻的選擇,，在MOSFET OFF狀態(tài)時(shí)為了保證柵極電荷快速瀉放，此時(shí)阻值要盡量小,。通常為了保證快速瀉放,，在Rg上可以并聯(lián)一個(gè)二極管。當(dāng)瀉放電阻過小,，由于走線電感的原因也會(huì)引起諧振(因此有些應(yīng)用中也會(huì)在這個(gè)二極管上串一個(gè)小電阻),，但是由于二極管的反向電流不導(dǎo)通,此時(shí)Rg又參與反向諧振回路,因此可以抑制反向諧振的尖峰。估算導(dǎo)通損耗,、輸出的要求和結(jié)區(qū)溫度的時(shí)候,，就可以參考前文所指出的方法。MOSFET的應(yīng)用領(lǐng)域非常普遍,，遠(yuǎn)非一兩篇文章可以概括,。

開始形成溝道時(shí)的柵——源極電壓稱為開啟電壓，用VT表示,。上面討論的N溝道MOS管在vGS＜VT時(shí),，不能形成導(dǎo)電溝道，管子處于截止?fàn)顟B(tài),。只有當(dāng)vGS≥VT時(shí),，才有溝道形成。這種必須在vGS≥VT時(shí)才能形成導(dǎo)電溝道的MOS管稱為增強(qiáng)型MOS管,。溝道形成以后,，在漏——源極間加上正向電壓vDS，就有漏極電流產(chǎn)生,。vDS對(duì)iD的影響：當(dāng)vGS>VT且為一確定值時(shí),，漏——源電壓vDS對(duì)導(dǎo)電溝道及電流iD的影響與結(jié)型場效應(yīng)管相似。P溝道耗盡型MOSFET：P溝道MOSFET的工作原理與N溝道MOSFET完全相同,，只不過導(dǎo)電的載流子不同,，供電電壓極性不同而已。這如同雙極型三極管有NPN型和PNP型一樣,。場效應(yīng)管具有較長的使用壽命,，可靠性高，降低了設(shè)備的維護(hù)成本,。

場效應(yīng)管與雙極型晶體管比,，它的體積小,，重量輕，壽命長等優(yōu)點(diǎn),，而且輸入回路的內(nèi)阻特別高,，噪聲低、熱穩(wěn)定性好（因?yàn)閹缀踔焕枚嘧訉?dǎo)電）,、防輻射能力強(qiáng)以及省電等優(yōu)點(diǎn),，幾乎場效應(yīng)管占據(jù)的絕大部分市場。有利就有弊,，而場效應(yīng)管的放大倍數(shù)要小于雙極型晶體管的放大倍數(shù)（原因后續(xù)詳解）,。根據(jù)制作主要工藝主要分為結(jié)型場效應(yīng)管(Junction Field Effect Transistor，JFET)和絕緣柵型場效應(yīng)管(MOS管),，下面來具體來看這兩種管子,。場效應(yīng)管(FET)基礎(chǔ)知識(shí)：名稱,，場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor 縮寫(FET)）,，簡稱場效應(yīng)管。結(jié)型場效應(yīng)管（junction FET-JFET),，金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管 （metal-oxide semiconductor FET,，簡稱MOS-FET），由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,，也稱為單極型晶體管,，屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。與之對(duì)應(yīng)的是由兩種載流子參與導(dǎo)電的雙極型晶體管,，三極管(BJT),，屬于電流控制型半導(dǎo)體器件。場效應(yīng)管雖然體積小,，但在現(xiàn)代電子技術(shù)中的作用不可忽視,。惠州場效應(yīng)管廠家

場效應(yīng)管是一種重要的半導(dǎo)體器件,，它利用電場效應(yīng)控制電流,，實(shí)現(xiàn)電路的開關(guān)和放大功能?；葜莅雽?dǎo)體場效應(yīng)管批發(fā)

馬達(dá)控制應(yīng)用馬達(dá)控制應(yīng)用是功率MOSFET大有用武之地的另一個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域,。典型的半橋式控制電路采用2個(gè)MOSFET (全橋式則采用4個(gè))，但這兩個(gè)MOSFET的關(guān)斷時(shí)間(死區(qū)時(shí)間)相等,。對(duì)于這類應(yīng)用,，反向恢復(fù)時(shí)間(trr) 非常重要。在控制電感式負(fù)載(比如馬達(dá)繞組)時(shí),，控制電路把橋式電路中的MOSFET切換到關(guān)斷狀態(tài),，此時(shí)橋式電路中的另一個(gè)開關(guān)經(jīng)過MOSFET中的體二極管臨時(shí)反向傳導(dǎo)電流。于是，電流重新循環(huán),，繼續(xù)為馬達(dá)供電,。當(dāng)頭一個(gè)MOSFET再次導(dǎo)通時(shí)，另一個(gè)MOSFET二極管中存儲(chǔ)的電荷必須被移除,，通過頭一個(gè)MOSFET放電,，而這是一種能量的損耗，故trr 越短,，這種損耗越小,。惠州半導(dǎo)體場效應(yīng)管批發(fā)