開始形成溝道時(shí)的柵——源極電壓稱為開啟電壓,，用VT表示,。上面討論的N溝道MOS管在vGS＜VT時(shí)，不能形成導(dǎo)電溝道,，管子處于截止?fàn)顟B(tài),。只有當(dāng)vGS≥VT時(shí),，才有溝道形成。這種必須在vGS≥VT時(shí)才能形成導(dǎo)電溝道的MOS管稱為增強(qiáng)型MOS管,。溝道形成以后,，在漏——源極間加上正向電壓vDS，就有漏極電流產(chǎn)生,。vDS對(duì)iD的影響：當(dāng)vGS>VT且為一確定值時(shí)，漏——源電壓vDS對(duì)導(dǎo)電溝道及電流iD的影響與結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管相似,。P溝道耗盡型MOSFET：P溝道MOSFET的工作原理與N溝道MOSFET完全相同,，只不過導(dǎo)電的載流子不同，供電電壓極性不同而已,。這如同雙極型三極管有NPN型和PNP型一樣,。場(chǎng)效應(yīng)管可構(gòu)成恒流源，為負(fù)載提供穩(wěn)定的電流,，應(yīng)用于精密測(cè)量,、激光器等領(lǐng)域。小噪音場(chǎng)效應(yīng)管批發(fā)

SOA失效（電流失效）再簡(jiǎn)單說下第二點(diǎn),，SOA失效,，SOA失效是指電源在運(yùn)行時(shí)異常的大電流和電壓同時(shí)疊加在MOSFET上面，造成瞬時(shí)局部發(fā)熱而導(dǎo)致的破壞模式,?；蛘呤切酒c散熱器及封裝不能及時(shí)達(dá)到熱平衡導(dǎo)致熱積累，持續(xù)的發(fā)熱使溫度超過氧化層限制而導(dǎo)致的熱擊穿模式,。關(guān)于SOA各個(gè)線的參數(shù)限定值可以參考下面圖片,。1：受限于較大額定電流及脈沖電流2：受限于較大節(jié)溫下的RDSON。3：受限于器件較大的耗散功率,。4：受限于較大單個(gè)脈沖電流,。5：擊穿電壓BVDSS限制區(qū)。我們電源上的MOSFET，只要保證能器件處于上面限制區(qū)的范圍內(nèi),，就能有效的規(guī)避由于MOSFET而導(dǎo)致的電源失效問題的產(chǎn)生,。這個(gè)是一個(gè)非典型的SOA導(dǎo)致失效的一個(gè)解刨圖，由于去過鋁,，可能看起來不那么直接,，參考下。珠海半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管價(jià)格場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理是利用電荷的寄主控制電流流動(dòng),，具有與電阻不同的工作方式,。

MOS管的三個(gè)管腳之間有寄生電容存在，這不是我們需要的,，而是由于制造工藝限制產(chǎn)生的,。寄生電容的存在使得在設(shè)計(jì)或選擇驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候要麻煩一些，但沒有辦法避免,，后邊再詳細(xì)介紹,。在MOS管原理圖上可以看到，漏極和源極之間有一個(gè)寄生二極管,。這個(gè)叫體二極管,，在驅(qū)動(dòng)感性負(fù)載（如馬達(dá)），這個(gè)二極管很重要,?？梢栽贛OS管關(guān)斷時(shí)為感性負(fù)載的電動(dòng)勢(shì)提供擊穿通路從而避免MOS管被擊穿損壞。順便說一句,，體二極管只在單個(gè)的MOS管中存在,，在集成電路芯片內(nèi)部通常是沒有的。

判斷源極S,、漏極D,，將萬用表?yè)苤罵×1k檔分別丈量三個(gè)管腳之間的電阻。用交換表筆法測(cè)兩次電阻,，其中電阻值較低（一般為幾千歐至十幾千歐）的一次為正向電阻,，此時(shí)黑表筆的是S極，紅表筆接D極,。因?yàn)闇y(cè)試前提不同,，測(cè)出的RDS（on）值比手冊(cè)中給出的典型值要高一些。丈量漏-源通態(tài)電阻RDS（on）,，在源-漏之間有一個(gè)PN結(jié),，因此根據(jù)PN結(jié)正、反向電阻存在差異,，可識(shí)別S極與D極,。例如用500型萬用表R×1檔實(shí)測(cè)一只IRFPC50型VMOS管,，RDS（on）=3.2W，大于0.58W（典型值）,。熟練掌握?qǐng)鲂?yīng)管的使用方法和注意事項(xiàng),，對(duì)于電子工程師來說是提升電路設(shè)計(jì)能力和解決實(shí)際問題的重要技能。

眾所周知,，傳統(tǒng)的MOS場(chǎng)效應(yīng)管的柵極,、源極和漏極較大程度上致處于同一水平面的芯片上，其工作電流基本上是沿水平方向流動(dòng),。VMOS管則不同,，其兩大結(jié)構(gòu)特點(diǎn):頭一，金屬柵極采用V型槽結(jié)構(gòu),；第二,，具有垂直導(dǎo)電性。由于漏極是從芯片的背面引出,，所以ID不是沿芯片水平流動(dòng),，而是自重?fù)诫sN+區(qū)（源極S）出發(fā)，經(jīng)過P溝道流入輕摻雜N-漂移區(qū),，然后垂直向下到達(dá)漏極D,。因?yàn)榱魍ń孛娣e增大，所以能通過大電流,。由于在柵極與芯片之間有二氧化硅絕緣層,，因此它仍屬于絕緣柵型MOS場(chǎng)效應(yīng)管。場(chǎng)效應(yīng)管具有低噪聲,、低功耗的特點(diǎn)，適用于需要高靈敏度和低功耗的電子設(shè)備中,。深圳柵極場(chǎng)效應(yīng)管供應(yīng)

場(chǎng)效應(yīng)管的制造工藝不斷改進(jìn),，使得其性能更加穩(wěn)定，可靠性更高,。小噪音場(chǎng)效應(yīng)管批發(fā)

導(dǎo)通電阻（R_DS(on)）：場(chǎng)效應(yīng)管導(dǎo)通時(shí)的漏極與源極之間的電阻,。它決定了電流通過器件時(shí)的壓降和功耗，較小的導(dǎo)通電阻意味著較低的功耗和較高的電流驅(qū)動(dòng)能力,。較大漏極電流（I_D(max)）：場(chǎng)效應(yīng)管能夠承受的較大電流,，超過這個(gè)電流值可能會(huì)導(dǎo)致器件過熱、性能退化甚至長(zhǎng)久損壞,。較大漏極-源極電壓（V_DS(max)）：場(chǎng)效應(yīng)管能夠承受的較大電壓,。超過這個(gè)電壓值可能會(huì)導(dǎo)致場(chǎng)效應(yīng)管的擊穿、熱損傷或其他形式的損壞,。柵極電容（C_iss）：柵極與漏極之間的輸入電容,。它影響了信號(hào)的傳輸速度和開關(guān)過程中的電荷存儲(chǔ),。小噪音場(chǎng)效應(yīng)管批發(fā)