合理的熱設(shè)計余量,，這個就不多說了,，各個企業(yè)都有自己的降額規(guī)范，嚴(yán)格執(zhí)行就可以了,，不行就加散熱器,。MOSFET發(fā)熱原因分析，做電源設(shè)計,，或者做驅(qū)動方面的電路,，難免要用到MOS管,。MOS管有很多種類，也有很多作用,。做電源或者驅(qū)動的使用,，當(dāng)然就是用它的開關(guān)作用。無論N型或者P型MOS管,，其工作原理本質(zhì)是一樣的,。MOS管是由加在輸入端柵極的電壓來控制輸出端漏極的電流。MOS管是壓控器件它通過加在柵極上的電壓控制器件的特性,，不會發(fā)生像三極管做開關(guān)時的因基極電流引起的電荷存儲效應(yīng),，因此在開關(guān)應(yīng)用中，MOS管的開關(guān)速度應(yīng)該比三極管快,。場效應(yīng)管的主要作用是在電路中放大或開關(guān)信號,，用于控制電流或電壓。肇慶絕緣柵場效應(yīng)管廠家精選

現(xiàn)在的高清,、液晶,、等離子電視機中開關(guān)電源部分除了采用了PFC技術(shù)外，在元器件上的開關(guān)管均采用性能優(yōu)異的MOS管取代過去的大功率晶體三極管,，使整機的效率,、可靠較大程度上提高，故障率大幅的下降,。MOS管和大功率晶體三極管在結(jié)構(gòu),、特性有著本質(zhì)上的區(qū)別，所以在應(yīng)用上,，它的驅(qū)動電路比晶體三極管復(fù)雜,。所有的FET都有柵極（gate）、漏極（drain）,、源極（source）三個端,，分別大致對應(yīng)雙極性晶體管的基極（base）、集電極（collector）和發(fā)射極（emitter）,。上海小噪音場效應(yīng)管廠商場效應(yīng)管利用輸入電場控制輸出電流,，因此具有高輸入電阻和低輸出阻礙的特點。

與雙極型晶體管相比,，場效應(yīng)管具有如下特點,。（1）場效應(yīng)管是電壓控制器件，它通過VGS(柵源電壓)來控制ID（漏極電流）,；（2）場效應(yīng)管的控制輸入端電流極小,，因此它的輸入電阻（107～1012Ω）很大。（3）它是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電,，因此它的溫度穩(wěn)定性較好,；（4）它組成的放大電路的電壓放大系數(shù)要小于三極管組成放大電路的電壓放大系數(shù),；（5）場效應(yīng)管的抗輻射能力強；（6）由于它不存在雜亂運動的電子擴散引起的散粒噪聲,，所以噪聲低,。

以N溝道為例，它是在P型硅襯底上制成兩個高摻雜濃度的源擴散區(qū)N+和漏擴散區(qū)N+,，再分別引出源極S和漏極D,。源極與襯底在內(nèi)部連通,，二者總保持等電位,。當(dāng)漏接電源正極，源極接電源負(fù)極并使VGS=0時,，溝道電流（即漏極電流）ID=0,。隨著VGS逐漸升高，受柵極正電壓的吸引,，在兩個擴散區(qū)之間就感應(yīng)出帶負(fù)電的少數(shù)載流子,，形成從漏極到源極的N型溝道，當(dāng)VGS大于管子的開啟電壓VTN（一般約為+2V）時,，N溝道管開始導(dǎo)通,，形成漏極電流ID。場效應(yīng)晶體管于1925年由Julius Edgar Lilienfeld和于1934年由Oskar Heil分別發(fā)明,，但是實用的器件一直到1952年才被制造出來（結(jié)型場效應(yīng)管,，Junction-FET，JFET）,。1960年Dawan Kahng發(fā)明了金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-effect transistor, MOSFET）,，從而大部分代替了JFET，對電子行業(yè)的發(fā)展有著深遠(yuǎn)的意義,?；緢鲂?yīng)管的特點包括輸入電阻高、輸入電容低,。

VMOS場效應(yīng)管,，VMOS場效應(yīng)管（VMOSFET）簡稱VMOS管或功率場效應(yīng)管，其全稱為V型槽MOS場效應(yīng)管,。它是繼MOSFET之后新發(fā)展起來的高效,、功率開關(guān)器件。它不只繼承了MOS場效應(yīng)管輸入阻抗高（≥108W）,、驅(qū)動電流?。ㄗ笥?.1μA左右），還具有耐壓高（較高可耐壓1200V）,、工作電流大（1.5A～100A）,、輸出功率高（1～250W）,、跨導(dǎo)的線性好、開關(guān)速度快等優(yōu)良特性,。正是由于它將電子管與功率晶體管之優(yōu)點集于一身,，因此在電壓放大器（電壓放大倍數(shù)可達(dá)數(shù)千倍）、功率放大器,、開關(guān)電源和逆變器中正獲得普遍應(yīng)用,。在放大電路中，場效應(yīng)管可以起到線性放大的作用,，輸出的信號與輸入信號成正比,。江門MOS場效應(yīng)管哪家好

IGBT結(jié)合了場效應(yīng)管和雙極晶體管的優(yōu)點，適用于高電壓和高頻率的場合,。肇慶絕緣柵場效應(yīng)管廠家精選

雪崩失效分析（電壓失效）,，底什么是雪崩失效呢，簡單來說MOSFET在電源板上由于母線電壓,、變壓器反射電壓,、漏感尖峰電壓等等系統(tǒng)電壓疊加在MOSFET漏源之間，導(dǎo)致的一種失效模式,。簡而言之就是由于就是MOSFET漏源極的電壓超過其規(guī)定電壓值并達(dá)到一定的能量限度而導(dǎo)致的一種常見的失效模式,。下面的圖片為雪崩測試的等效原理圖，做為電源工程師可以簡單了解下,?？赡芪覀兘?jīng)常要求器件生產(chǎn)廠家對我們電源板上的MOSFET進行失效分析，大多數(shù)廠家都光給一個EAS.EOS之類的結(jié)論,，那么到底我們怎么區(qū)分是否是雪崩失效呢,，下面是一張經(jīng)過雪崩測試失效的器件圖，我們可以進行對比從而確定是否是雪崩失效,。肇慶絕緣柵場效應(yīng)管廠家精選