場效應(yīng)管產(chǎn)品特性：(1)轉(zhuǎn)移特性：柵極電壓對漏極電流的控制作用稱為轉(zhuǎn)移特性,。(2)輸出特性： UDS與ID的關(guān)系稱為輸出特性,。(3)結(jié)型場效應(yīng)管的放大作用：結(jié)型場效應(yīng)管的放大作用一般指的是電壓放大作用。電氣特性：場效應(yīng)管與晶體管在電氣特性方面的主要區(qū)別有以下幾點(diǎn)：貼片場效應(yīng)管：1：場效應(yīng)管是電壓控制器件,，管子的導(dǎo)電情況取決于柵極電壓的高低,。晶體管是電流控制器件，管子的導(dǎo)電情況取決于基極電流的大小,。 2：場效應(yīng)管漏源靜態(tài)伏安特性以柵極電壓UGS為參變量,，晶體管輸出特性曲線以基極電流Ib 為參變量。3：場效應(yīng)管電流IDS與柵極UGS之間的關(guān)系由跨導(dǎo)Gm 決定,，晶體管電流Ic與Ib 之間的關(guān)系由放大系數(shù)β決定,。也就是說，場效應(yīng)管的放大能力用Gm 衡量,，晶體管的放大能力用β衡量,。4：場效應(yīng)管的輸入阻抗很大，輸入電流極??；晶體管輸入阻抗很小，在導(dǎo)電時輸入電流較大,。5：一般場效應(yīng)管功率較小，晶體管功率較大,。MOSFET在數(shù)字電路,、功率放大器等領(lǐng)域普遍應(yīng)用,。深圳多晶硅金場效應(yīng)管廠商

MOSFET應(yīng)用案例解析：開關(guān)電源應(yīng)用從定義上而言，這種應(yīng)用需要MOSFET定期導(dǎo)通和關(guān)斷,。同時,，有數(shù)十種拓?fù)淇捎糜陂_關(guān)電源，這里考慮一個簡單的例子,。DC-DC電源中常用的基本降壓轉(zhuǎn)換器依靠兩個MOSFET來執(zhí)行開關(guān)功能(下圖),，這些開關(guān)交替在電感里存儲能量，然后把能量開釋給負(fù)載,。目前,，設(shè)計職員經(jīng)常選擇數(shù)百kHz乃至1 MHz以上的頻率，由于頻率越高,，磁性元件可以更小更輕,。開關(guān)電源中第二重要的MOSFET參數(shù)包括輸出電容、閾值電壓,、柵極阻抗和雪崩能量,。東莞增強(qiáng)型場效應(yīng)管廠商場效應(yīng)管具有很高的耐壓特性，可承受較高的電壓,，適用于高壓電路,。

場效應(yīng)管（Field-Effect Transistor，簡稱FET）是電子技術(shù)中普遍使用的一種半導(dǎo)體器件,，具有高輸入阻抗,、噪聲低和低功耗等優(yōu)點(diǎn)。場效應(yīng)管的用途：一,、場效應(yīng)管可應(yīng)用于放大,。由于場效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小,，不必使用電解電容器,。二、場效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換,。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換,。三、場效應(yīng)管可以用作可變電阻,。四,、場效應(yīng)管可以方便地用作恒流源。五,、場效應(yīng)管可以用作電子開關(guān),。總結(jié)場效應(yīng)管在電子應(yīng)用中非常普遍，了解基礎(chǔ)知識之后我們接下來就可以運(yùn)用它做一些電子開發(fā)了,。

在過渡層由于沒有電子,、空穴的自由移動，在理想狀態(tài)下幾乎具有絕緣特性,，通常電流也難流動,。但是此時漏極-源極間的電場，實(shí)際上是兩個過渡層接觸漏極與門極下部附近,，由于漂移電場拉去的高速電子通過過渡層,。因漂移電場的強(qiáng)度幾乎不變產(chǎn)生ID的飽和現(xiàn)象。其次,，VGS向負(fù)的方向變化,，讓VGS=VGS(off)，此時過渡層大致成為覆蓋全區(qū)域的狀態(tài),。而且VDS的電場大部分加到過渡層上,，將電子拉向漂移方向的電場，只有靠近源極的很短部分,，這更使電流不能流通,。場效應(yīng)管的可靠性較高，壽命長,。

場效應(yīng)管主要參數(shù)：場效應(yīng)管的參數(shù)很多,，包括直流參數(shù)、交流參數(shù)和極限參數(shù),，但普通運(yùn)用時主要關(guān)注以下一些重點(diǎn)參數(shù)：飽和漏源電流IDSS,，夾斷電壓Up，（結(jié)型管和耗盡型絕緣柵管,，或開啟電壓UT（加強(qiáng)型絕緣柵管）,、跨導(dǎo)gm、漏源擊穿電壓BUDS,、較大耗散功率PDSM和較大漏源電流IDSM,。一、飽和漏源電流,，飽和漏源電流IDSS：是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管中,，柵極電壓UGS＝0時的漏源電流。二,、夾斷電壓,，夾斷電壓Up是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管中，使漏源間剛截止時的柵極電壓,。在設(shè)計電路時,，應(yīng)根據(jù)實(shí)際需求選擇合適的場效應(yīng)管類型,，以實(shí)現(xiàn)較佳的性能和效果。深圳多晶硅金場效應(yīng)管廠商

使用場效應(yīng)管時需要注意靜電放電問題,，避免對器件造成損壞,。深圳多晶硅金場效應(yīng)管廠商

馬達(dá)控制應(yīng)用馬達(dá)控制應(yīng)用是功率MOSFET大有用武之地的另一個應(yīng)用領(lǐng)域。典型的半橋式控制電路采用2個MOSFET (全橋式則采用4個),，但這兩個MOSFET的關(guān)斷時間(死區(qū)時間)相等。對于這類應(yīng)用,，反向恢復(fù)時間(trr) 非常重要,。在控制電感式負(fù)載(比如馬達(dá)繞組)時，控制電路把橋式電路中的MOSFET切換到關(guān)斷狀態(tài),，此時橋式電路中的另一個開關(guān)經(jīng)過MOSFET中的體二極管臨時反向傳導(dǎo)電流,。于是，電流重新循環(huán),，繼續(xù)為馬達(dá)供電,。當(dāng)頭一個MOSFET再次導(dǎo)通時，另一個MOSFET二極管中存儲的電荷必須被移除,，通過頭一個MOSFET放電,，而這是一種能量的損耗，故trr 越短,，這種損耗越小,。深圳多晶硅金場效應(yīng)管廠商