VMOS場(chǎng)效應(yīng)管,，VMOS場(chǎng)效應(yīng)管（VMOSFET）簡(jiǎn)稱VMOS管或功率場(chǎng)效應(yīng)管，其全稱為V型槽MOS場(chǎng)效應(yīng)管,。它是繼MOSFET之后新發(fā)展起來(lái)的高效,、功率開(kāi)關(guān)器件。它不只繼承了MOS場(chǎng)效應(yīng)管輸入阻抗高（≥108W）,、驅(qū)動(dòng)電流?。ㄗ笥?.1μA左右），還具有耐壓高（較高可耐壓1200V）,、工作電流大（1.5A～100A）、輸出功率高（1～250W）,、跨導(dǎo)的線性好,、開(kāi)關(guān)速度快等優(yōu)良特性。正是由于它將電子管與功率晶體管之優(yōu)點(diǎn)集于一身,，因此在電壓放大器（電壓放大倍數(shù)可達(dá)數(shù)千倍）,、功率放大器、開(kāi)關(guān)電源和逆變器中正獲得普遍應(yīng)用,。場(chǎng)效應(yīng)管的發(fā)展趨勢(shì)是向著高集成度,、低功耗、高可靠性和多功能化方向發(fā)展,。江門(mén)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管價(jià)位

漏極電流iD沿溝道產(chǎn)生的電壓降使溝道內(nèi)各點(diǎn)與柵極間的電壓不再相等,，靠近源極一端的電壓較大，這里溝道較厚,，而漏極一端電壓較小,，其值為VGD=vGS－vDS，因而這里溝道較薄,。但當(dāng)vDS較?。╲DS 隨著vDS的增大，靠近漏極的溝道越來(lái)越薄,，當(dāng)vDS增加到使VGD=vGS－vDS=VT(或vDS=vGS－VT)時(shí),，溝道在漏極一端出現(xiàn)預(yù)夾斷，如圖2(b)所示,。再繼續(xù)增大vDS,，夾斷點(diǎn)將向源極方向移動(dòng)，如圖2(c)所示,。由于vDS的增加部分幾乎全部降落在夾斷區(qū),，故iD幾乎不隨vDS增大而增加,，管子進(jìn)入飽和區(qū)，iD幾乎只由vGS決定,。江門(mén)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管價(jià)位場(chǎng)效應(yīng)管的體積小,，適合集成在微型電子設(shè)備中。

場(chǎng)效應(yīng)管主要參數(shù)：一,、飽和漏源電流,。飽和漏源電流IDSS：是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中，柵極電壓UGS＝0時(shí)的漏源電流,。二,、夾斷電壓，夾斷電壓Up是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中,，使漏源間剛截止時(shí)的柵極電壓,。三、開(kāi)啟電壓,。開(kāi)啟電壓UT是指加強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中,，使漏源間剛導(dǎo)通時(shí)的柵極電壓。四,、跨導(dǎo),。跨導(dǎo)gm是表示柵源電壓UGS對(duì)漏極電流ID的控制才能,，即漏極電流ID變化量與柵源電壓UGS變化量的比值,。gm是權(quán)衡場(chǎng)效應(yīng)管放大才能的重要參數(shù)。

以上討論的是MOSFET ON狀態(tài)時(shí)電阻的選擇,，在MOSFET OFF狀態(tài)時(shí)為了保證柵極電荷快速瀉放,，此時(shí)阻值要盡量小。通常為了保證快速瀉放,，在Rg上可以并聯(lián)一個(gè)二極管,。當(dāng)瀉放電阻過(guò)小，由于走線電感的原因也會(huì)引起諧振(因此有些應(yīng)用中也會(huì)在這個(gè)二極管上串一個(gè)小電阻),，但是由于二極管的反向電流不導(dǎo)通,此時(shí)Rg又參與反向諧振回路,因此可以抑制反向諧振的尖峰,。估算導(dǎo)通損耗、輸出的要求和結(jié)區(qū)溫度的時(shí)候,，就可以參考前文所指出的方法,。MOSFET的應(yīng)用領(lǐng)域非常普遍，遠(yuǎn)非一兩篇文章可以概括,。選擇場(chǎng)效應(yīng)管時(shí),，應(yīng)考慮其耐壓、耐流等參數(shù)，以確保其在工作環(huán)境中能夠穩(wěn)定可靠地運(yùn)行,。

場(chǎng)效應(yīng)管主要參數(shù)：1,、漏源擊穿電壓。漏源擊穿電壓BUDS是指柵源電壓UGS一定時(shí),，場(chǎng)效應(yīng)管正常工作所能接受的較大漏源電壓,。這是一項(xiàng)極限參數(shù)，加在場(chǎng)效應(yīng)管上的工作電壓必須小于BUDS,。2,、較大耗散功率。較大耗散功率PDSM也是—項(xiàng)極限參數(shù),，是指場(chǎng)效應(yīng)管性能不變壞時(shí)所允許的較大漏源耗散功率,。運(yùn)用時(shí)場(chǎng)效應(yīng)管實(shí)踐功耗應(yīng)小于PDSM并留有—定余量。3,、較大漏源電流,。較大漏源電流IDSM是另一項(xiàng)極限參數(shù)，是指場(chǎng)效應(yīng)管正常工作時(shí),，漏源間所允許經(jīng)過(guò)的較大電流,。場(chǎng)效應(yīng)管的工作電流不應(yīng)超越IDSM。場(chǎng)效應(yīng)管還具有低輸出阻抗,，可以提供較大的輸出電流。肇慶金屬半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)

隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展,，場(chǎng)效應(yīng)管性能不斷提升,，有望在更多領(lǐng)域發(fā)揮重要作用。江門(mén)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管價(jià)位

場(chǎng)效應(yīng)管是一種電壓控制器件,，其工作原理是通過(guò)改變柵極（Gate）與源極（Source）之間的電壓來(lái)控制漏極（Drain）與源極之間的電流,。與傳統(tǒng)的雙極型晶體管（BJT）相比，F(xiàn)ET只利用單一類型的載流子（電子或空穴）進(jìn)行導(dǎo)電,，因此也被稱為單極型晶體管,。分類：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）：基于PN結(jié)形成的通道，分為N溝道JFET和P溝道JFET,。絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管（MOS管）：分為增強(qiáng)型MOS管和耗盡型MOS管,，每種類型又分為N溝道和P溝道。耗盡型MOS管：在柵極電壓（VGS）為零時(shí),，耗盡型MOS管已經(jīng)形成了導(dǎo)電溝道,，即使沒(méi)有外加電壓，也會(huì)有漏極電流（ID）,。這是因?yàn)樵谥圃爝^(guò)程中,，通過(guò)摻雜在絕緣層中引入正離子，使得在半導(dǎo)體表面感應(yīng)出負(fù)電荷，形成導(dǎo)電溝道,。增強(qiáng)型MOS管：在VGS為零時(shí)是關(guān)閉狀態(tài),，不導(dǎo)電。只有當(dāng)施加適當(dāng)?shù)恼驏艠O電壓時(shí),，才會(huì)在半導(dǎo)體表面感應(yīng)出足夠的多數(shù)載流子,，形成導(dǎo)電溝道。江門(mén)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管價(jià)位