雪崩失效的預(yù)防措施,，雪崩失效歸根結(jié)底是電壓失效,，因此預(yù)防我們著重從電壓來(lái)考慮,。具體可以參考以下的方式來(lái)處理,。1：合理降額使用,，目前行業(yè)內(nèi)的降額一般選取80%-95%的降額,，具體情況根據(jù)企業(yè)的保修條款及電路關(guān)注點(diǎn)進(jìn)行選取,。2：合理的變壓器反射電壓。合理的RCD及TVS吸收電路設(shè)計(jì),。4：大電流布線盡量采用粗,、短的布局結(jié)構(gòu)，盡量減少布線寄生電感,。5：選擇合理的柵極電阻Rg,。6：在大功率電源中，可以根據(jù)需要適當(dāng)?shù)募尤隦C減震或齊納二極管進(jìn)行吸收,。使用場(chǎng)效應(yīng)管時(shí),，應(yīng)注意其溫度特性，避免在高溫或低溫環(huán)境下使用影響其性能,?；葜菅趸飯?chǎng)效應(yīng)管加工

以上討論的是MOSFET ON狀態(tài)時(shí)電阻的選擇，在MOSFET OFF狀態(tài)時(shí)為了保證柵極電荷快速瀉放,，此時(shí)阻值要盡量小,。通常為了保證快速瀉放，在Rg上可以并聯(lián)一個(gè)二極管,。當(dāng)瀉放電阻過(guò)小,，由于走線電感的原因也會(huì)引起諧振(因此有些應(yīng)用中也會(huì)在這個(gè)二極管上串一個(gè)小電阻)，但是由于二極管的反向電流不導(dǎo)通,此時(shí)Rg又參與反向諧振回路,因此可以抑制反向諧振的尖峰,。估算導(dǎo)通損耗,、輸出的要求和結(jié)區(qū)溫度的時(shí)候,，就可以參考前文所指出的方法。MOSFET的應(yīng)用領(lǐng)域非常普遍,，遠(yuǎn)非一兩篇文章可以概括,。惠州氧化物場(chǎng)效應(yīng)管加工場(chǎng)效應(yīng)管的使用方法包括選擇合適的工作點(diǎn)和電源電壓,，以及連接正確的外部電路。

在要求輸入阻抗較高的場(chǎng)合使用時(shí),，必須采取防潮措施,，以免由于溫度影響使場(chǎng)效應(yīng)管的輸入電阻降低。如果用四引線的場(chǎng)效應(yīng)管,，其襯底引線應(yīng)接地,。陶瓷封裝的芝麻管有光敏特性，應(yīng)注意避光使用,。對(duì)于功率型場(chǎng)效應(yīng)管,，要有良好的散熱條件。因?yàn)楣β市蛨?chǎng)效應(yīng)管在高負(fù)荷條件下運(yùn)用,，必須設(shè)計(jì)足夠的散熱器,，確保殼體溫度不超過(guò)額定值，使器件長(zhǎng)期穩(wěn)定可靠地工作,?？傊_保場(chǎng)效應(yīng)管安全使用,，要注意的事項(xiàng)是多種多樣,，采取的安全措施也是各種各樣，廣大的專業(yè)技術(shù)人員,，特別是廣大的電子愛(ài)好者,，都要根據(jù)自己的實(shí)際情況出發(fā)，采取切實(shí)可行的辦法,，安全有效地用好場(chǎng)效應(yīng)管,。

場(chǎng)效應(yīng)管的用途：一、場(chǎng)效應(yīng)管可應(yīng)用于放大,。由于場(chǎng)效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高,，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器,。二,、場(chǎng)效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級(jí)放大器的輸入級(jí)作阻抗變換,。三,、場(chǎng)效應(yīng)管可以用作可變電阻,。四、場(chǎng)效應(yīng)管可以方便地用作恒流源,。五,、場(chǎng)效應(yīng)管可以用作電子開(kāi)關(guān)。場(chǎng)效應(yīng)管在電子應(yīng)用中非常普遍,，了解基礎(chǔ)知識(shí)之后我們接下來(lái)就可以運(yùn)用它做一些電子開(kāi)發(fā)了,。場(chǎng)效應(yīng)管是利用輸入回路的電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件。場(chǎng)效應(yīng)管又是單極型晶體管,，即導(dǎo)電過(guò)程中幾乎只有一種載流子運(yùn)動(dòng),，類似金屬導(dǎo)電。JFET有三個(gè)電極：柵極,、漏極和源極,，工作原理類似MOSFET。

在二極管加上正向電壓（P端接正極,，N端接負(fù)極）時(shí),，二極管導(dǎo)通，其PN結(jié)有電流通過(guò),。這是因?yàn)樵赑型半導(dǎo)體端為正電壓時(shí),，N型半導(dǎo)體內(nèi)的負(fù)電子被吸引而涌向加有正電壓的P型半導(dǎo)體端，而P型半導(dǎo)體端內(nèi)的正電子則朝N型半導(dǎo)體端運(yùn)動(dòng),，從而形成導(dǎo)通電流,。同理，當(dāng)二極管加上反向電壓（P端接負(fù)極,，N端接正極）時(shí),，這時(shí)在P型半導(dǎo)體端為負(fù)電壓，正電子被聚集在P型半導(dǎo)體端,，負(fù)電子則聚集在N型半導(dǎo)體端,，電子不移動(dòng)，其PN結(jié)沒(méi)有電流通過(guò),，二極管截止,。在柵極沒(méi)有電壓時(shí)，由前面分析可知,，在源極與漏極之間不會(huì)有電流流過(guò),，此時(shí)場(chǎng)效應(yīng)管處與截止?fàn)顟B(tài)（圖7a）。當(dāng)有一個(gè)正電壓加在N溝道的MOS場(chǎng)效應(yīng)管柵極上時(shí),，由于電場(chǎng)的作用,，此時(shí)N型半導(dǎo)體的源極和漏極的負(fù)電子被吸引出來(lái)而涌向柵極，但由于氧化膜的阻擋,，使得電子聚集在兩個(gè)N溝道之間的P型半導(dǎo)體中,，從而形成電流,，使源極和漏極之間導(dǎo)通?？梢韵胂駷閮蓚€(gè)N型半導(dǎo)體之間為一條溝,，柵極電壓的建立相當(dāng)于為它們之間搭了一座橋梁，該橋的大小由柵壓的大小決定,。場(chǎng)效應(yīng)管雖然體積小,，但在現(xiàn)代電子技術(shù)中的作用不可忽視?；葜菅趸飯?chǎng)效應(yīng)管加工

場(chǎng)效應(yīng)管是一種半導(dǎo)體器件,，可以控制電流的流動(dòng)?；葜菅趸飯?chǎng)效應(yīng)管加工

什么是MOSFET，mos管是金屬(metal),、氧化物(oxide),、半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator),、半導(dǎo)體,。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型back gate中形成的N型區(qū),。在多數(shù)情況下,，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的，即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能,。這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱的,。場(chǎng)效應(yīng)管（FET），把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化,。FET的增益等于它的跨導(dǎo),， 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。市面上常有的一般為N溝道和P溝道,，詳情參考右側(cè)圖片（P溝道耗盡型MOS管）,。而P溝道常見(jiàn)的為低壓mos管?；葜菅趸飯?chǎng)效應(yīng)管加工