電極,，所有的FET都有柵極（gate）,、漏極（drain）,、源極（source）三個(gè)端，分別大致對(duì)應(yīng)BJT的基極（base）,、集電極（collector）和發(fā)射極（emitter）,。除JFET以外,，所有的FET也有第四端，被稱為體（body）,、基（base）,、塊體（bulk）或襯底（substrate）。這個(gè)第四端可以將晶體管調(diào)制至運(yùn)行,；在電路設(shè)計(jì)中,，很少讓體端發(fā)揮大的作用，但是當(dāng)物理設(shè)計(jì)一個(gè)集成電路的時(shí)候,，它的存在就是重要的,。在圖中柵極的長(zhǎng)度（length）L，是指源和漏的距離,。寬度（width）是指晶體管的范圍,，在圖中和橫截面垂直。通常情況下寬度比長(zhǎng)度大得多,。長(zhǎng)度1微米的柵極限制較高頻率約為5GHz,，0.2微米則是約30GHz。場(chǎng)效應(yīng)管還可以用于設(shè)計(jì)溫度傳感器,、微波探測(cè)器和光電探測(cè)器等電子器件,。東莞金屬場(chǎng)效應(yīng)管定制價(jià)格

對(duì)于開(kāi)關(guān)頻率小于100kHz的信號(hào)一般取（400～500）kHz載波頻率較好,，變壓器選用較高磁導(dǎo)如5K,、7K等高頻環(huán)形磁芯，其原邊磁化電感小于約1毫亨左右為好,。這種驅(qū)動(dòng)電路只適合于信號(hào)頻率小于100kHz的場(chǎng)合,，因信號(hào)頻率相對(duì)載波頻率太高的話，相對(duì)延時(shí)太多,，且所需驅(qū)動(dòng)功率增大,，UC3724和UC3725芯片發(fā)熱溫升較高，故100kHz以上開(kāi)關(guān)頻率只對(duì)較小極電容的MOSFET才可以,。對(duì)于1kVA左右開(kāi)關(guān)頻率小于100kHz的場(chǎng)合,，它是一種良好的驅(qū)動(dòng)電路,。該電路具有以下特點(diǎn)：?jiǎn)坞娫垂ぷ?，控制信?hào)與驅(qū)動(dòng)實(shí)現(xiàn)隔離，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單尺寸較小,，尤其適用于占空比變化不確定或信號(hào)頻率也變化的場(chǎng)合,。來(lái)看這個(gè)電路，控制信號(hào)PGC控制V4.2是否給P_GPRS供電,。此電路中,，源漏兩端沒(méi)有接反,，R110與R113存在的意義在于R110控制柵極電流不至于過(guò)大，R113控制柵極的常態(tài),，將R113上拉為高,，截至PMOS，同時(shí)也可以看作是對(duì)控制信號(hào)的上拉,，當(dāng)MCU內(nèi)部管腳并沒(méi)有上拉時(shí),，即輸出為開(kāi)漏時(shí)，并不能驅(qū)動(dòng)PMOS關(guān)閉,，此時(shí),，就需要外部電壓給予的上拉，所以電阻R113起到了兩個(gè)作用,。R110可以更小,，到100歐姆也可。珠海功耗低場(chǎng)效應(yīng)管價(jià)格場(chǎng)效應(yīng)管在功率電子領(lǐng)域有普遍應(yīng)用,，如電機(jī)驅(qū)動(dòng),、電源管理等。

作為電氣系統(tǒng)中的基本部件,，工程師如何根據(jù)參數(shù)做出正確選擇呢,？本文將討論如何通過(guò)四步來(lái)選擇正確的MOSFET。溝道的選擇,。為設(shè)計(jì)選擇正確器件的頭一步是決定采用N溝道還是P溝道MOSFET,。在典型的功率應(yīng)用中，當(dāng)一個(gè)MOSFET接地,，而負(fù)載連接到干線電 壓上時(shí),，該MOSFET就構(gòu)成了低壓側(cè)開(kāi)關(guān)。在低壓側(cè)開(kāi)關(guān)中,，應(yīng)采用N溝道MOSFET,，這是出于對(duì)關(guān)閉或?qū)ㄆ骷桦妷旱目紤]。當(dāng)MOSFET連接到 總線及負(fù)載接地時(shí),，就要用高壓側(cè)開(kāi)關(guān),。通常會(huì)在這個(gè)拓?fù)渲胁捎肞溝道MOSFET，這也是出于對(duì)電壓驅(qū)動(dòng)的考慮,。

場(chǎng)效應(yīng)晶體管,。當(dāng)滿足 MOS 管的導(dǎo)通條件時(shí)，MOS 管的 D 極和 S 極會(huì)導(dǎo)通,，這個(gè)時(shí)候體二極管是截止?fàn)顟B(tài),。因?yàn)?MOS 管導(dǎo)通內(nèi)阻很小，不足以使寄生二極管導(dǎo)通,。MOS管的導(dǎo)通條件：PMOS增強(qiáng)型管：UG-US<0 , 且 |UG-US|>|UGSTH| ,， UGSTH是開(kāi)啟電壓,；NMOS增強(qiáng)型管：UG-US>0，且 |UG-US|>|UGSTH| ,，UGSTH是開(kāi)啟電壓,；PMOS導(dǎo)通是在G和S之間加G負(fù)S正電壓。NMOS相反,。MOS管工作狀態(tài),。MOSFET 不同于三極管，因?yàn)槟承┬吞?hào)封裝內(nèi)有并聯(lián)二極管,，所以其 D 和 S 極是不能反接的,，且 N 管必須由 D 流向 S，P 管必須由 S 流向 D,?？梢杂孟卤砼袛喙ぷ鳡顟B(tài)：場(chǎng)效應(yīng)管的制造工藝不斷改進(jìn)，使得其性能更加穩(wěn)定,，可靠性更高,。

本文介紹N溝道增強(qiáng)型MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管；（1）結(jié)構(gòu),，在一塊摻雜濃度較低的P型硅襯底上,，制作兩個(gè)高摻雜濃度的N+區(qū)，并用金屬鋁引出兩個(gè)電極,，分別作漏極d和源極s,。然后在半導(dǎo)體表面覆蓋一層很薄的二氧化硅(SiO2)絕緣層，在漏——源極間的絕緣層上再裝上一個(gè)鋁電極,作為柵極g,。襯底上也引出一個(gè)電極B,，這就構(gòu)成了一個(gè)N溝道增強(qiáng)型MOS管。MOS管的源極和襯底通常是接在一起的(大多數(shù)管子在出廠前已連接好),。它的柵極與其它電極間是絕緣的,。場(chǎng)效應(yīng)管具有很高的耐壓特性，可承受較高的電壓,，適用于高壓電路,。珠海功耗低場(chǎng)效應(yīng)管價(jià)格

場(chǎng)效應(yīng)管的可靠性較高，壽命長(zhǎng),。東莞金屬場(chǎng)效應(yīng)管定制價(jià)格

這些電極的名稱和它們的功能有關(guān),。柵極可以被認(rèn)為是控制一個(gè)物理柵的開(kāi)關(guān)。這個(gè)柵極可以通過(guò)制造或者消除源極和漏極之間的溝道,，從而允許或者阻礙電子流過(guò),。如果受一個(gè)加上的電壓影響，電子流將從源極流向漏極,。體很簡(jiǎn)單的就是指柵,、漏、源極所在的半導(dǎo)體的塊體,。通常體端和一個(gè)電路中較高或較低的電壓相連,，根據(jù)類型不同而不同。體端和源極有時(shí)連在一起,，因?yàn)橛袝r(shí)源也連在電路中較高或較低的電壓上,。當(dāng)然有時(shí)一些電路中FET并沒(méi)有這樣的結(jié)構(gòu)，比如級(jí)聯(lián)傳輸電路和串疊式電路,。東莞金屬場(chǎng)效應(yīng)管定制價(jià)格