N溝道耗盡型MOSFET場效應(yīng)管的基本結(jié)構(gòu)：a.結(jié)構(gòu)：N溝道耗盡型MOS管與N溝道增強型MOS管基本相似,。b.區(qū)別：耗盡型MOS管在vGS=0時,，漏——源極間已有導(dǎo)電溝道產(chǎn)生，而增強型MOS管要在vGS≥VT時才出現(xiàn)導(dǎo)電溝道,。c.原因：制造N溝道耗盡型MOS管時,，在SiO2絕緣層中摻入了大量的堿金屬正離子Na+或K+(制造P溝道耗盡型MOS管時摻入負離子)，如圖1(a)所示,，因此即使vGS=0時,，在這些正離子產(chǎn)生的電場作用下，漏——源極間的P型襯底表面也能感應(yīng)生成N溝道(稱為初始溝道),，只要加上正向電壓vDS,，就有電流iD。 如果加上正的vGS,，柵極與N溝道間的電場將在溝道中吸引來更多的電子,，溝道加寬，溝道電阻變小,，iD增大,。反之vGS為負時，溝道中感應(yīng)的電子減少,，溝道變窄,，溝道電阻變大，iD減小,。當(dāng)vGS負向增加到某一數(shù)值時,，導(dǎo)電溝道消失，iD趨于零,，管子截止,，故稱為耗盡型。溝道消失時的柵－源電壓稱為夾斷電壓,，仍用VP表示,。與N溝道結(jié)型場效應(yīng)管相同，N溝道耗盡型MOS管的夾斷電壓VP也為負值,，但是,，前者只能在vGS<0的情況下工作。而后者在vGS=0,，vGS>0MOSFET是最常見的場效應(yīng)管,，其優(yōu)勢在于高輸入電阻和低功耗。杭州場效應(yīng)管廠家精選

場效應(yīng)管與雙極性晶體管的比較：1.場效應(yīng)管是電壓控制器件,，柵極基本不取電流,，而晶體管是電流控制器件，基極必須取一定的電流,。因此,，在信號源額定電流極小的情況，應(yīng)選用場效應(yīng)管,。2.場效應(yīng)管是多子導(dǎo)電,，而晶體管的兩種載流子均參與導(dǎo)電。由于少子的濃度對溫度,、輻射等外界條件很敏感,，因此，對于環(huán)境變化較大的場合,，采用場效應(yīng)管比較合適,。3.場效應(yīng)管除了和晶體管一樣可作為放大器件及可控開關(guān)外，還可作壓控可變線性電阻使用,。4.場效應(yīng)管的源極和漏極在結(jié)構(gòu)上是對稱的,，可以互換使用，耗盡型MOS管的柵——源電壓可正可負,。因此,，使用場效應(yīng)管比晶體管靈活,。杭州場效應(yīng)管廠家精選場效應(yīng)管的柵極電壓對其導(dǎo)電性能有明顯影響，通過調(diào)節(jié)柵極電壓可以控制電路的輸出,。

MOSFET管基本結(jié)構(gòu)與工作原理：mos管學(xué)名是場效應(yīng)管,，是金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場效應(yīng)管，屬于絕緣柵型,。本文就結(jié)構(gòu)構(gòu)造,、特點、實用電路等幾個方面用工程師的話簡單描述,。MOS場效應(yīng)三極管分為：增強型（又有N溝道,、P溝道之分）及耗盡型（分有N溝道、P溝道）,。N溝道增強型MOSFET的結(jié)構(gòu)示意圖和符號見上圖,。其中：電極 D（Drain） 稱為漏極，相當(dāng)雙極型三極管的集電極,；電極 G（Gate） 稱為柵極,，相當(dāng)于的基極；電極 S（Source）稱為源極,，相當(dāng)于發(fā)射極,。

以上討論的是MOSFET ON狀態(tài)時電阻的選擇，在MOSFET OFF狀態(tài)時為了保證柵極電荷快速瀉放,，此時阻值要盡量小,。通常為了保證快速瀉放，在Rg上可以并聯(lián)一個二極管,。當(dāng)瀉放電阻過小,，由于走線電感的原因也會引起諧振(因此有些應(yīng)用中也會在這個二極管上串一個小電阻)，但是由于二極管的反向電流不導(dǎo)通,此時Rg又參與反向諧振回路,因此可以抑制反向諧振的尖峰,。估算導(dǎo)通損耗,、輸出的要求和結(jié)區(qū)溫度的時候，就可以參考前文所指出的方法,。MOSFET的應(yīng)用領(lǐng)域非常普遍,，遠非一兩篇文章可以概括。場效應(yīng)管的可靠性較高,，壽命長,。

MOS管參數(shù)：功率MOSFET的一定較大額定值：注①：漏源較大電壓VDSS，可視為反向施加在體二極管兩端的電壓值,，故只有一個方向,。注②：柵源較大電壓VGSS，即施加在柵極電極與源極電極之間的電壓,，由于柵極與P型半導(dǎo)體襯底中加了SiO2絕緣層,，只要電壓一定值超過絕緣層耐壓均會擊穿,，故有兩個方向“±”。注③：漏級較大電流ID與體二極管流過的反向漏級較大電流IDR（或稱為IS）一般規(guī)格書中數(shù)值一致,，均為流過N型半導(dǎo)體與P型半導(dǎo)體襯底形成的PN結(jié)的較大電流,。注④：ID（pulse）需要看施加電流的脈沖寬度，脈寬不一致的不能沿用規(guī)格書數(shù)據(jù),。注⑤：雪崩電流IAP同樣需要關(guān)注脈沖寬度。場效應(yīng)管也可以用作開關(guān),，可以控制電路的通斷,。杭州場效應(yīng)管廠家精選

場效應(yīng)管有三種類型，分別是MOSFET,、JFET和IGBT,，它們各自具有不同的特性和應(yīng)用領(lǐng)域。杭州場效應(yīng)管廠家精選

MOS管發(fā)熱情況有：1.電路設(shè)計的問題,，就是讓MOS管工作在線性的工作狀態(tài),，而不是在開關(guān)狀態(tài)。這也是導(dǎo)致MOS管發(fā)熱的一個原因,。如果N-MOS做開關(guān),，G級電壓要比電源高幾V，才能完全導(dǎo)通,，P-MOS則相反,。沒有完全打開而壓降過大造成功率消耗，等效直流阻抗比較大,，壓降增大,，所以U*I也增大，損耗就意味著發(fā)熱,。這是設(shè)計電路的較忌諱的錯誤,。2.頻率太高，主要是有時過分追求體積,，導(dǎo)致頻率提高,，MOS管上的損耗增大了，所以發(fā)熱也加大了,。3.沒有做好足夠的散熱設(shè)計,，電流太高，MOS管標(biāo)稱的電流值,，一般需要良好的散熱才能達到,。所以ID小于較大電流，也可能發(fā)熱嚴(yán)重,，需要足夠的輔助散熱片,。4.MOS管的選型有誤,，對功率判斷有誤，MOS管內(nèi)阻沒有充分考慮,，導(dǎo)致開關(guān)阻抗增大,。杭州場效應(yīng)管廠家精選