場效應(yīng)管（FET）是利用控制輸入回路的電場效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件,，并以此命名,。場效應(yīng)管（fet）是電場效應(yīng)控制電流大小的單極型半導(dǎo)體器件,。在其輸入端基本不取電流或電流極小,，具有輸入阻抗高,、噪聲低,、熱穩(wěn)定性好,、制造工藝簡單等特點,，在大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路中被應(yīng)用,。場效應(yīng)器件憑借其低功耗、性能穩(wěn)定,、抗輻射能力強等優(yōu)勢,，在集成電路中已經(jīng)有逐漸取代三極管的趨勢。但它還是非常嬌貴的,，雖然多數(shù)已經(jīng)內(nèi)置了保護二極管,，但稍不注意,，也會損壞。所以在應(yīng)用中還是小心為妙,。場效應(yīng)管的制造工藝不斷改進,，使得其性能更加穩(wěn)定，可靠性更高,。佛山多晶硅金場效應(yīng)管廠商

開始形成溝道時的柵——源極電壓稱為開啟電壓,，用VT表示。上面討論的N溝道MOS管在vGS＜VT時,，不能形成導(dǎo)電溝道,，管子處于截止狀態(tài)。只有當vGS≥VT時,，才有溝道形成,。這種必須在vGS≥VT時才能形成導(dǎo)電溝道的MOS管稱為增強型MOS管。溝道形成以后,，在漏——源極間加上正向電壓vDS,，就有漏極電流產(chǎn)生。vDS對iD的影響：當vGS>VT且為一確定值時,，漏——源電壓vDS對導(dǎo)電溝道及電流iD的影響與結(jié)型場效應(yīng)管相似,。P溝道耗盡型MOSFET：P溝道MOSFET的工作原理與N溝道MOSFET完全相同，只不過導(dǎo)電的載流子不同,，供電電壓極性不同而已,。這如同雙極型三極管有NPN型和PNP型一樣。佛山多晶硅金場效應(yīng)管廠商場效應(yīng)管具有體積小,、重量輕的優(yōu)點,，便于在緊湊的電子設(shè)備中使用。

場效應(yīng)管是一種電壓控制器件,，其工作原理是通過改變柵極（Gate）與源極（Source）之間的電壓來控制漏極（Drain）與源極之間的電流,。與傳統(tǒng)的雙極型晶體管（BJT）相比，F(xiàn)ET只利用單一類型的載流子（電子或空穴）進行導(dǎo)電,，因此也被稱為單極型晶體管,。分類：結(jié)型場效應(yīng)管（JFET）：基于PN結(jié)形成的通道，分為N溝道JFET和P溝道JFET,。絕緣柵型場效應(yīng)管（MOS管）：分為增強型MOS管和耗盡型MOS管,，每種類型又分為N溝道和P溝道。耗盡型MOS管：在柵極電壓（VGS）為零時,，耗盡型MOS管已經(jīng)形成了導(dǎo)電溝道,，即使沒有外加電壓，也會有漏極電流（ID）,。這是因為在制造過程中,，通過摻雜在絕緣層中引入正離子,，使得在半導(dǎo)體表面感應(yīng)出負電荷，形成導(dǎo)電溝道,。增強型MOS管：在VGS為零時是關(guān)閉狀態(tài),，不導(dǎo)電。只有當施加適當?shù)恼驏艠O電壓時,，才會在半導(dǎo)體表面感應(yīng)出足夠的多數(shù)載流子,，形成導(dǎo)電溝道。

場效應(yīng)管的用途：一,、場效應(yīng)管可應(yīng)用于放大,。由于場效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小,，不必使用電解電容器,。二、場效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換,。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換,。三、場效應(yīng)管可以用作可變電阻,。四,、場效應(yīng)管可以方便地用作恒流源。五,、場效應(yīng)管可以用作電子開關(guān),。場效應(yīng)管在電子應(yīng)用中非常普遍，了解基礎(chǔ)知識之后我們接下來就可以運用它做一些電子開發(fā)了,。場效應(yīng)管是利用輸入回路的電場效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件。場效應(yīng)管又是單極型晶體管,，即導(dǎo)電過程中幾乎只有一種載流子運動,，類似金屬導(dǎo)電。場效應(yīng)管作為音頻放大器,，具有低失真,、高保真的特點，提升音質(zhì)效果,。

MOS管參數(shù)：功率MOSFET的一定較大額定值：注①：漏源較大電壓VDSS,，可視為反向施加在體二極管兩端的電壓值，故只有一個方向,。注②：柵源較大電壓VGSS,，即施加在柵極電極與源極電極之間的電壓，由于柵極與P型半導(dǎo)體襯底中加了SiO2絕緣層,，只要電壓一定值超過絕緣層耐壓均會擊穿,，故有兩個方向“±”,。注③：漏級較大電流ID與體二極管流過的反向漏級較大電流IDR（或稱為IS）一般規(guī)格書中數(shù)值一致，均為流過N型半導(dǎo)體與P型半導(dǎo)體襯底形成的PN結(jié)的較大電流,。注④：ID（pulse）需要看施加電流的脈沖寬度,，脈寬不一致的不能沿用規(guī)格書數(shù)據(jù)。注⑤：雪崩電流IAP同樣需要關(guān)注脈沖寬度,。場效應(yīng)管的工作原理基于電場對半導(dǎo)體材料中電荷分布的影響,，從而改變其導(dǎo)電性能。佛山MOS場效應(yīng)管制造商

場效應(yīng)管的優(yōu)勢之一是具有高輸入阻抗,，可以減少對輸入信號源的負載,。佛山多晶硅金場效應(yīng)管廠商

場效應(yīng)晶體管：截止區(qū)：當 UGS 小于開啟電壓 UGSTH時，MOS 不導(dǎo)通,?？勺冸娮鑵^(qū)：UDS 很小，I_DID 隨UDS 增大而增大,。恒流區(qū)：UDS 變化,，I_DID 變化很小。擊穿區(qū)：UDS 達到一定值時,，MOS 被擊穿,，I_DID 突然增大，如果沒有限流電阻,，將被燒壞,。過損耗區(qū)：功率較大，需要加強散熱,，注意較大功率,。場效應(yīng)管主要參數(shù)。場效應(yīng)管的參數(shù)很多,，包括直流參數(shù),、交流參數(shù)和極限參數(shù)，但普通運用時主要關(guān)注以下一些重點參數(shù)：飽和漏源電流IDSS,，夾斷電壓Up,，（結(jié)型管和耗盡型絕緣柵管，或開啟電壓UT（加強型絕緣柵管）,、跨導(dǎo)gm,、漏源擊穿電壓BUDS、較大耗散功率PDSM和較大漏源電流IDSM,。佛山多晶硅金場效應(yīng)管廠商