MOSFET管基本結(jié)構(gòu)與工作原理：mos管學(xué)名是場效應(yīng)管,，是金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場效應(yīng)管，屬于絕緣柵型,。本文就結(jié)構(gòu)構(gòu)造,、特點(diǎn)、實(shí)用電路等幾個方面用工程師的話簡單描述,。MOS場效應(yīng)三極管分為：增強(qiáng)型（又有N溝道,、P溝道之分）及耗盡型（分有N溝道、P溝道）,。N溝道增強(qiáng)型MOSFET的結(jié)構(gòu)示意圖和符號見上圖,。其中：電極 D（Drain） 稱為漏極，相當(dāng)雙極型三極管的集電極,；電極 G（Gate） 稱為柵極,，相當(dāng)于的基極；電極 S（Source）稱為源極,，相當(dāng)于發(fā)射極。場效應(yīng)管的主要優(yōu)勢之一是控制融合度相對較高,。珠海增強(qiáng)型場效應(yīng)管廠商

如果GATE相對于BACKGATE反向偏置,，空穴被吸引到表面，channel形成了,，因此PMOS管的閾值電壓是負(fù)值,。由于NMOS管的閾值電壓是正的,，PMOS的閾值電壓是負(fù)的，所以工程師們通常會去掉閾值電壓前面的符號,，一個工程師可能說,，"PMOS Vt從0.6V上升到0.7V"， 實(shí)際上PMOS的Vt是從-0.6V下降到-0.7V,。場效應(yīng)管通過投影一個電場在一個絕緣層上來影響流過晶體管的電流,。事實(shí)上沒有電流流過這個絕緣體，所以FET管的GATE電流非常小,。較普通的FET用一薄層二氧化硅來作為GATE極下的絕緣體,。這種晶體管稱為金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)晶體管，或,金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管（MOSFET）,。因?yàn)镸OS管更小更省電,，所以他們已經(jīng)在很多應(yīng)用場合取代了雙極型晶體管。南通P溝道場效應(yīng)管場效應(yīng)管的電阻特性取決于柵極電壓,，可實(shí)現(xiàn)精確控制,。

場效應(yīng)管應(yīng)用場景：電路主電源開關(guān)，完全切斷,，低功耗省電,。大功率負(fù)載供電開關(guān)，如：電機(jī),，太陽能電池充電\放電,，電動車電池充電逆變器SPWM波升壓部分功率電路；功放,，音響的功率線性放大電路,；數(shù)字電路中用于電平信號轉(zhuǎn)換；開關(guān)電源中,，高頻大功率狀態(tài),；用于LED燈的恒流驅(qū)動電路；汽車,、電力,、通信、工業(yè)控制,、家用電器等,。MOS管G、S,、D區(qū)分以及電流流向,。MOS管G、S,、D表示什么,？G：gate 柵極S：source 源極D：drain 漏極,。MOS管是金屬(Metal)—氧化物(Oxid)—半導(dǎo)體(Semiconductor)場效應(yīng)晶體管。市面上常有的一般為N溝道和P溝道,。N溝道的電源一般接在D,，輸出S，P溝道的電源一般接在S,，輸出D,。

場效應(yīng)管主要參數(shù)：1、開啟電壓,，開啟電壓UT是指加強(qiáng)型絕緣柵場效應(yīng)管中,，使漏源間剛導(dǎo)通時的柵極電壓。2,、跨導(dǎo),，跨導(dǎo)gm是表示柵源電壓UGS對漏極電流ID的控制才能，即漏極電流ID變化量與柵源電壓UGS變化量的比值,。gm是權(quán)衡場效應(yīng)管放大才能的重要參數(shù),。3、漏源擊穿電壓,，漏源擊穿電壓BUDS是指柵源電壓UGS一定時,，場效應(yīng)管正常工作所能接受的較大漏源電壓。這是一項極限參數(shù),，加在場效應(yīng)管上的工作電壓必須小于BUDS,。4、較大耗散功率,，較大耗散功率PDSM也是—項極限參數(shù),，是指場效應(yīng)管性能不變壞時所允許的較大漏源耗散功率。運(yùn)用時場效應(yīng)管實(shí)踐功耗應(yīng)小于PDSM并留有—定余量,。5,、較大漏源電流，較大漏源電流IDSM是另一項極限參數(shù),，是指場效應(yīng)管正常工作時,，漏源間所允許經(jīng)過的較大電流。場效應(yīng)管的工作電流不應(yīng)超越IDSM,。在安裝場效應(yīng)管時,，要確保其散熱良好，避免過熱導(dǎo)致性能下降或損壞,。

N溝道耗盡型MOSFET場效應(yīng)管的基本結(jié)構(gòu)：a.結(jié)構(gòu)：N溝道耗盡型MOS管與N溝道增強(qiáng)型MOS管基本相似,。b.區(qū)別：耗盡型MOS管在vGS=0時，漏——源極間已有導(dǎo)電溝道產(chǎn)生,，而增強(qiáng)型MOS管要在vGS≥VT時才出現(xiàn)導(dǎo)電溝道,。c.原因：制造N溝道耗盡型MOS管時，在SiO2絕緣層中摻入了大量的堿金屬正離子Na+或K+(制造P溝道耗盡型MOS管時摻入負(fù)離子),，如圖1(a)所示,，因此即使vGS=0時，在這些正離子產(chǎn)生的電場作用下,，漏——源極間的P型襯底表面也能感應(yīng)生成N溝道(稱為初始溝道),，只要加上正向電壓vDS，就有電流iD,。 如果加上正的vGS,，柵極與N溝道間的電場將在溝道中吸引來更多的電子，溝道加寬,，溝道電阻變小,，iD增大。反之vGS為負(fù)時,，溝道中感應(yīng)的電子減少,，溝道變窄，溝道電阻變大,，iD減小,。當(dāng)vGS負(fù)向增加到某一數(shù)值時，導(dǎo)電溝道消失,，iD趨于零,，管子截止，故稱為耗盡型,。溝道消失時的柵－源電壓稱為夾斷電壓,，仍用VP表示。與N溝道結(jié)型場效應(yīng)管相同,，N溝道耗盡型MOS管的夾斷電壓VP也為負(fù)值,，但是，前者只能在vGS<0的情況下工作,。而后者在vGS=0,，vGS>0MOSFET在數(shù)字電路、功率放大器等領(lǐng)域普遍應(yīng)用,。南通P溝道場效應(yīng)管

場效應(yīng)管在無線電領(lǐng)域具有普遍應(yīng)用,，如射頻放大器、混頻器,、振蕩器等,，提高通信質(zhì)量。珠海增強(qiáng)型場效應(yīng)管廠商

以N溝道為例,，它是在P型硅襯底上制成兩個高摻雜濃度的源擴(kuò)散區(qū)N+和漏擴(kuò)散區(qū)N+,，再分別引出源極S和漏極D,。源極與襯底在內(nèi)部連通，二者總保持等電位,。當(dāng)漏接電源正極,，源極接電源負(fù)極并使VGS=0時，溝道電流（即漏極電流）ID=0,。隨著VGS逐漸升高,，受柵極正電壓的吸引，在兩個擴(kuò)散區(qū)之間就感應(yīng)出帶負(fù)電的少數(shù)載流子,，形成從漏極到源極的N型溝道,，當(dāng)VGS大于管子的開啟電壓VTN（一般約為+2V）時，N溝道管開始導(dǎo)通,，形成漏極電流ID,。場效應(yīng)晶體管于1925年由Julius Edgar Lilienfeld和于1934年由Oskar Heil分別發(fā)明，但是實(shí)用的器件一直到1952年才被制造出來（結(jié)型場效應(yīng)管,，Junction-FET,，JFET）。1960年Dawan Kahng發(fā)明了金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-effect transistor, MOSFET）,，從而大部分代替了JFET,，對電子行業(yè)的發(fā)展有著深遠(yuǎn)的意義。珠海增強(qiáng)型場效應(yīng)管廠商