MOS管發(fā)熱情況有：1.電路設(shè)計(jì)的問題,，就是讓MOS管工作在線性的工作狀態(tài)，而不是在開關(guān)狀態(tài),。這也是導(dǎo)致MOS管發(fā)熱的一個(gè)原因,。如果N-MOS做開關(guān)，G級(jí)電壓要比電源高幾V,，才能完全導(dǎo)通,，P-MOS則相反。沒有完全打開而壓降過大造成功率消耗,，等效直流阻抗比較大,，壓降增大，所以U*I也增大,，損耗就意味著發(fā)熱,。這是設(shè)計(jì)電路的較忌諱的錯(cuò)誤。2.頻率太高,，主要是有時(shí)過分追求體積,，導(dǎo)致頻率提高，MOS管上的損耗增大了,，所以發(fā)熱也加大了,。3.沒有做好足夠的散熱設(shè)計(jì)，電流太高,，MOS管標(biāo)稱的電流值,，一般需要良好的散熱才能達(dá)到,。所以ID小于較大電流，也可能發(fā)熱嚴(yán)重,，需要足夠的輔助散熱片,。4.MOS管的選型有誤,，對(duì)功率判斷有誤,，MOS管內(nèi)阻沒有充分考慮，導(dǎo)致開關(guān)阻抗增大,。場(chǎng)效應(yīng)管的電阻特性取決于柵極電壓,，可實(shí)現(xiàn)精確控制?；葜輳?qiáng)抗輻場(chǎng)效應(yīng)管定制

我們經(jīng)?？碝OS管的PDF參數(shù)，MOS管制造商采用RDS(ON)參數(shù)來定義導(dǎo)通阻抗,，對(duì)開關(guān)應(yīng)用來說,，RDS(ON)也是較重要的器件特性。數(shù)據(jù)手冊(cè)定義RDS(ON)與柵極(或驅(qū)動(dòng))電壓VGS以及流經(jīng)開關(guān)的電流有關(guān),，但對(duì)于充分的柵極驅(qū)動(dòng),，RDS(ON)是一個(gè)相對(duì)靜態(tài)參數(shù)。一直處于導(dǎo)通的MOS管很容易發(fā)熱,。另外,，慢慢升高的結(jié)溫也會(huì)導(dǎo)致RDS(ON)的增加。MOS管數(shù)據(jù)手冊(cè)規(guī)定了熱阻抗參數(shù),，其定義為MOS管封裝的半導(dǎo)體結(jié)散熱能力,。RθJC的較簡(jiǎn)單的定義是結(jié)到管殼的熱阻抗。珠海VMOS場(chǎng)效應(yīng)管基本場(chǎng)效應(yīng)管的特點(diǎn)包括輸入電阻高,、輸入電容低,。

組成，F(xiàn)ET由各種半導(dǎo)體構(gòu)成,，目前硅是較常見的,。大部分的FET是由傳統(tǒng)塊體半導(dǎo)體制造技術(shù)制造，使用單晶半導(dǎo)體硅片作為反應(yīng)區(qū),，或者溝道,。大部分的不常見體材料，主要有非晶硅,、多晶硅或其它在薄膜晶體管中,，或者有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管中的非晶半導(dǎo)體。有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管基于有機(jī)半導(dǎo)體,，常常用有機(jī)柵絕緣體和電極,。我們知道三極管全稱為半導(dǎo)體三極管,，也稱雙極型晶體管、晶體三極管,，是一種電流控制型半導(dǎo)體器件,，其作用是把微弱信號(hào)放大成幅度值較大的電信號(hào)， 也用作無觸點(diǎn)開關(guān),。

MOSFET的作用如下：1.可應(yīng)用于放大,。由于場(chǎng)效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小,，不必使用電解電容器,。2.很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級(jí)放大器的輸入級(jí)作阻抗變換,。3.可以用作可變電阻,。4.可以方便地用作恒流源。5.可以用作電子開關(guān),。6.在電路設(shè)計(jì)上的靈活性大,。柵偏壓可正可負(fù)可零，三極管只能在正向偏置下工作,，電子管只能在負(fù)偏壓下工作,。另外輸入阻抗高，可以減輕信號(hào)源負(fù)載,，易于跟前級(jí)匹配,。場(chǎng)效應(yīng)管在高頻電路中表現(xiàn)出色，能夠保持較低的失真和較高的效率,。

場(chǎng)效應(yīng)管（FET）是利用控制輸入回路的電場(chǎng)效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件,，并以此命名，場(chǎng)效應(yīng)管[2]是常見的電子元件,，屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件,。具有輸入電阻高（10^8～10^9Ω）、噪聲小,、功耗低,、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成,、沒有二次擊穿現(xiàn)象,、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)。場(chǎng)效應(yīng)晶體管于1925年由Julius Edgar Lilienfeld和于1934年由Oskar Heil分別發(fā)明,，但是實(shí)用的器件一直到1952年才被制造出來（結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管）,，1960年Dawan Kahng發(fā)明了金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，從而大部分代替了JFET,，對(duì)電子行業(yè)的發(fā)展有著深遠(yuǎn)的意義,。場(chǎng)效應(yīng)管可構(gòu)成恒流源,，為負(fù)載提供穩(wěn)定的電流，應(yīng)用于精密測(cè)量,、激光器等領(lǐng)域,。珠海VMOS場(chǎng)效應(yīng)管

場(chǎng)效應(yīng)管的制造工藝不斷改進(jìn)，使得其性能更加穩(wěn)定,，可靠性更高,。惠州強(qiáng)抗輻場(chǎng)效應(yīng)管定制

雪崩失效的預(yù)防措施,，雪崩失效歸根結(jié)底是電壓失效,，因此預(yù)防我們著重從電壓來考慮,。具體可以參考以下的方式來處理,。1：合理降額使用，目前行業(yè)內(nèi)的降額一般選取80%-95%的降額,，具體情況根據(jù)企業(yè)的保修條款及電路關(guān)注點(diǎn)進(jìn)行選取,。2：合理的變壓器反射電壓。合理的RCD及TVS吸收電路設(shè)計(jì),。4：大電流布線盡量采用粗,、短的布局結(jié)構(gòu)，盡量減少布線寄生電感,。5：選擇合理的柵極電阻Rg,。6：在大功率電源中，可以根據(jù)需要適當(dāng)?shù)募尤隦C減震或齊納二極管進(jìn)行吸收,?；葜輳?qiáng)抗輻場(chǎng)效應(yīng)管定制