對于開關頻率小于100kHz的信號一般取（400～500）kHz載波頻率較好,，變壓器選用較高磁導如5K,、7K等高頻環(huán)形磁芯，其原邊磁化電感小于約1毫亨左右為好,。這種驅動電路只適合于信號頻率小于100kHz的場合,，因信號頻率相對載波頻率太高的話，相對延時太多,，且所需驅動功率增大,，UC3724和UC3725芯片發(fā)熱溫升較高，故100kHz以上開關頻率只對較小極電容的MOSFET才可以,。對于1kVA左右開關頻率小于100kHz的場合,，它是一種良好的驅動電路。該電路具有以下特點：單電源工作,，控制信號與驅動實現(xiàn)隔離,，結構簡單尺寸較小，尤其適用于占空比變化不確定或信號頻率也變化的場合,。來看這個電路,，控制信號PGC控制V4.2是否給P_GPRS供電。此電路中,，源漏兩端沒有接反,，R110與R113存在的意義在于R110控制柵極電流不至于過大，R113控制柵極的常態(tài),，將R113上拉為高,，截至PMOS，同時也可以看作是對控制信號的上拉,，當MCU內部管腳并沒有上拉時,，即輸出為開漏時，并不能驅動PMOS關閉,，此時,，就需要外部電壓給予的上拉，所以電阻R113起到了兩個作用,。R110可以更小,，到100歐姆也可。場效應管可以用作放大器,，可以放大輸入信號的幅度,。徐州漏極場效應管

場效應管的工作方式有兩種：當柵壓為零時有較大漏極電流的稱為耗盡型,；當柵壓為零，漏極電流也為零,，必須再加一定的柵壓之后才有漏極電流的稱為增強型,。作用：1.場效應管可應用于放大。由于場效應管放大器的輸入阻抗很高,，因此耦合電容可以容量較小,，不必使用電解電容器。2.場效應管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換,。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換,。3.場效應管可以用作可變電阻。4.場效應管可以方便地用作恒流源,。5.場效應管可以用作電子開關。徐州漏極場效應管場效應管的制造工藝不斷改進,，使得其性能更加穩(wěn)定,，可靠性更高。

MOS管開關電路圖：頭一種應用,，由PMOS來進行電壓的選擇,，當V8V存在時，此時電壓全部由V8V提供,，將PMOS關閉,，VBAT不提供電壓給VSIN，而當V8V為低時,，VSIN由8V供電,。注意R120的接地，該電阻能將柵極電壓穩(wěn)定地拉低,，確保PMOS的正常開啟,，這也是前文所描述的柵極高阻抗所帶來的狀態(tài)隱患。D9和D10的作用在于防止電壓的倒灌,。D9可以省略,。這里要注意到實際上該電路的DS接反，這樣由附生二極管導通導致了開關管的功能不能達到,，實際應用要注意,。

什么是MOSFET，mos管是金屬(metal),、氧化物(oxide),、半導體(semiconductor)場效應晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator),、半導體,。MOS管的source和drain是可以對調的,，他們都是在P型back gate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下,，這個兩個區(qū)是一樣的,，即使兩端對調也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的,。場效應管（FET）,，把輸入電壓的變化轉化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的跨導,， 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比,。市面上常有的一般為N溝道和P溝道，詳情參考右側圖片（P溝道耗盡型MOS管）,。而P溝道常見的為低壓mos管,。場效應管需遵循正確的電路連接方式，通常包括源極,、柵極和漏極三個引腳,，根據(jù)不同類型選擇合適的偏置電壓。

場效應管主要參數(shù)：場效應管的參數(shù)很多,，包括直流參數(shù),、交流參數(shù)和極限參數(shù)，但普通運用時主要關注以下一些重點參數(shù)：飽和漏源電流IDSS,，夾斷電壓Up,，（結型管和耗盡型絕緣柵管，或開啟電壓UT（加強型絕緣柵管）,、跨導gm,、漏源擊穿電壓BUDS、較大耗散功率PDSM和較大漏源電流IDSM,。一,、飽和漏源電流，飽和漏源電流IDSS：是指結型或耗盡型絕緣柵場效應管中,，柵極電壓UGS＝0時的漏源電流,。二、夾斷電壓,，夾斷電壓Up是指結型或耗盡型絕緣柵場效應管中,，使漏源間剛截止時的柵極電壓。場效應管是一種半導體器件,，用于放大或開關電路中的信號,。徐州漏極場效應管

熟練掌握場效應管的使用方法和注意事項，對于電子工程師來說是提升電路設計能力和解決實際問題的重要技能,。徐州漏極場效應管

MOS場效應管,，即金屬-氧化物-半導體型場效應管,，英文縮寫為MOSFET （Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor），屬于絕緣柵型,。其主要特點是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層,，因此具有很高的輸入電阻（較高可達1015Ω）。它也分N溝道管和P溝道管,。通常是將襯底（基板）與源極S接在一起,。根據(jù)導電方式的不同，MOSFET又分增強型,、耗盡型,。所謂增強型是指：當VGS=0時管子是呈截止狀態(tài)，加上正確的VGS后,，多數(shù)載流子被吸引到柵極,，從而“增強”了該區(qū)域的載流子，形成導電溝道,。耗盡型則是指,，當VGS=0時即形成溝道，加上正確的VGS時,，能使多數(shù)載流子流出溝道,，因而“耗盡”了載流子,，使管子轉向截止,。徐州漏極場效應管