場效應(yīng)管的用途：一,、場效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。由于場效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高,，因此耦合電容可以容量較小,，不必使用電解電容器。二,、場效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換,。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。三,、場效應(yīng)管可以用作可變電阻,。四、場效應(yīng)管可以方便地用作恒流源,。五,、場效應(yīng)管可以用作電子開關(guān)。場效應(yīng)管在電子應(yīng)用中非常普遍,，了解基礎(chǔ)知識之后我們接下來就可以運用它做一些電子開發(fā)了,。場效應(yīng)管是利用輸入回路的電場效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件。場效應(yīng)管又是單極型晶體管,，即導(dǎo)電過程中幾乎只有一種載流子運動,，類似金屬導(dǎo)電。場效應(yīng)管的工作溫度范圍需要在規(guī)定的范圍內(nèi),，以確保正常工作,。中山金屬半導(dǎo)體場效應(yīng)管批發(fā)

場效應(yīng)管產(chǎn)品特性：(1)轉(zhuǎn)移特性：柵極電壓對漏極電流的控制作用稱為轉(zhuǎn)移特性。(2)輸出特性： UDS與ID的關(guān)系稱為輸出特性,。(3)結(jié)型場效應(yīng)管的放大作用：結(jié)型場效應(yīng)管的放大作用一般指的是電壓放大作用,。電氣特性：場效應(yīng)管與晶體管在電氣特性方面的主要區(qū)別有以下幾點：貼片場效應(yīng)管：1：場效應(yīng)管是電壓控制器件，管子的導(dǎo)電情況取決于柵極電壓的高低,。晶體管是電流控制器件,，管子的導(dǎo)電情況取決于基極電流的大小。 2：場效應(yīng)管漏源靜態(tài)伏安特性以柵極電壓UGS為參變量,，晶體管輸出特性曲線以基極電流Ib 為參變量,。3：場效應(yīng)管電流IDS與柵極UGS之間的關(guān)系由跨導(dǎo)Gm 決定，晶體管電流Ic與Ib 之間的關(guān)系由放大系數(shù)β決定,。也就是說,，場效應(yīng)管的放大能力用Gm 衡量，晶體管的放大能力用β衡量,。4：場效應(yīng)管的輸入阻抗很大,，輸入電流極小；晶體管輸入阻抗很小,，在導(dǎo)電時輸入電流較大,。5：一般場效應(yīng)管功率較小，晶體管功率較大,。徐州絕緣柵場效應(yīng)管在放大電路中,，場效應(yīng)管可以起到線性放大的作用，輸出的信號與輸入信號成正比,。

電極,，所有的FET都有柵極（gate）、漏極（drain）,、源極（source）三個端,，分別大致對應(yīng)BJT的基極（base）、集電極（collector）和發(fā)射極（emitter）,。除JFET以外,，所有的FET也有第四端，被稱為體（body）,、基（base）,、塊體（bulk）或襯底（substrate）。這個第四端可以將晶體管調(diào)制至運行,；在電路設(shè)計中,，很少讓體端發(fā)揮大的作用，但是當(dāng)物理設(shè)計一個集成電路的時候,，它的存在就是重要的,。在圖中柵極的長度（length）L，是指源和漏的距離,。寬度（width）是指晶體管的范圍,，在圖中和橫截面垂直。通常情況下寬度比長度大得多,。長度1微米的柵極限制較高頻率約為5GHz，0.2微米則是約30GHz,。

MOS管三個極分別是什么及判定方法：mos管的三個極分別是：G（柵極）,，D（漏極）s（源及），要求柵極和源及之間電壓大于某一特定值,，漏極和源及才能導(dǎo)通,。判斷柵極G，MOS驅(qū)動器主要起波形整形和加強驅(qū)動的作用：假如MOS管的G信號波形不夠陡峭,，在點評切換階段會造成大量電能損耗其副作用是降低電路轉(zhuǎn)換效率,，MOS管發(fā)燒嚴(yán)峻，易熱損壞MOS管GS間存在一定電容,，假如G信號驅(qū)動能力不夠,，將嚴(yán)峻影響波形跳變的時間,。將G-S極短路，選擇萬用表的R×1檔,，黑表筆接S極,，紅表筆接D極，阻值應(yīng)為幾歐至十幾歐,。若發(fā)現(xiàn)某腳與其字兩腳的電阻均呈無限大,，并且交換表筆后仍為無限大，則證實此腳為G極,，由于它和另外兩個管腳是絕緣的,。選擇場效應(yīng)管時，應(yīng)考慮其耐壓,、耐流等參數(shù),，以確保其在工作環(huán)境中能夠穩(wěn)定可靠地運行。

場效應(yīng)管主要參數(shù)：場效應(yīng)管的參數(shù)很多,，包括直流參數(shù),、交流參數(shù)和極限參數(shù)，但普通運用時主要關(guān)注以下一些重點參數(shù)：飽和漏源電流IDSS,，夾斷電壓Up,，（結(jié)型管和耗盡型絕緣柵管，或開啟電壓UT（加強型絕緣柵管）,、跨導(dǎo)gm,、漏源擊穿電壓BUDS、較大耗散功率PDSM和較大漏源電流IDSM,。一,、飽和漏源電流，飽和漏源電流IDSS：是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管中,，柵極電壓UGS＝0時的漏源電流,。二、夾斷電壓,，夾斷電壓Up是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管中,，使漏源間剛截止時的柵極電壓。使用場效應(yīng)管時需注意靜電防護,，防止損壞敏感的柵極,。中山金屬半導(dǎo)體場效應(yīng)管批發(fā)

隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，場效應(yīng)管性能不斷提升,，有望在更多領(lǐng)域發(fā)揮重要作用,。中山金屬半導(dǎo)體場效應(yīng)管批發(fā)

C-MOS場效應(yīng)管（增強型MOS場效應(yīng)管），電路將一個增強型P溝道MOS場效應(yīng)管和一個增強型N溝道MOS場效應(yīng)管組合在一起使用。當(dāng)輸入端為低電平時,，P溝道MOS場效應(yīng)管導(dǎo)通,，輸出端與電源正極接通。當(dāng)輸入端為高電平時,，N溝道MOS場效應(yīng)管導(dǎo)通,，輸出端與電源地接通。在該電路中,，P溝道MOS場效應(yīng)管和N溝道MOS場效應(yīng)管總是在相反的狀態(tài)下工作,，其相位輸入端和輸出端相反。通過這種工作方式我們可以獲得較大的電流輸出,。同時由于漏電流的影響,，使得柵壓在還沒有到0V，通常在柵極電壓小于1到2V時,，MOS場效應(yīng)管既被關(guān)斷,。不同場效應(yīng)管其關(guān)斷電壓略有不同。也正因為如此,，使得該電路不會因為兩管同時導(dǎo)通而造成電源短路,。中山金屬半導(dǎo)體場效應(yīng)管批發(fā)