場(chǎng)效應(yīng)管與晶體管的比較：（1）場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制元件,，而晶體管是電流控制元件,。在只允許從信號(hào)源取較少電流的情況下，應(yīng)選用場(chǎng)效應(yīng)管,；而在信號(hào)電壓較低,，又允許從信號(hào)源取較多電流的條件下，應(yīng)選用晶體管,。（2）場(chǎng)效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電,，所以稱之為單極型器件，而晶體管是即有多數(shù)載流子,，也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電,。被稱之為雙極型器件。（3）有些場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用,，柵壓也可正可負(fù),，靈活性比晶體管好。（4）場(chǎng)效應(yīng)管能在很小電流和很低電壓的條件下工作,，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場(chǎng)效應(yīng)管集成在一塊硅片上,，因此場(chǎng)效應(yīng)管在大規(guī)模集成電路中得到了普遍的應(yīng)用。在安裝場(chǎng)效應(yīng)管時(shí),，要確保其散熱良好,，避免過熱導(dǎo)致性能下降或損壞。單極型場(chǎng)效應(yīng)管批發(fā)

本文介紹N溝道增強(qiáng)型MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管,；（1）結(jié)構(gòu),，在一塊摻雜濃度較低的P型硅襯底上，制作兩個(gè)高摻雜濃度的N+區(qū),，并用金屬鋁引出兩個(gè)電極,，分別作漏極d和源極s。然后在半導(dǎo)體表面覆蓋一層很薄的二氧化硅(SiO2)絕緣層,，在漏——源極間的絕緣層上再裝上一個(gè)鋁電極,作為柵極g,。襯底上也引出一個(gè)電極B，這就構(gòu)成了一個(gè)N溝道增強(qiáng)型MOS管。MOS管的源極和襯底通常是接在一起的(大多數(shù)管子在出廠前已連接好),。它的柵極與其它電極間是絕緣的,。單極型場(chǎng)效應(yīng)管批發(fā)場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，易于集成,，有助于電子設(shè)備的小型化,、輕量化。

場(chǎng)效應(yīng)管的工作方式有兩種：當(dāng)柵壓為零時(shí)有較大漏極電流的稱為耗盡型,；當(dāng)柵壓為零,，漏極電流也為零，必須再加一定的柵壓之后才有漏極電流的稱為增強(qiáng)型,。作用：1.場(chǎng)效應(yīng)管可應(yīng)用于放大,。由于場(chǎng)效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小,，不必使用電解電容器,。2.場(chǎng)效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級(jí)放大器的輸入級(jí)作阻抗變換,。3.場(chǎng)效應(yīng)管可以用作可變電阻,。4.場(chǎng)效應(yīng)管可以方便地用作恒流源。5.場(chǎng)效應(yīng)管可以用作電子開關(guān),。

MOS管的三個(gè)管腳之間有寄生電容存在,，這不是我們需要的，而是由于制造工藝限制產(chǎn)生的,。寄生電容的存在使得在設(shè)計(jì)或選擇驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候要麻煩一些,，但沒有辦法避免，后邊再詳細(xì)介紹,。在MOS管原理圖上可以看到,，漏極和源極之間有一個(gè)寄生二極管。這個(gè)叫體二極管,，在驅(qū)動(dòng)感性負(fù)載（如馬達(dá)）,，這個(gè)二極管很重要?？梢栽贛OS管關(guān)斷時(shí)為感性負(fù)載的電動(dòng)勢(shì)提供擊穿通路從而避免MOS管被擊穿損壞,。順便說一句，體二極管只在單個(gè)的MOS管中存在,，在集成電路芯片內(nèi)部通常是沒有的,。在設(shè)計(jì)電路時(shí)，應(yīng)根據(jù)實(shí)際需求選擇合適的場(chǎng)效應(yīng)管類型,，以實(shí)現(xiàn)較佳的性能和效果,。

與雙極型晶體管相比,，場(chǎng)效應(yīng)管具有如下特點(diǎn)。（1）場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器件,，它通過VGS(柵源電壓)來控制ID（漏極電流）,；（2）場(chǎng)效應(yīng)管的控制輸入端電流極小，因此它的輸入電阻（107～1012Ω）很大,。（3）它是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電,，因此它的溫度穩(wěn)定性較好；（4）它組成的放大電路的電壓放大系數(shù)要小于三極管組成放大電路的電壓放大系數(shù),；（5）場(chǎng)效應(yīng)管的抗輻射能力強(qiáng),；（6）由于它不存在雜亂運(yùn)動(dòng)的電子擴(kuò)散引起的散粒噪聲，所以噪聲低,。場(chǎng)效應(yīng)管可用于開關(guān)電路,，實(shí)現(xiàn)電路的通斷控制，如電子開關(guān),、繼電器驅(qū)動(dòng)等,。單極型場(chǎng)效應(yīng)管批發(fā)

場(chǎng)效應(yīng)管利用電場(chǎng)控制載流子的流動(dòng)，通過改變柵極電壓,，控制源極和漏極之間的電流,。單極型場(chǎng)效應(yīng)管批發(fā)

開始形成溝道時(shí)的柵——源極電壓稱為開啟電壓，用VT表示,。上面討論的N溝道MOS管在vGS＜VT時(shí),，不能形成導(dǎo)電溝道,，管子處于截止?fàn)顟B(tài),。只有當(dāng)vGS≥VT時(shí)，才有溝道形成,。這種必須在vGS≥VT時(shí)才能形成導(dǎo)電溝道的MOS管稱為增強(qiáng)型MOS管,。溝道形成以后，在漏——源極間加上正向電壓vDS,，就有漏極電流產(chǎn)生,。vDS對(duì)iD的影響：當(dāng)vGS>VT且為一確定值時(shí)，漏——源電壓vDS對(duì)導(dǎo)電溝道及電流iD的影響與結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管相似,。P溝道耗盡型MOSFET：P溝道MOSFET的工作原理與N溝道MOSFET完全相同,，只不過導(dǎo)電的載流子不同，供電電壓極性不同而已,。這如同雙極型三極管有NPN型和PNP型一樣,。單極型場(chǎng)效應(yīng)管批發(fā)