場效應(yīng)管產(chǎn)品特性：(1)轉(zhuǎn)移特性：柵極電壓對漏極電流的控制作用稱為轉(zhuǎn)移特性。(2)輸出特性： UDS與ID的關(guān)系稱為輸出特性,。(3)結(jié)型場效應(yīng)管的放大作用：結(jié)型場效應(yīng)管的放大作用一般指的是電壓放大作用,。電氣特性：場效應(yīng)管與晶體管在電氣特性方面的主要區(qū)別有以下幾點：貼片場效應(yīng)管：1：場效應(yīng)管是電壓控制器件，管子的導(dǎo)電情況取決于柵極電壓的高低,。晶體管是電流控制器件,，管子的導(dǎo)電情況取決于基極電流的大小。 2：場效應(yīng)管漏源靜態(tài)伏安特性以柵極電壓UGS為參變量,，晶體管輸出特性曲線以基極電流Ib 為參變量,。3：場效應(yīng)管電流IDS與柵極UGS之間的關(guān)系由跨導(dǎo)Gm 決定，晶體管電流Ic與Ib 之間的關(guān)系由放大系數(shù)β決定,。也就是說,，場效應(yīng)管的放大能力用Gm 衡量，晶體管的放大能力用β衡量,。4：場效應(yīng)管的輸入阻抗很大,，輸入電流極?。痪w管輸入阻抗很小,，在導(dǎo)電時輸入電流較大,。5：一般場效應(yīng)管功率較小，晶體管功率較大,。場效應(yīng)管具有較高的耐熱性能,，適用于高溫環(huán)境。小噪音場效應(yīng)管廠家精選

絕緣柵場效應(yīng)管：1,、絕緣柵場效應(yīng)管（MOS管）的分類：絕緣柵場效應(yīng)管也有兩種結(jié)構(gòu)形式,，它們是N溝道型和P溝道型。無論是什么溝道,，它們又分為增強型和耗盡型兩種,。2、它是由金屬,、氧化物和半導(dǎo)體所組成,，所以又稱為金屬—氧化物—半導(dǎo)體場效應(yīng)管，簡稱MOS場效應(yīng)管,。3,、絕緣柵型場效應(yīng)管的工作原理(以N溝道增強型MOS場效應(yīng)管為例)它是利用UGS來控制“感應(yīng)電荷”的多少，以改變由這些“感應(yīng)電荷”形成的導(dǎo)電溝道的狀況,，然后達到控制漏極電流的目的,。在制造管子時，通過工藝使絕緣層中出現(xiàn)大量正離子,，故在交界面的另一側(cè)能感應(yīng)出較多的負(fù)電荷，這些負(fù)電荷把高滲雜質(zhì)的N區(qū)接通,，形成了導(dǎo)電溝道,，即使在VGS=0時也有較大的漏極電流ID。當(dāng)柵極電壓改變時,，溝道內(nèi)被感應(yīng)的電荷量也改變,，導(dǎo)電溝道的寬窄也隨之而變，因而漏極電流ID隨著柵極電壓的變化而變化,。中山強抗輻場效應(yīng)管廠家精選場效應(yīng)管在數(shù)字電子電路中的應(yīng)用日益普遍,，可以用于高速通訊、計算機處理和控制系統(tǒng)中,。

LED 燈具的驅(qū)動,。設(shè)計LED燈具的時候經(jīng)常要使用MOS管，對LED恒流驅(qū)動而言,，一般使用NMOS,。功率MOSFET和雙極型晶體管不同,，它的柵極電容比較大，在導(dǎo)通之前要先對該電容充電,，當(dāng)電容電壓超過閾值電壓(VGS-TH)時MOSFET才開始導(dǎo)通,。因此，設(shè)計時必須注意柵極驅(qū)動器負(fù)載能力必須足夠大,，以保證在系統(tǒng)要求的時間內(nèi)完成對等效柵極電容(CEI)的充電,。而MOSFET的開關(guān)速度和其輸入電容的充放電有很大關(guān)系。使用者雖然無法降低Cin的值,，但可以降低柵極驅(qū)動回路信號源內(nèi)阻Rs的值,，從而減小柵極回路 的充放電時間常數(shù)，加快開關(guān)速度一般IC驅(qū)動能力主要體現(xiàn)在這里,，我們談選擇MOSFET是指外置MOSFET驅(qū)動恒流IC,。

場效應(yīng)管使用優(yōu)勢：場效應(yīng)管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件,。在只允許從信號源取較少電流的情況下,，應(yīng)選用場效應(yīng)管；而在信號電壓較低,，又允許從信號源取較多電流的條件下,，應(yīng)選用晶體管。場效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電,，所以稱之為單極型器件,，而晶體管是既有多數(shù)載流子，也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電,，被稱之為雙極型器件,。有些場效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負(fù),，靈活性比三極管好,。場效應(yīng)管能在很小電流和很低電壓的條件下工作，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應(yīng)管集成在一塊硅片上,，因此場效應(yīng)管在大規(guī)模集成電路中得到了普遍的應(yīng)用,。場效應(yīng)管作為音頻放大器，具有低失真,、高保真的特點,，提升音質(zhì)效果。

導(dǎo)電溝道的形成：當(dāng)vGS數(shù)值較小,，吸引電子的能力不強時,，漏——源極之間仍無導(dǎo)電溝道出現(xiàn)，如圖1(b)所示。vGS增加時,，吸引到P襯底表面層的電子就增多,，當(dāng)vGS達到某一數(shù)值時，這些電子在柵極附近的P襯底表面便形成一個N型薄層,，且與兩個N+區(qū)相連通,，在漏——源極間形成N型導(dǎo)電溝道，其導(dǎo)電類型與P襯底相反,，故又稱為反型層,，如圖1(c)所示。vGS越大,，作用于半導(dǎo)體表面的電場就越強,，吸引到P襯底表面的電子就越多，導(dǎo)電溝道越厚,，溝道電阻越小,。基本場效應(yīng)管的特點包括輸入電阻高,、輸入電容低,。P溝道場效應(yīng)管哪家好

場效應(yīng)管的優(yōu)勢在于低噪聲、高放大倍數(shù)和低失真,，適用于高要求的音頻放大電路中,。小噪音場效應(yīng)管廠家精選

場效應(yīng)管注意事項：（1）在安裝場效應(yīng)管時，注意安裝的位置要盡量避免靠近發(fā)熱元件,；為了防管件振動,，有必要將管殼體緊固起來；管腳引線在彎曲時,，應(yīng)當(dāng)大于根部尺寸5毫米處進行,，以防止彎斷管腳和引起漏氣等。（2）使用VMOS管時必須加合適的散熱器后,。以VNF306為例,，該管子加裝140×140×4（mm）的散熱器后，較大功率才能達到30W,。（3）多管并聯(lián)后，由于極間電容和分布電容相應(yīng)增加,，使放大器的高頻特性變壞,，通過反饋容易引起放大器的高頻寄生振蕩。為此,，并聯(lián)復(fù)合管管子一般不超過4個,，而且在每管基極或柵極上串接防寄生振蕩電阻。小噪音場效應(yīng)管廠家精選