測試步驟：MOS管的檢測主要是判斷MOS管漏電,、短路、斷路,、放大。其步驟如下：假如有阻值沒被測MOS管有漏電現(xiàn)象,。1、把連接柵極和源極的電阻移開,，萬用表紅黑筆不變,，假如移開電阻后表針慢慢逐步退回到高阻或無限大，則MOS管漏電,，不變則完好,。2、然后一根導線把MOS管的柵極和源極連接起來,，假如指針立刻返回無限大,，則MOS完好。3,、把紅筆接到MOS的源極S上,，黑筆接到MOS管的漏極上，好的表針指示應該是無限大,。4,、用一只100KΩ－200KΩ的電阻連在柵極和漏極上，然后把紅筆接到MOS的源極S上,，黑筆接到MOS管的漏極上,，這時表針指示的值一般是0，這時是下電荷通過這個電阻對MOS管的柵極充電,，產(chǎn)生柵極電場,，因為電場產(chǎn)生導致導電溝道致使漏極和源極導通，故萬用表指針偏轉(zhuǎn),，偏轉(zhuǎn)的角度大,，放電性越好。場效應管具有高頻響應特性,，適用于高頻,、高速電路，如雷達,、衛(wèi)星通信等,。金屬場效應管制造

SOA失效（電流失效）再簡單說下第二點，SOA失效,，SOA失效是指電源在運行時異常的大電流和電壓同時疊加在MOSFET上面，造成瞬時局部發(fā)熱而導致的破壞模式,?；蛘呤切酒c散熱器及封裝不能及時達到熱平衡導致熱積累,，持續(xù)的發(fā)熱使溫度超過氧化層限制而導致的熱擊穿模式。關(guān)于SOA各個線的參數(shù)限定值可以參考下面圖片,。1：受限于較大額定電流及脈沖電流2：受限于較大節(jié)溫下的RDSON,。3：受限于器件較大的耗散功率。4：受限于較大單個脈沖電流,。5：擊穿電壓BVDSS限制區(qū),。我們電源上的MOSFET，只要保證能器件處于上面限制區(qū)的范圍內(nèi),，就能有效的規(guī)避由于MOSFET而導致的電源失效問題的產(chǎn)生,。這個是一個非典型的SOA導致失效的一個解刨圖，由于去過鋁,，可能看起來不那么直接,，參考下。金屬場效應管制造隨著半導體技術(shù)的不斷發(fā)展,，場效應管性能不斷提升,，有望在更多領(lǐng)域發(fā)揮重要作用。

MOS管參數(shù)：功率MOSFET的一定較大額定值：注①：漏源較大電壓VDSS,，可視為反向施加在體二極管兩端的電壓值,，故只有一個方向。注②：柵源較大電壓VGSS,，即施加在柵極電極與源極電極之間的電壓,，由于柵極與P型半導體襯底中加了SiO2絕緣層，只要電壓一定值超過絕緣層耐壓均會擊穿,，故有兩個方向“±”,。注③：漏級較大電流ID與體二極管流過的反向漏級較大電流IDR（或稱為IS）一般規(guī)格書中數(shù)值一致，均為流過N型半導體與P型半導體襯底形成的PN結(jié)的較大電流,。注④：ID（pulse）需要看施加電流的脈沖寬度,，脈寬不一致的不能沿用規(guī)格書數(shù)據(jù)。注⑤：雪崩電流IAP同樣需要關(guān)注脈沖寬度,。

Source和drain不同摻雜不同幾何形狀的就是非對稱MOS管,，制造非對稱晶體管有很多理由，但所有的較終結(jié)果都是一樣的,，一個引線端被優(yōu)化作為drain,，另一個被優(yōu)化作為source，如果drain和source對調(diào),，這個器件就不能正常工作了,。晶體管有N型channel所有它稱為N-channel MOS管，或NMOS,。P-channel MOS管也存在,，是一個由輕摻雜的N型BACKGATE和P型source和drain組成的PMOS管,。如果這個晶體管的GATE相對于BACKGATE正向偏置，電子就被吸引到表面,，空穴就被排斥出表面,。硅的表面就積累，沒有channel形成,。場效應管利用輸入電場控制輸出電流,，因此具有高輸入電阻和低輸出阻礙的特點。

MOS場效應管電源開關(guān)電路,，MOS場效應管也被稱為金屬氧化物半導體場效應管(MetalOxideSemiconductor FieldEffect Transistor, MOSFET),。它一般有耗盡型和增強型兩種。增強型MOS場效應管可分為NPN型PNP型,。NPN型通常稱為N溝道型,，PNP型也叫P溝道型。對于N溝道的場效應管其源極和漏極接在N型半導體上,，同樣對于P溝道的場效應管其源極和漏極則接在P型半導體上,。場效應管的輸出電流是由輸入的電壓（或稱電場）控制，可以認為輸入電流極小或沒有輸入電流,，這使得該器件有很高的輸入阻抗,，同時這也是我們稱之為場效應管的原因。JFET在低頻放大和高阻抗放大中比較常用,，其工作原理比較簡單,。深圳強抗輻場效應管批發(fā)

場效應管的使用方法包括選擇合適的工作點和電源電壓，以及連接正確的外部電路,。金屬場效應管制造

開始形成溝道時的柵——源極電壓稱為開啟電壓,，用VT表示。上面討論的N溝道MOS管在vGS＜VT時,，不能形成導電溝道,，管子處于截止狀態(tài)。只有當vGS≥VT時,，才有溝道形成,。這種必須在vGS≥VT時才能形成導電溝道的MOS管稱為增強型MOS管。溝道形成以后,，在漏——源極間加上正向電壓vDS,，就有漏極電流產(chǎn)生。vDS對iD的影響：當vGS>VT且為一確定值時,，漏——源電壓vDS對導電溝道及電流iD的影響與結(jié)型場效應管相似,。P溝道耗盡型MOSFET：P溝道MOSFET的工作原理與N溝道MOSFET完全相同，只不過導電的載流子不同，供電電壓極性不同而已,。這如同雙極型三極管有NPN型和PNP型一樣,。金屬場效應管制造