眾所周知，傳統(tǒng)的MOS場效應(yīng)管的柵極,、源極和漏極較大程度上致處于同一水平面的芯片上,，其工作電流基本上是沿水平方向流動(dòng),。VMOS管則不同,，其兩大結(jié)構(gòu)特點(diǎn):頭一，金屬柵極采用V型槽結(jié)構(gòu)；第二,，具有垂直導(dǎo)電性,。由于漏極是從芯片的背面引出，所以ID不是沿芯片水平流動(dòng),，而是自重?fù)诫sN+區(qū)（源極S）出發(fā),，經(jīng)過P溝道流入輕摻雜N-漂移區(qū)，然后垂直向下到達(dá)漏極D,。因?yàn)榱魍ń孛娣e增大,，所以能通過大電流。由于在柵極與芯片之間有二氧化硅絕緣層,，因此它仍屬于絕緣柵型MOS場效應(yīng)管,。場效應(yīng)管有多種類型，如JFET,、MOSFET等,，滿足不同應(yīng)用需求。中山P溝道場效應(yīng)管尺寸

對(duì)于開關(guān)頻率小于100kHz的信號(hào)一般?。?00～500）kHz載波頻率較好,，變壓器選用較高磁導(dǎo)如5K、7K等高頻環(huán)形磁芯,，其原邊磁化電感小于約1毫亨左右為好,。這種驅(qū)動(dòng)電路只適合于信號(hào)頻率小于100kHz的場合，因信號(hào)頻率相對(duì)載波頻率太高的話,，相對(duì)延時(shí)太多,，且所需驅(qū)動(dòng)功率增大，UC3724和UC3725芯片發(fā)熱溫升較高,，故100kHz以上開關(guān)頻率只對(duì)較小極電容的MOSFET才可以,。對(duì)于1kVA左右開關(guān)頻率小于100kHz的場合，它是一種良好的驅(qū)動(dòng)電路,。該電路具有以下特點(diǎn)：單電源工作,，控制信號(hào)與驅(qū)動(dòng)實(shí)現(xiàn)隔離，結(jié)構(gòu)簡單尺寸較小,，尤其適用于占空比變化不確定或信號(hào)頻率也變化的場合,。來看這個(gè)電路，控制信號(hào)PGC控制V4.2是否給P_GPRS供電,。此電路中,，源漏兩端沒有接反，R110與R113存在的意義在于R110控制柵極電流不至于過大,，R113控制柵極的常態(tài),，將R113上拉為高,，截至PMOS，同時(shí)也可以看作是對(duì)控制信號(hào)的上拉,，當(dāng)MCU內(nèi)部管腳并沒有上拉時(shí),，即輸出為開漏時(shí)，并不能驅(qū)動(dòng)PMOS關(guān)閉,，此時(shí),，就需要外部電壓給予的上拉，所以電阻R113起到了兩個(gè)作用,。R110可以更小,，到100歐姆也可。中山P溝道場效應(yīng)管尺寸選型場效應(yīng)管時(shí)需考慮工作頻率,、功率需求等因素,。

判斷源極S、漏極D,，將萬用表撥至R×1k檔分別丈量三個(gè)管腳之間的電阻,。用交換表筆法測兩次電阻，其中電阻值較低（一般為幾千歐至十幾千歐）的一次為正向電阻,，此時(shí)黑表筆的是S極,，紅表筆接D極。因?yàn)闇y試前提不同,，測出的RDS（on）值比手冊(cè)中給出的典型值要高一些,。丈量漏-源通態(tài)電阻RDS（on），在源-漏之間有一個(gè)PN結(jié),，因此根據(jù)PN結(jié)正,、反向電阻存在差異，可識(shí)別S極與D極,。例如用500型萬用表R×1檔實(shí)測一只IRFPC50型VMOS管,，RDS（on）=3.2W，大于0.58W（典型值）,。

場效應(yīng)管使用優(yōu)勢：場效應(yīng)管是電壓控制元件,，而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號(hào)源取較少電流的情況下,，應(yīng)選用場效應(yīng)管,；而在信號(hào)電壓較低，又允許從信號(hào)源取較多電流的條件下,，應(yīng)選用晶體管,。場效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，所以稱之為單極型器件,，而晶體管是既有多數(shù)載流子,，也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電,，被稱之為雙極型器件。有些場效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用,，柵壓也可正可負(fù),，靈活性比三極管好,。場效應(yīng)管能在很小電流和很低電壓的條件下工作,，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應(yīng)管集成在一塊硅片上，因此場效應(yīng)管在大規(guī)模集成電路中得到了普遍的應(yīng)用,?；緢鲂?yīng)管的特點(diǎn)包括輸入電阻高、輸入電容低,。

場效應(yīng)管主要參數(shù)：場效應(yīng)管的參數(shù)很多,，包括直流參數(shù)、交流參數(shù)和極限參數(shù),，但普通運(yùn)用時(shí)主要關(guān)注以下一些重點(diǎn)參數(shù)：飽和漏源電流IDSS,，夾斷電壓Up，（結(jié)型管和耗盡型絕緣柵管,，或開啟電壓UT（加強(qiáng)型絕緣柵管）,、跨導(dǎo)gm、漏源擊穿電壓BUDS,、較大耗散功率PDSM和較大漏源電流IDSM,。一、飽和漏源電流,，飽和漏源電流IDSS：是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管中,，柵極電壓UGS＝0時(shí)的漏源電流。二,、夾斷電壓,，夾斷電壓Up是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管中，使漏源間剛截止時(shí)的柵極電壓,。場效應(yīng)管具有很高的耐壓特性,，可承受較高的電壓，適用于高壓電路,?；葜莅雽?dǎo)體場效應(yīng)管行價(jià)

MOSFET通過柵極與源極電壓調(diào)節(jié)，是現(xiàn)代電子器件中常見的元件,。中山P溝道場效應(yīng)管尺寸

下面對(duì)MOS失效的原因總結(jié)以下六點(diǎn),，然后對(duì)1，2重點(diǎn)進(jìn)行分析：1：雪崩失效（電壓失效）,，也就是我們常說的漏源間的BVdss電壓超過MOSFET的額定電壓,，并且超過達(dá)到了一定的能力從而導(dǎo)致MOSFET失效,。2：SOA失效（電流失效），既超出MOSFET安全工作區(qū)引起失效,，分為Id超出器件規(guī)格失效以及Id過大,，損耗過高器件長時(shí)間熱積累而導(dǎo)致的失效。3：體二極管失效：在橋式,、LLC等有用到體二極管進(jìn)行續(xù)流的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中,，由于體二極管遭受破壞而導(dǎo)致的失效。4：諧振失效：在并聯(lián)使用的過程中,，柵極及電路寄生參數(shù)導(dǎo)致震蕩引起的失效,。5：靜電失效：在秋冬季節(jié)，由于人體及設(shè)備靜電而導(dǎo)致的器件失效,。6：柵極電壓失效：由于柵極遭受異常電壓尖峰,，而導(dǎo)致柵極柵氧層失效。中山P溝道場效應(yīng)管尺寸