電極,，所有的FET都有柵極（gate）,、漏極（drain）,、源極（source）三個(gè)端，分別大致對應(yīng)BJT的基極（base）,、集電極（collector）和發(fā)射極（emitter）,。除JFET以外，所有的FET也有第四端,，被稱為體（body）,、基（base）,、塊體（bulk）或襯底（substrate）,。這個(gè)第四端可以將晶體管調(diào)制至運(yùn)行；在電路設(shè)計(jì)中,，很少讓體端發(fā)揮大的作用,，但是當(dāng)物理設(shè)計(jì)一個(gè)集成電路的時(shí)候，它的存在就是重要的,。在圖中柵極的長度（length）L,，是指源和漏的距離。寬度（width）是指晶體管的范圍，在圖中和橫截面垂直,。通常情況下寬度比長度大得多,。長度1微米的柵極限制較高頻率約為5GHz，0.2微米則是約30GHz,。場效應(yīng)管結(jié)構(gòu)簡單,，易于集成，有助于電子設(shè)備的小型化,、輕量化,。上海多晶硅金場效應(yīng)管尺寸

場效應(yīng)管與雙極性晶體管的比較：1.場效應(yīng)管是電壓控制器件，柵極基本不取電流,，而晶體管是電流控制器件,，基極必須取一定的電流。因此,，在信號源額定電流極小的情況,，應(yīng)選用場效應(yīng)管。2.場效應(yīng)管是多子導(dǎo)電,，而晶體管的兩種載流子均參與導(dǎo)電,。由于少子的濃度對溫度、輻射等外界條件很敏感,，因此,，對于環(huán)境變化較大的場合，采用場效應(yīng)管比較合適,。3.場效應(yīng)管除了和晶體管一樣可作為放大器件及可控開關(guān)外,，還可作壓控可變線性電阻使用。4.場效應(yīng)管的源極和漏極在結(jié)構(gòu)上是對稱的,，可以互換使用,，耗盡型MOS管的柵——源電壓可正可負(fù)。因此,，使用場效應(yīng)管比晶體管靈活,。上海多晶硅金場效應(yīng)管尺寸場效應(yīng)管的工作原理是利用電荷的寄主控制電流流動(dòng)，具有與電阻不同的工作方式,。

對比：場效應(yīng)管與三極管的各自應(yīng)用特點(diǎn)：1.場效應(yīng)管的源極s,、柵極g、漏極d分別對應(yīng)于三極管的發(fā)射極e,、基極b,、集電極c，它們的作用相似,。2.場效應(yīng)管是電壓控制電流器件,，由vGS控制iD,，其放大系數(shù)gm一般較小，因此場效應(yīng)管的放大能力較差,；三極管是電流控制電流器件,，由iB（或iE）控制iC。3.場效應(yīng)管柵極幾乎不取電流（ig»0）,；而三極管工作時(shí)基極總要吸取一定的電流,。因此場效應(yīng)管的柵極輸入電阻比三極管的輸入電阻高。4.場效應(yīng)管是由多子參與導(dǎo)電,；三極管有多子和少子兩種載流子參與導(dǎo)電,，而少子濃度受溫度、輻射等因素影響較大,，因而場效應(yīng)管比晶體管的溫度穩(wěn)定性好,、抗輻射能力強(qiáng)。在環(huán)境條件（溫度等）變化很大的情況下應(yīng)選用場效應(yīng)管,。

場效應(yīng)管與雙極型晶體管比,，它的體積小，重量輕,，壽命長等優(yōu)點(diǎn),，而且輸入回路的內(nèi)阻特別高，噪聲低,、熱穩(wěn)定性好（因?yàn)閹缀踔焕枚嘧訉?dǎo)電）,、防輻射能力強(qiáng)以及省電等優(yōu)點(diǎn)，幾乎場效應(yīng)管占據(jù)的絕大部分市場,。有利就有弊,，而場效應(yīng)管的放大倍數(shù)要小于雙極型晶體管的放大倍數(shù)（原因后續(xù)詳解）。根據(jù)制作主要工藝主要分為結(jié)型場效應(yīng)管(Junction Field Effect Transistor,，JFET)和絕緣柵型場效應(yīng)管(MOS管),，下面來具體來看這兩種管子。場效應(yīng)管(FET)基礎(chǔ)知識：名稱,，場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor 縮寫(FET)）,，簡稱場效應(yīng)管。結(jié)型場效應(yīng)管（junction FET-JFET),，金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管 （metal-oxide semiconductor FET,，簡稱MOS-FET），由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,，也稱為單極型晶體管,，屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。與之對應(yīng)的是由兩種載流子參與導(dǎo)電的雙極型晶體管,，三極管(BJT),，屬于電流控制型半導(dǎo)體器件。在開關(guān)電路中,，場效應(yīng)管可以實(shí)現(xiàn)快速的開關(guān)操作,，普遍應(yīng)用于數(shù)字電路和電源控制中。

場效應(yīng)管（英語：field-effect transistor,，縮寫：FET）是一種通過電場效應(yīng)控制電流的電子器件,。它依靠電場去控制導(dǎo)電溝道形狀，因此能控制半導(dǎo)體材料中某種類型載流子的溝道的導(dǎo)電性,。場效應(yīng)晶體管有時(shí)被稱為“單極性晶體管”,，以它的單載流子型作用對比雙極性晶體管。由于半導(dǎo)體材料的限制,，以及雙極性晶體管比場效應(yīng)晶體管容易制造,，場效應(yīng)晶體管比雙極性晶體管要晚造出，但場效應(yīng)晶體管的概念卻比雙極性晶體管早,。MOS管的寄生二極管,，由于生產(chǎn)工藝，MOS 管會有寄生二極管,，或稱體二極管,。這是mos管與三極管較大的一個(gè)區(qū)別。場效應(yīng)管是一種半導(dǎo)體器件,，通過外部電場調(diào)節(jié)電導(dǎo),。南京氧化物場效應(yīng)管供應(yīng)商

場效應(yīng)管在電子器件中的功率管理、信號放大等方面有重要作用,。上海多晶硅金場效應(yīng)管尺寸

場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應(yīng)管,。主要有兩種類型：結(jié)型場效應(yīng)管（junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管（metal-oxide semiconductor FET，簡稱MOS-FET）,。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件,。具有輸入電阻高（107～1015Ω）,、噪聲小、功耗低,、動(dòng)態(tài)范圍大,、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象,、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn),，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競爭者。上海多晶硅金場效應(yīng)管尺寸