強抗輻場效應(yīng)管在深空探測中的意義：深空探測環(huán)境極端惡劣，強抗輻場效應(yīng)管是探測器能夠正常工作的關(guān)鍵保障,。探測器在穿越輻射帶,、靠近太陽等過程中，會遭受宇宙射線的輻射,，這種輻射強度遠遠超出了普通電子設(shè)備的承受能力,。強抗輻場效應(yīng)管采用特殊材料與結(jié)構(gòu)，能夠有效抵御輻射粒子的轟擊,，保持穩(wěn)定的電學(xué)性能,。在火星探測器的電子系統(tǒng)中，強抗輻場效應(yīng)管用于控制探測器姿態(tài),、通信,、數(shù)據(jù)采集等關(guān)鍵電路。它確保探測器在火星表面長期穩(wěn)定運行,，將珍貴的探測數(shù)據(jù),，如火星的地質(zhì)結(jié)構(gòu)、氣候環(huán)境等數(shù)據(jù)傳回地球,。這些數(shù)據(jù)為人類探索宇宙奧秘,、拓展認知邊界提供了重要的技術(shù)支撐，讓我們對宇宙的認識不斷深入,。MOSFET有三個電極：柵極,、漏極和源極。功耗低場效應(yīng)管供應(yīng)

判斷源極S,、漏極D,，將萬用表撥至R×1k檔分別丈量三個管腳之間的電阻。用交換表筆法測兩次電阻,，其中電阻值較低（一般為幾千歐至十幾千歐）的一次為正向電阻,，此時黑表筆的是S極，紅表筆接D極,。因為測試前提不同,，測出的RDS（on）值比手冊中給出的典型值要高一些。丈量漏-源通態(tài)電阻RDS（on）,，在源-漏之間有一個PN結(jié),，因此根據(jù)PN結(jié)正、反向電阻存在差異,，可識別S極與D極,。例如用500型萬用表R×1檔實測一只IRFPC50型VMOS管,，RDS（on）=3.2W，大于0.58W（典型值）,。功耗低場效應(yīng)管供應(yīng)場效應(yīng)管具有較長的使用壽命,，可靠性高，降低了設(shè)備的維護成本,。

MOS管開關(guān)電路圖：頭一種應(yīng)用,，由PMOS來進行電壓的選擇，當V8V存在時,，此時電壓全部由V8V提供，將PMOS關(guān)閉,，VBAT不提供電壓給VSIN,，而當V8V為低時，VSIN由8V供電,。注意R120的接地,，該電阻能將柵極電壓穩(wěn)定地拉低,，確保PMOS的正常開啟，這也是前文所描述的柵極高阻抗所帶來的狀態(tài)隱患,。D9和D10的作用在于防止電壓的倒灌,。D9可以省略。這里要注意到實際上該電路的DS接反,，這樣由附生二極管導(dǎo)通導(dǎo)致了開關(guān)管的功能不能達到，實際應(yīng)用要注意,。

SOA失效（電流失效）再簡單說下第二點,，SOA失效,，SOA失效是指電源在運行時異常的大電流和電壓同時疊加在MOSFET上面，造成瞬時局部發(fā)熱而導(dǎo)致的破壞模式,?；蛘呤切酒c散熱器及封裝不能及時達到熱平衡導(dǎo)致熱積累,，持續(xù)的發(fā)熱使溫度超過氧化層限制而導(dǎo)致的熱擊穿模式。關(guān)于SOA各個線的參數(shù)限定值可以參考下面圖片,。1：受限于較大額定電流及脈沖電流2：受限于較大節(jié)溫下的RDSON,。3：受限于器件較大的耗散功率,。4：受限于較大單個脈沖電流,。5：擊穿電壓BVDSS限制區(qū)。我們電源上的MOSFET,，只要保證能器件處于上面限制區(qū)的范圍內(nèi),，就能有效的規(guī)避由于MOSFET而導(dǎo)致的電源失效問題的產(chǎn)生,。這個是一個非典型的SOA導(dǎo)致失效的一個解刨圖，由于去過鋁,，可能看起來不那么直接,，參考下。在進行場效應(yīng)管電路調(diào)試時,，應(yīng)逐步調(diào)整柵極電壓，觀察輸出變化,，以確保電路性能達到預(yù)期,。

MOS管發(fā)熱情況有：1.電路設(shè)計的問題,，就是讓MOS管工作在線性的工作狀態(tài),，而不是在開關(guān)狀態(tài)。這也是導(dǎo)致MOS管發(fā)熱的一個原因,。如果N-MOS做開關(guān),，G級電壓要比電源高幾V，才能完全導(dǎo)通,，P-MOS則相反,。沒有完全打開而壓降過大造成功率消耗，等效直流阻抗比較大,，壓降增大,，所以U*I也增大，損耗就意味著發(fā)熱,。這是設(shè)計電路的較忌諱的錯誤,。2.頻率太高，主要是有時過分追求體積,，導(dǎo)致頻率提高,，MOS管上的損耗增大了，所以發(fā)熱也加大了,。3.沒有做好足夠的散熱設(shè)計,，電流太高,，MOS管標稱的電流值，一般需要良好的散熱才能達到,。所以ID小于較大電流,，也可能發(fā)熱嚴重，需要足夠的輔助散熱片,。4.MOS管的選型有誤,，對功率判斷有誤，MOS管內(nèi)阻沒有充分考慮,，導(dǎo)致開關(guān)阻抗增大,。場效應(yīng)管的可靠性較高，壽命長,。江門柵極場效應(yīng)管加工

場效應(yīng)管可構(gòu)成恒流源,，為負載提供穩(wěn)定的電流，應(yīng)用于精密測量,、激光器等領(lǐng)域,。功耗低場效應(yīng)管供應(yīng)

MOSFET的特性和作用：MOS管導(dǎo)作用，MOS管的柵極G和源極S之間是絕緣的,，由于SiO2絕緣層的存在,，在柵極G和源極S之間等效是一個電容存在，電壓VGS產(chǎn)生電場從而導(dǎo)致源source和drain是可以對調(diào)的,，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū),。在多數(shù)情況下，這個兩個區(qū)是一樣的,，即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能,。這樣的器件被認為是對稱的。目前在市場應(yīng)用方面,，排名頭一的是消費類電子電源適配器產(chǎn)品,。而MOS管的應(yīng)用領(lǐng)域排名第二的是計算機主板、NB,、計算機類適配器,、LCD顯示器等產(chǎn)品，隨著國情的發(fā)展計算機主板,、計算機類適配器,、LCD顯示器對MOS管的需求有要超過消費類電子電源適配器的現(xiàn)象了,。第三的就屬網(wǎng)絡(luò)通信,、工業(yè)控制、汽車電子以及電力設(shè)備領(lǐng)域了,，這些產(chǎn)品對于MOS管的需求也是很大的,，特別是現(xiàn)在汽車電子對于MOS管的需求直追消費類電子了,。功耗低場效應(yīng)管供應(yīng)