效應(yīng)管與三極管的各自應(yīng)用特點(diǎn)：1.場(chǎng)效應(yīng)管在源極金屬與襯底連在一起時(shí),，源極和漏極可以互換使用，且特性變化不大,；而三極管的集電極與發(fā)射極互換使用時(shí),，其特性差異很大，β值將減小很多,。2.場(chǎng)效應(yīng)管的噪聲系數(shù)很小,，在低噪聲放大電路的輸入級(jí)及要求信噪比較高的電路中要選用場(chǎng)效應(yīng)管。3.場(chǎng)效應(yīng)管和三極管均可組成各種放大電路和開(kāi)關(guān)電路,，但由于前者制造工藝簡(jiǎn)單,，且具有耗電少，熱穩(wěn)定性好,，工作電源電壓范圍寬等優(yōu)點(diǎn),，因而被普遍用于大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路中。4.三極管導(dǎo)通電阻大,，場(chǎng)效應(yīng)管導(dǎo)通電阻小,，只有幾百毫歐姆，在現(xiàn)用電器件上,，一般都用場(chǎng)效應(yīng)管做開(kāi)關(guān)來(lái)用,，他的效率是比較高的。場(chǎng)效應(yīng)管具有體積小,、重量輕的優(yōu)點(diǎn),，便于在緊湊的電子設(shè)備中使用。絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管定制

結(jié)型場(chǎng)管腳識(shí)別,，場(chǎng)效應(yīng)管的柵極相當(dāng)于晶體管的基極,，源極和漏極分別對(duì)應(yīng)于晶體管的發(fā)射極和集電極。將萬(wàn)用表置于R×1k檔,，用兩表筆分別測(cè)量每?jī)蓚€(gè)管腳間的正,、反向電阻,。當(dāng)某兩個(gè)管腳間的正、反向電阻相等,，均為數(shù)KΩ時(shí),，則這兩個(gè)管腳為漏極D和源極S（可互換），余下的一個(gè)管腳即為柵極G,。對(duì)于有4個(gè)管腳的結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管,，另外一極是屏蔽極（使用中接地）。判定柵極,，用萬(wàn)用表黑表筆碰觸管子的一個(gè)電極,，紅表筆分別碰觸另外兩個(gè)電極。若兩次測(cè)出的阻值都很大,，說(shuō)明均是反向電阻,，該管屬于N溝道場(chǎng)效應(yīng)管，黑表筆接的也是柵極,。制造工藝決定了場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極是對(duì)稱(chēng)的,，可以互換使用，并不影響電路的正常工作,，所以不必加以區(qū)分,。源極與漏極間的電阻約為幾千歐。注意不能用此法判定絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管的柵極,。因?yàn)檫@種管子的輸入電阻極高,，柵源間的極間電容又很小，測(cè)量時(shí)只要有少量的電荷,，就可在極間電容上形成很高的電壓,，容易將管子損壞。南京源極場(chǎng)效應(yīng)管定制價(jià)格MOSFET有三個(gè)電極：柵極,、漏極和源極。

以上討論的是MOSFET ON狀態(tài)時(shí)電阻的選擇,，在MOSFET OFF狀態(tài)時(shí)為了保證柵極電荷快速瀉放,，此時(shí)阻值要盡量小。通常為了保證快速瀉放,，在Rg上可以并聯(lián)一個(gè)二極管,。當(dāng)瀉放電阻過(guò)小，由于走線電感的原因也會(huì)引起諧振(因此有些應(yīng)用中也會(huì)在這個(gè)二極管上串一個(gè)小電阻),，但是由于二極管的反向電流不導(dǎo)通,此時(shí)Rg又參與反向諧振回路,因此可以抑制反向諧振的尖峰,。估算導(dǎo)通損耗、輸出的要求和結(jié)區(qū)溫度的時(shí)候,，就可以參考前文所指出的方法,。MOSFET的應(yīng)用領(lǐng)域非常普遍,，遠(yuǎn)非一兩篇文章可以概括。

場(chǎng)效應(yīng)管的分類(lèi)：場(chǎng)效應(yīng)管分結(jié)型,、絕緣柵型兩大類(lèi),。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）因有兩個(gè)PN結(jié)而得名，絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管（JGFET）則因柵極與其它電極完整絕緣而得名,。它們由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,，也稱(chēng)為單極型晶體管，屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件,。我們常說(shuō)的MOS管就是絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管中的一種,，它也是應(yīng)用較普遍的一種，所以這一節(jié)接下的內(nèi)容我們主要通過(guò)介紹MOS管來(lái)了解場(chǎng)效應(yīng)晶體管,。MOSFET有分為增強(qiáng)型和耗盡型兩大類(lèi),，增強(qiáng)型和耗盡型每一類(lèi)又有NMOS和PMOS，和三極管中的PNP和NPN類(lèi)似,。在進(jìn)行場(chǎng)效應(yīng)管電路調(diào)試時(shí),，應(yīng)逐步調(diào)整柵極電壓，觀察輸出變化,，以確保電路性能達(dá)到預(yù)期,。

C-MOS場(chǎng)效應(yīng)管（增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管），電路將一個(gè)增強(qiáng)型P溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管和一個(gè)增強(qiáng)型N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管組合在一起使用,。當(dāng)輸入端為低電平時(shí),，P溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管導(dǎo)通，輸出端與電源正極接通,。當(dāng)輸入端為高電平時(shí),，N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管導(dǎo)通，輸出端與電源地接通,。在該電路中,，P溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管和N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管總是在相反的狀態(tài)下工作，其相位輸入端和輸出端相反,。通過(guò)這種工作方式我們可以獲得較大的電流輸出,。同時(shí)由于漏電流的影響，使得柵壓在還沒(méi)有到0V,，通常在柵極電壓小于1到2V時(shí),，MOS場(chǎng)效應(yīng)管既被關(guān)斷。不同場(chǎng)效應(yīng)管其關(guān)斷電壓略有不同,。也正因?yàn)槿绱?，使得該電路不?huì)因?yàn)閮晒芡瑫r(shí)導(dǎo)通而造成電源短路。使用場(chǎng)效應(yīng)管時(shí),，應(yīng)注意其溫度特性,，避免在高溫或低溫環(huán)境下使用影響其性能,。江門(mén)雙柵極場(chǎng)效應(yīng)管注意事項(xiàng)

場(chǎng)效應(yīng)管在功率電子領(lǐng)域具有重要作用，如變頻器,、逆變器等,，提高電能轉(zhuǎn)換效率。絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管定制

場(chǎng)效應(yīng)管的作用：1,、場(chǎng)效應(yīng)管可應(yīng)用于放大,，由于場(chǎng)效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小,，不必使用電解電容器,。2、場(chǎng)效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換,，常用于多級(jí)放大器的輸入級(jí)作阻抗變換,。3、場(chǎng)效應(yīng)管可以用作可變電阻,。4,、場(chǎng)效應(yīng)管可以方便地用作恒流源。5,、場(chǎng)效應(yīng)管可以用作電子開(kāi)關(guān),。場(chǎng)效應(yīng)管的分類(lèi)：場(chǎng)效應(yīng)管分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管（MOS管）兩大類(lèi)。按溝道材料型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種,；按導(dǎo)電方式：耗盡型與增強(qiáng)型,，結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管均為耗盡型，絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管既有耗盡型的,，也有增強(qiáng)型的,。場(chǎng)效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管和MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管，而MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管又分為N溝耗盡型和增強(qiáng)型,；P溝耗盡型和增強(qiáng)型四大類(lèi),。絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管定制