電壓和電流的選擇。額定電壓越大,，器件的成本就越高,。根據(jù)實踐經(jīng)驗,，額定電壓應當大于干線電壓或總線電壓。這樣才能提供足夠的保護,，使MOSFET不 會失效,。就選擇MOSFET而言，必須確定漏極至源極間可能承受的較大電壓,，即較大VDS,。設計工程師需要考慮的其他安全因素包括由開關電子設備(如電機 或變壓器)誘發(fā)的電壓瞬變。不同應用的額定電壓也有所不同,；通常,，便攜式設備為20V、FPGA電源為20～30V,、85～220VAC應用為450～600V。在連續(xù)導通模式下,，MOSFET處于穩(wěn)態(tài),，此時電流連續(xù)通過器件,。脈沖尖峰是指有大量電涌(或尖峰電流)流過器件。一旦確定了這些條件下的較大電流,，只需直接選擇能承受這個較大電流的器件便可,。場效應管具有較高的耐熱性能，適用于高溫環(huán)境,。無錫單極型場效應管供應

合理的熱設計余量,，這個就不多說了，各個企業(yè)都有自己的降額規(guī)范,，嚴格執(zhí)行就可以了,，不行就加散熱器。MOSFET發(fā)熱原因分析,，做電源設計,，或者做驅(qū)動方面的電路，難免要用到MOS管,。MOS管有很多種類,，也有很多作用。做電源或者驅(qū)動的使用,，當然就是用它的開關作用,。無論N型或者P型MOS管，其工作原理本質(zhì)是一樣的,。MOS管是由加在輸入端柵極的電壓來控制輸出端漏極的電流,。MOS管是壓控器件它通過加在柵極上的電壓控制器件的特性，不會發(fā)生像三極管做開關時的因基極電流引起的電荷存儲效應,，因此在開關應用中,，MOS管的開關速度應該比三極管快。廣州源極場效應管加工場效應管具有放大作用,，能將較小的輸入信號放大成較大的輸出信號,，普遍應用于音頻放大器、射頻放大器等,。

MOSFET選型注意事項：MOSFET的選型基礎MOSFET有兩大類型：N溝道和P溝道,。在功率系統(tǒng)中，MOSFET可被看成電氣開關,。當在N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時,，其開關導 通。導通時,，電流可經(jīng)開關從漏極流向源極,。漏極和源極之間存在一個內(nèi)阻，稱為導通電阻RDS(ON),。必須清楚MOSFET的柵極是個高阻抗端,，因此，總 是要在柵極加上一個電壓,。如果柵極為懸空,，器件將不能按設計意圖工作，并可能在不恰當?shù)臅r刻導通或關閉,，導致系統(tǒng)產(chǎn)生潛在的功率損耗,。當源極和柵極間的電 壓為零時，開關關閉,，而電流停止通過器件,。雖然這時器件已經(jīng)關閉，但仍然有微小電流存在,，這稱之為漏電流,，即IDSS,。

結(jié)型場管腳識別，場效應管的柵極相當于晶體管的基極,，源極和漏極分別對應于晶體管的發(fā)射極和集電極,。將萬用表置于R×1k檔，用兩表筆分別測量每兩個管腳間的正,、反向電阻,。當某兩個管腳間的正、反向電阻相等,，均為數(shù)KΩ時,，則這兩個管腳為漏極D和源極S（可互換），余下的一個管腳即為柵極G,。對于有4個管腳的結(jié)型場效應管,，另外一極是屏蔽極（使用中接地）。判定柵極,，用萬用表黑表筆碰觸管子的一個電極,，紅表筆分別碰觸另外兩個電極。若兩次測出的阻值都很大,，說明均是反向電阻,，該管屬于N溝道場效應管，黑表筆接的也是柵極,。制造工藝決定了場效應管的源極和漏極是對稱的,，可以互換使用，并不影響電路的正常工作,，所以不必加以區(qū)分,。源極與漏極間的電阻約為幾千歐。注意不能用此法判定絕緣柵型場效應管的柵極,。因為這種管子的輸入電阻極高,，柵源間的極間電容又很小，測量時只要有少量的電荷,，就可在極間電容上形成很高的電壓,，容易將管子損壞。場效應管還可以用于設計溫度傳感器,、微波探測器和光電探測器等電子器件,。

在二極管加上正向電壓（P端接正極，N端接負極）時,，二極管導通,，其PN結(jié)有電流通過。這是因為在P型半導體端為正電壓時，N型半導體內(nèi)的負電子被吸引而涌向加有正電壓的P型半導體端,，而P型半導體端內(nèi)的正電子則朝N型半導體端運動,，從而形成導通電流。同理,，當二極管加上反向電壓（P端接負極,，N端接正極）時，這時在P型半導體端為負電壓,，正電子被聚集在P型半導體端，負電子則聚集在N型半導體端,，電子不移動,，其PN結(jié)沒有電流通過，二極管截止,。在柵極沒有電壓時,，由前面分析可知，在源極與漏極之間不會有電流流過,，此時場效應管處與截止狀態(tài)（圖7a）,。當有一個正電壓加在N溝道的MOS場效應管柵極上時，由于電場的作用,，此時N型半導體的源極和漏極的負電子被吸引出來而涌向柵極,，但由于氧化膜的阻擋，使得電子聚集在兩個N溝道之間的P型半導體中,，從而形成電流,，使源極和漏極之間導通?？梢韵胂駷閮蓚€N型半導體之間為一條溝,，柵極電壓的建立相當于為它們之間搭了一座橋梁，該橋的大小由柵壓的大小決定,。場效應管需遵循正確的電路連接方式,，通常包括源極、柵極和漏極三個引腳,，根據(jù)不同類型選擇合適的偏置電壓,。無錫單極型場效應管供應

場效應管的主要作用是在電路中放大或開關信號，用于控制電流或電壓,。無錫單極型場效應管供應

以上討論的是MOSFET ON狀態(tài)時電阻的選擇,，在MOSFET OFF狀態(tài)時為了保證柵極電荷快速瀉放，此時阻值要盡量小,。通常為了保證快速瀉放,，在Rg上可以并聯(lián)一個二極管。當瀉放電阻過小,，由于走線電感的原因也會引起諧振(因此有些應用中也會在這個二極管上串一個小電阻),，但是由于二極管的反向電流不導通,此時Rg又參與反向諧振回路,因此可以抑制反向諧振的尖峰,。估算導通損耗、輸出的要求和結(jié)區(qū)溫度的時候,，就可以參考前文所指出的方法,。MOSFET的應用領域非常普遍，遠非一兩篇文章可以概括,。無錫單極型場效應管供應