場效應(yīng)管注意事項(xiàng)：為了防止場效應(yīng)管柵極感應(yīng)擊穿，要求一切測試儀器,、工作臺,、電烙鐵、線路本身都必須有良好的接地,；管腳在焊接時,，先焊源極,；在連入電路之前，管的全部引線端保持互相短接狀態(tài),，焊接完后才把短接材料去掉,；從元器件架上取下管時，應(yīng)以適當(dāng)?shù)姆绞酱_保人體接地如采用接地環(huán)等,；當(dāng)然,，如果能采用先進(jìn)的氣熱型電烙鐵，焊接場效應(yīng)管是比較方便的,，并且確保安全,；在未關(guān)斷電源時，一定不可以把管插人電路或從電路中拔出,。以上安全措施在使用場效應(yīng)管時必須注意,。場效應(yīng)管的體積小，適合集成在微型電子設(shè)備中,。中山金屬半導(dǎo)體場效應(yīng)管參考價

場效應(yīng)管工作原理用一句話說,，就是“漏極-源極間流經(jīng)溝道的ID， 用柵極與溝道間的pn結(jié)形成的反偏的柵極電壓進(jìn)行控制”,。更正確地說,，ID流經(jīng)通路的寬度，即溝道截面積,，它是由pn結(jié)反偏的變化,，產(chǎn)生耗盡層擴(kuò)展變化控制的緣故。在VGS=0的非飽和區(qū)域,，表示的過渡層的擴(kuò)展因?yàn)椴缓艽?，根?jù)漏極-源極間所加VDS的電場，源極區(qū)域的某些電子被漏極拉去,，即從漏極向源極有電流ID流動,。從門極向漏極擴(kuò)展的過度層將溝道的一部分構(gòu)成堵塞型，ID飽和,。將這種狀態(tài)稱為夾斷。這意味著過渡層將溝道的一部分阻擋,，并不是電流被切斷,。佛山MOS場效應(yīng)管批發(fā)價格場效應(yīng)管具有很高的耐壓特性，可承受較高的電壓,，適用于高壓電路,。

場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應(yīng)管。主要有兩種類型：結(jié)型場效應(yīng)管（junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管（metal-oxide semiconductor FET,，簡稱MOS-FET）,。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件,。具有輸入電阻高（107～1015Ω）,、噪聲小、功耗低,、動態(tài)范圍大,、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象,、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn),，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競爭者。

場效應(yīng)管的作用：1,、場效應(yīng)管可應(yīng)用于放大,，由于場效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小,，不必使用電解電容器,。2、場效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換,，常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換,。3、場效應(yīng)管可以用作可變電阻,。4,、場效應(yīng)管可以方便地用作恒流源。5,、場效應(yīng)管可以用作電子開關(guān),。場效應(yīng)管的分類：場效應(yīng)管分為結(jié)型場效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵場效應(yīng)管（MOS管）兩大類。按溝道材料型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種,；按導(dǎo)電方式：耗盡型與增強(qiáng)型,，結(jié)型場效應(yīng)管均為耗盡型，絕緣柵型場效應(yīng)管既有耗盡型的,，也有增強(qiáng)型的,。場效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場效應(yīng)晶體管和MOS場效應(yīng)晶體管，而MOS場效應(yīng)晶體管又分為N溝耗盡型和增強(qiáng)型,；P溝耗盡型和增強(qiáng)型四大類,。在進(jìn)行場效應(yīng)管電路調(diào)試時，應(yīng)逐步調(diào)整柵極電壓,，觀察輸出變化,，以確保電路性能達(dá)到預(yù)期。

場效應(yīng)晶體管,。當(dāng)滿足 MOS 管的導(dǎo)通條件時,，MOS 管的 D 極和 S 極會導(dǎo)通,，這個時候體二極管是截止?fàn)顟B(tài)。因?yàn)?MOS 管導(dǎo)通內(nèi)阻很小,，不足以使寄生二極管導(dǎo)通,。MOS管的導(dǎo)通條件：PMOS增強(qiáng)型管：UG-US<0 , 且 |UG-US|>|UGSTH| ， UGSTH是開啟電壓,；NMOS增強(qiáng)型管：UG-US>0,，且 |UG-US|>|UGSTH| ，UGSTH是開啟電壓,；PMOS導(dǎo)通是在G和S之間加G負(fù)S正電壓,。NMOS相反。MOS管工作狀態(tài),。MOSFET 不同于三極管,，因?yàn)槟承┬吞柗庋b內(nèi)有并聯(lián)二極管，所以其 D 和 S 極是不能反接的,，且 N 管必須由 D 流向 S,，P 管必須由 S 流向 D?？梢杂孟卤砼袛喙ぷ鳡顟B(tài)：場效應(yīng)管的工作原理是利用電荷的寄主控制電流流動,，具有與電阻不同的工作方式。佛山MOS場效應(yīng)管批發(fā)價格

場效應(yīng)管是一種半導(dǎo)體器件,，用于放大或開關(guān)電路中的信號,。中山金屬半導(dǎo)體場效應(yīng)管參考價

以上討論的是MOSFET ON狀態(tài)時電阻的選擇，在MOSFET OFF狀態(tài)時為了保證柵極電荷快速瀉放,，此時阻值要盡量小,。通常為了保證快速瀉放，在Rg上可以并聯(lián)一個二極管,。當(dāng)瀉放電阻過小,，由于走線電感的原因也會引起諧振(因此有些應(yīng)用中也會在這個二極管上串一個小電阻)，但是由于二極管的反向電流不導(dǎo)通,此時Rg又參與反向諧振回路,因此可以抑制反向諧振的尖峰,。估算導(dǎo)通損耗,、輸出的要求和結(jié)區(qū)溫度的時候，就可以參考前文所指出的方法,。MOSFET的應(yīng)用領(lǐng)域非常普遍,，遠(yuǎn)非一兩篇文章可以概括。中山金屬半導(dǎo)體場效應(yīng)管參考價