場(chǎng)效應(yīng)管由于它只靠半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子導(dǎo)電，又稱單極型晶體管,。FET 英文為Field Effect Transistor,，簡(jiǎn)寫成FET。場(chǎng)效應(yīng)管分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管（MOS管）兩大類,。按溝道材料型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種,；按導(dǎo)電方式：耗盡型與增強(qiáng)型，結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管均為耗盡型,，絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管既有耗盡型的,，也有增強(qiáng)型的。場(chǎng)效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管和MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管,，而MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管又分為N溝耗盡型和增強(qiáng)型,；P溝耗盡型和增強(qiáng)型四大類。場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理是利用電荷的寄主控制電流流動(dòng),，具有與電阻不同的工作方式,。銅陵單極型場(chǎng)效應(yīng)管

場(chǎng)效應(yīng)管由源極（Source）、漏極（Drain）和柵極（Gate）三個(gè)主要部分組成,。在JFET中,，柵極和通道之間通過PN結(jié)隔離；而在MOSFET中,，柵極和通道之間由一層絕緣材料（通常是二氧化硅）隔離,。當(dāng)在柵極施加適當(dāng)?shù)碾妷簳r(shí)，會(huì)在柵極下方的半導(dǎo)體中形成一個(gè)導(dǎo)電溝道,，從而控制漏極和源極之間的電流流動(dòng),。主要參數(shù)閾值電壓（Vth）：使場(chǎng)效應(yīng)管開始導(dǎo)電的較小柵極電壓。閾值電壓是場(chǎng)效應(yīng)管從截止區(qū)（Cutoff Region）過渡到飽和區(qū)（Saturation Region）的臨界電壓,。當(dāng)柵極-源極電壓（VGS）低于Vth時(shí),，場(chǎng)效應(yīng)管處于關(guān)閉狀態(tài)，通道不導(dǎo)電,；當(dāng)VGS超過Vth時(shí),，通道形成,，電流開始流動(dòng)。金屬半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管市場(chǎng)價(jià)格MOSFET是最常見的場(chǎng)效應(yīng)管,，其優(yōu)勢(shì)在于高輸入電阻和低功耗,。

mos管，mos管是金屬（metal）-氧化物（oxide）-半導(dǎo)體（semiconductor）場(chǎng)效應(yīng)晶體管,，或者稱是金屬-絕緣體（insulator）-半導(dǎo)體,，MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū),。在多數(shù)情況下,，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的，即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能,，這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱的,。MOS電容的特性能被用來形成MOS管，Gate,，電介質(zhì)和backgate保持原樣,。在GATE的兩邊是兩個(gè)額外的選擇性摻雜的區(qū)域。其中一個(gè)稱為source,，另一個(gè)稱為drain,，假設(shè)source 和backgate都接地，drain接正電壓,，只要GATE對(duì)BACKGATE的電壓仍舊小于閾值電壓,，就不會(huì)形成channel。

單極型場(chǎng)效應(yīng)管在生物醫(yī)學(xué)檢測(cè)中的應(yīng)用：生物醫(yī)學(xué)檢測(cè)對(duì)信號(hào)檢測(cè)精度的要求極高,，單極型場(chǎng)效應(yīng)管在其中發(fā)揮著關(guān)鍵作用,。在生物傳感器領(lǐng)域，例如檢測(cè)血糖的傳感器,，當(dāng)血液中的葡萄糖分子與傳感器表面的特定物質(zhì)發(fā)生反應(yīng)時(shí),，會(huì)產(chǎn)生微弱的電信號(hào)。單極型場(chǎng)效應(yīng)管憑借其高輸入阻抗的特性,，能夠?qū)⑦@種極其微弱的信號(hào)高效放大,，且不會(huì)因?yàn)樽陨淼妮斎胩匦詫?dǎo)致信號(hào)衰減。在檢測(cè) DNA 等生物分子的傳感器中,，同樣如此,，它能夠保證檢測(cè)結(jié)果的準(zhǔn)確性。在可穿戴式醫(yī)療監(jiān)測(cè)設(shè)備中,，實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)人體的生理參數(shù),，如心率、血壓等，單極型場(chǎng)效應(yīng)管為疾病預(yù)防,、診斷提供了可靠的數(shù)據(jù)支持,。醫(yī)生可以根據(jù)這些準(zhǔn)確的數(shù)據(jù),，及時(shí)發(fā)現(xiàn)潛在的健康問題,，制定科學(xué)的治療方案，助力醫(yī)療技術(shù)的進(jìn)步與人們健康管理水平的提升,。場(chǎng)效應(yīng)管的特性可以通過外部電路的調(diào)整來滿足不同的應(yīng)用需求,。

本文介紹N溝道增強(qiáng)型MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管；（1）結(jié)構(gòu),，在一塊摻雜濃度較低的P型硅襯底上,，制作兩個(gè)高摻雜濃度的N+區(qū)，并用金屬鋁引出兩個(gè)電極,，分別作漏極d和源極s,。然后在半導(dǎo)體表面覆蓋一層很薄的二氧化硅(SiO2)絕緣層，在漏——源極間的絕緣層上再裝上一個(gè)鋁電極,作為柵極g,。襯底上也引出一個(gè)電極B,，這就構(gòu)成了一個(gè)N溝道增強(qiáng)型MOS管。MOS管的源極和襯底通常是接在一起的(大多數(shù)管子在出廠前已連接好),。它的柵極與其它電極間是絕緣的,。場(chǎng)效應(yīng)管還具有低輸出阻抗，可以提供較大的輸出電流,。銅陵單極型場(chǎng)效應(yīng)管

MOSFET在數(shù)字電路,、功率放大器等領(lǐng)域普遍應(yīng)用。銅陵單極型場(chǎng)效應(yīng)管

場(chǎng)效應(yīng)晶體管,。當(dāng)滿足 MOS 管的導(dǎo)通條件時(shí),，MOS 管的 D 極和 S 極會(huì)導(dǎo)通，這個(gè)時(shí)候體二極管是截止?fàn)顟B(tài),。因?yàn)?MOS 管導(dǎo)通內(nèi)阻很小,，不足以使寄生二極管導(dǎo)通。MOS管的導(dǎo)通條件：PMOS增強(qiáng)型管：UG-US<0 , 且 |UG-US|>|UGSTH| ,， UGSTH是開啟電壓,；NMOS增強(qiáng)型管：UG-US>0，且 |UG-US|>|UGSTH| ,，UGSTH是開啟電壓,；PMOS導(dǎo)通是在G和S之間加G負(fù)S正電壓。NMOS相反,。MOS管工作狀態(tài),。MOSFET 不同于三極管，因?yàn)槟承┬吞?hào)封裝內(nèi)有并聯(lián)二極管，所以其 D 和 S 極是不能反接的,，且 N 管必須由 D 流向 S,，P 管必須由 S 流向 D?？梢杂孟卤砼袛喙ぷ鳡顟B(tài)：銅陵單極型場(chǎng)效應(yīng)管